耐候性提高剂、金属纳米线层被覆用树脂组合物和含金属纳米线层叠体制造技术

本发明专利技术涉及一种耐候性提高剂，含有化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)为具有下述结构(1)的化合物，化合物(B)为具有下述结构(2)的化合物或其盐。通过该耐候性提高剂，在太阳光长时间暴露下、人工光长时间暴露下和高温高湿条件下均能够抑制使用金属纳米线的透明导电膜的劣化。结构(1)结构(2)

Weather Resistance Improver, Resin Composition for Coating Metal Nanowire Layer and Metal Nanowire Layer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耐候性提高剂、金属纳米线层被覆用树脂组合物和含金属纳米线层叠体
本专利技术涉及耐候性提高剂，尤其涉及通过用于使用金属纳米线的透明导电膜而能够提高耐候性的耐候性提高剂。另外，涉及含有本专利技术的耐候性提高剂的含金属纳米线层被覆用树脂组合物、含金属纳米线层叠体。
技术介绍
近年来，液晶显示器、等离子体显示器、有机电致发光显示器、电子纸等显示设备、触摸面板等输入传感器、薄膜型非晶硅太阳能电池、色素敏化太阳能电池等利用太阳光的太阳能电池等的利用增多。与此相伴，作为这些设备所必须的构件的透明导电膜的需求也在增加。金属纳米线的直径小至纳米等级，因此在可见光区域的透光性高，作为取代ITO(氧化铟锡)的透明导电膜的应用受到期待。其中，提出了使用具有高导电性的银纳米线的透明导电膜(例如，参照专利文献1、2和3)。透明导电膜被利用于上述的液晶显示器、触摸面板等输入传感器等用途，因此，其使用环境不论室内外均假设长时间在太阳光、荧光灯光或LED光之类的光源下使用或在高温高湿度条件下使用。对使用金属纳米线的透明导电膜同时要求在光的长时间暴露条件下维持表面电阻率的光稳定性和在高温高湿度条件下维持表面电阻率的高温高湿稳定性这两种稳定性。另一方面，金属纳米线在这两种环境下有损失导电性的趋势，因此寻求用于同时表现出光稳定性和高温高湿稳定性的耐候性提高剂。另外，对于光稳定性，在使用金属纳米线的透明导电膜中，需要暴露于太阳光的照射部分的光稳定性，并且在照射部分与利用遮蔽物遮蔽了太阳光的遮蔽部分的边界部也需要光稳定性，但有报告称在该边界部分导电性特别可能变差(例如，参照专利文献4和5)。专利文献4中，作为在边界部有效的光稳定剂，记载了过渡金属盐、过渡金属络合物。另外，专利文献5中，作为在边界部有效的光稳定剂，记载了金属粒子、金属氧化物粒子、金属络合物化合物。然而，这些专利文献4、5中没有关于高温高湿稳定性的记载。另外，含有这些金属的化合物具有着色的问题、促进同时使用的聚合性单体和大分子单体的凝胶化的问题、析出和转移的问题，因此认为优选不含金属的耐候性提高剂。专利文献6中，通过使用具有特定的pKa值的有机酸，得到荧光灯光下的耐久性，但保持耐久性的期间在低照度下为2个月，仍无法令人满意，另外，没有记载高湿度条件下的耐久性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9－324324号公报专利文献2：日本特开2005－317395号公报专利文献3：美国专利申请公开2007/0074316号说明书专利文献4：美国专利申请公开2015/0270024号说明书专利文献5：日本特开2016－1608号公报专利文献6：日本特表2016－508892号公报
技术实现思路
