一种芯片拼板制造技术

技术编号:21752605 阅读:36 留言:0更新日期:2019-08-01 05:52
本实用新型专利技术公开了一种芯片拼板,所述芯片拼版包括若干晶元的基板、以及覆盖所述若干晶元的封装外壳,所述封装外壳设有喷涂面、以及连接所述喷涂面与所述基板的倾斜面。本实用新型专利技术的有益效果在于:在对芯片拼板的封装进行喷涂过程中,不会产生油墨不均匀的情况,使喷涂效果更好。

A Chip Assembly

【技术实现步骤摘要】
一种芯片拼板
本技术涉及加工工艺领域,尤其涉及一种芯片拼板。
技术介绍
目前,为满足大众对外观的要求,产品在制造过程中往往需要在产品表面进行喷涂油漆,使产品达到一定的外观效果。一般的喷涂方式采用往复式的喷涂方式。此种喷涂方式由喷枪按线路往复式运动。但是采用此种喷涂方式,喷涂油量不均匀杂质较多。旋喷式的喷涂方式可以克服往复式的喷涂方式的缺陷,旋喷线的喷涂方式是芯片夹持于夹具中并由夹具带动旋转,喷枪固定于夹具上方对芯片喷涂。但是现有的旋喷式的喷涂方式存在以下缺陷:喷涂过程芯片边沿会有大量积油,在停转固化中积油会回流,使产品局部油墨不均匀。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术的目的之一提供一种芯片拼板,使在喷涂过程中芯片不会产生油墨不均匀的情况。一种芯片拼板,所述芯片拼版包括若干晶元的基板、以及覆盖所述若干晶元的封装外壳,所述封装外壳设有喷涂面、以及连接所述喷涂面与所述基板的倾斜面。进一步地,所述喷涂面与所述倾斜面通过圆弧面圆滑连接。进一步地,所述倾斜面与所述基板之间夹角角度30°-45°。进一步地,所述基板远离所述封装外壳一面设有连接所述若干晶元的引线端。进一步地,所述封装外壳材料为环氧树脂。进一步地,所述封装外壳包括连成一体的若干封装体,每一封装体封装一个晶元。进一步地,若干封装体呈矩阵式排列。进一步地,每两两封装体之间连接有连接部,所述若干封装体通过连接部连成一体形成所述封装外壳。进一步地,所述喷涂面设有喷涂层。进一步地,所述倾斜面形成喷涂层。相比现有技术,本技术的有益效果在于:在对芯片拼板的封装进行喷涂过程中,不会产生油墨不均匀的情况,使喷涂效果更好。附图说明图1为本技术中芯片拼板结构示意图;图2为本技术中芯片拼板剖面图;图3为本技术中芯片拼板喷涂方法示意图;图4为本技术注塑模具示意图。图5为本技术基板背面;图6为本技术第一实施例芯片加工方法的流程示意图;图7为本技术中芯片加工方法的芯片拼板加工方法第一实施例流程图;图8为本技术中芯片加工方法的芯片拼板加工方法第二实施例流程图;图9为本技术中芯片加工方法子流程示意图。图中:1、芯片拼板;2、封装外壳;3、喷涂面;4、倾斜面;5、承载体;6、基板;7、若干晶元;8、喷涂设备;9、注塑模具;10、圆弧面;11、喷涂层;12、喷涂材料。具体实施方式下面,结合附图以及具体实施方式,对本技术做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。本技术提供一种芯片拼板1,该芯片拼板1为还未进行切割芯片集合,次芯片拼板1在对其进行喷涂加工时,喷涂效果更好,且制作成本简单。图1为本技术中芯片拼板1结构示意图,芯片拼版1包括设置在基板6上的若干晶元7、以及覆盖若干晶元7的封装外壳2,封装外壳2远离基板6的设有喷涂面3、以及连接喷涂面3与基板6的倾斜面4。图2为本技术中芯片拼板剖面图;作为优选的实施方式,喷涂面3与倾斜面4通过圆弧面10圆滑连接,倾斜面4向喷涂面3平缓过渡,有利于旋转喷涂过程中,喷涂材料12从喷涂面3流向倾斜面4时更加平滑顺利。作为优选的实施方式,倾斜面4与基板之间夹角角度30°-45°,夹角角度大于45°容易导致喷涂材料12滑落过快,会使靠近圆弧面10边沿的喷涂材料12厚度变薄影响产品性能,夹角角度小于30°会使喷涂材料12的滑落过慢,不能有效清除多余的喷涂材料12,影响喷涂的效果。作为优选的实施方式,基板6远离封装外壳2一面设有连接若干晶元7的引线端13。引线端13为晶元7的数据传输端。作为优选的实施方式,封装外壳2材料为环氧树脂,其坚固使用,对内部的晶元7可以起到有效的保护。作为优选的实施方式,封装外壳2包括连成一体的若干封装体,每一封装体封装一个晶元7。作为优选的实施方式,若干封装体呈矩阵式排列。便于在分隔芯片时不会出现切割失误,对芯片造成损伤。作为优选的实施方式,每两两封装体之间连接有连接部,所述若干封装体通过连接部连成一体形成所述封装外壳。作为优选的实施方式:喷涂面3设有喷涂层11。使用喷涂材料12对喷涂面3喷涂形成喷涂层11。作为优选的实施方式,所述倾斜面形成喷涂层11。对喷涂面3进行喷涂过程,多余的喷涂材料12会沿倾斜面4形成喷涂层11。本技术的芯片拼板1主要用在旋喷式的加工方法上,参看图2和图6分别为的本技术中第一实施例芯片加工方法的流程示意图和芯片拼板剖面图;一种芯片的加工方法,其主要生产工艺如下:步骤S101:提供芯片拼板1,芯片拼板1包括封装外壳2,封装外壳2设置有喷涂面3、以及自喷涂面3连接的倾斜面4。步骤S102:将芯片拼板1放置于喷涂设备的承载体5。步骤S103:使用喷涂材料对芯片拼板1的喷涂面3进行喷涂,形成喷涂层11,以使多余喷涂材料12沿倾斜面4流向承载体5。参考图7为本技术中芯片加工方法的芯片拼板加工方法第一实施例流程图。该芯片的加工方法还包括如下步骤:步骤S201:提供基板6和若干晶元7。步骤S202:将若干晶元7安装于所述基板6上。步骤S203:对若干晶元7一一对应封装,形成包含连成一体若干封装单元的封装外壳2。步骤S204:沿着封装外壳2远离基板6的一侧向基板6倾斜切割以形成封装外壳2的倾斜面4和喷涂面3,倾斜面4由切割设备沿着与基板30°-45°方向切割形成。倾斜面4与喷涂面3连接部分利用切割设备切割成圆弧面10圆滑连接。喷涂面4为封装外壳2远离基板6的一侧。请参考图8,其为芯片加工方法的芯片拼板加工方法第二实施例流程图。该芯片的加工方法还包括如下步骤:步骤S301:提供基板6和若干晶元7。步骤S302:将若干晶元7安装于基板6上。步骤S303:将基板6放入与封装外壳2匹配的模具中进行注塑封装以形成芯片拼板1。具体的,如图4所示的注塑磨具9,其包括与倾斜面4倾斜方向角度一致的倾斜边,将安装若干晶元7的基板6放入注塑磨具9进行注塑,即可形成带有倾斜面4的封装外壳2。参看图9和图3分别为本技术中芯片加工方法子流程示意图和芯片喷涂方法示意图。对芯片拼板1的喷涂面3进行喷涂的具体包括如下步骤:步骤S401:芯片拼板1放置在承载体5,使喷涂面3远离喷涂承载体5。倾斜面4自喷涂面3向承载体5倾斜。步骤S402:驱动承载体5旋转以带动芯片拼板1旋转。步骤S403:对放置在承载体5旋转着的芯片拼板1喷涂材料12。形成喷涂层11,喷涂过程中多余的喷涂材料12会因为旋转的离心力作用沿倾斜面4向承载体5。上述实施方式仅为本技术的优选实施方式,不能以此来限定本技术保护的范围,本领域的技术人员在本技术的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本技术所要求保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片拼板,其特征在于:所述芯片拼版包括若干晶元的基板、以及覆盖所述若干晶元的封装外壳,所述封装外壳设有喷涂面、以及连接所述喷涂面与所述基板的倾斜面。

【技术特征摘要】
1.一种芯片拼板,其特征在于:所述芯片拼版包括若干晶元的基板、以及覆盖所述若干晶元的封装外壳,所述封装外壳设有喷涂面、以及连接所述喷涂面与所述基板的倾斜面。2.根据权利要求1所述芯片拼板,其特征在于:所述喷涂面与所述倾斜面通过圆弧面圆滑连接。3.根据权利要求1所述芯片拼板,其特征在于:所述倾斜面与所述基板之间夹角角度30°-45°。4.如权利要求1所述的芯片拼板,其特征在于:所述基板远离所述封装外壳一面设有连接所述若干晶元的引线端。5.如权利要求1所述的芯片拼板,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘焕发许宁熊胜齐吴刚王平安
申请(专利权)人:广东越众光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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