本专利技术提供一种耐候性提高剂，其在太阳光长时间暴露下、人工光长时间暴露下和高温高湿条件下均能够抑制使用金属纳米线的透明导电膜的劣化。本专利技术人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现在使用由特定的化合物的组合构成的耐候性提高剂时，在太阳光长时间暴露下、人工光长时间暴露下以及高温高湿条件下均能够抑制使用金属纳米线的透明导电膜的劣化，完成了本专利技术。即，本专利技术涉及以下的专利技术。(i)一种耐候性提高剂，含有化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)为具有下述结构(1)的化合物，化合物(B)为具有下述结构(2)的化合物或其盐。结构(1)结构(2)(ii)根据(i)所述的耐候性提高剂，其中，含有化合物(A)和对一个磷原子至少键合一个羟基的化合物(B)，化合物(A)为由下述通式(1)和/或(2)表示的化合物，化合物(B)为选自植酸、由下述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的化合物和它们的盐中的至少1种。通式(1)(其中，通式(1)中，R1表示氢原子、碳原子数1～8的烷基或具有碳原子数1～3的烷基的(二)羧基烷基)通式(2)(其中，通式(2)中，R2表示氢原子、碳原子数1～8的烷基或具有碳原子数1～3的烷基的(二)羧基烷基)通式(3)(其中，通式(3)中，R3和R4表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、烯基、芳基、羟基芳基或烷氧基芳基，可以相同或不同)通式(4)(其中，通式(4)中，R5表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、乙烯基、芳基、芳基烯基、羟基芳基、烷氧基芳基或羧基烷基。R6表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、全氟烷基、芳基、羟基芳基、烷氧基芳基或羧基芳基，可以相同或不同)通式(5)(其中，通式(5)中，R7和R8表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、芳基、羟基芳基、烷氧基芳基、羧基芳基或(甲基)丙烯酰氧烷基，可以相同或不同)通式(6)(其中，通式(6)中，R9表示氢原子或羟基，R10表示氢原子、碳原子数1～5的烷基或氨基烷基，n表示1～12)(iii)根据(i)或(ii)所述的耐候性提高剂，其用于金属纳米线。(iv)根据(iii)所述的耐候性提高剂，其中，金属纳米线为银纳米线。(v)根据(i)或(ii)所述的耐候性提高剂，其中，上述化合物(A)为选自2－巯基噻唑啉、3－(2－苯并噻唑－2－基硫基)丙酸、(1,3－苯并噻唑－2－基硫基)琥珀酸中的至少1种。(vi)根据(i)或(ii)所述的耐候性提高剂，其中，上述化合物(B)为选自次膦酸、碳原子数1～8的二烷基次膦酸、(2－羧基乙基)苯基次膦酸、苯基次膦酸、二苯基次膦酸、双(4－甲氧基苯基)次膦酸、甲基苯基次膦酸、苯基乙烯基次膦酸中的至少1种。(vii)一种含金属纳米线层被覆用树脂组合物，含有(i)～(vi)中任一项所述的耐候性提高剂、光聚合性引发剂和/或热聚合性引发剂以及聚合性单体和/或大分子单体。(viii)根据(vii)所述的含金属纳米线层被覆用树脂组合物，其中，相对于上述聚合性单体和/或大分子单体，含有0.3～4质量％的上述化合物(A)中的至少1种，含有以磷原子的量计为0.03～0.6mmol/g的上述化合物(B)中的至少1种。(ix)一种含金属纳米线层叠体，交替具有含金属纳米线层和配置在上述含金属纳米线层上的用于保护上述含金属纳米线层的保护层，仅上述保护层或者上述保护层和含金属纳米线层这两者含有(i)～(vi)中任一项所述的耐候性提高剂，并且上述保护层为进一步满足以下的条件的含金属纳米线层被覆用树脂组合物的固化物。(1)含有光聚合性引发剂和/或热聚合性引发剂，以及聚合性单体和/或大分子单体(2)相对于上述聚合性单体和/或大分子单体，含有0.3～4质量％的上述化合物(A)中的至少1种。(3)相对于上述聚合性单体和/或大分子单体，含有以磷原子的量计为0.03～0.6mmol/g的上述化合物(B)中的至少1种。(x)根据(ix)所述的含金属纳米线层叠体，其中，含金属纳米线层含有水性聚酯树脂。根据本专利技术，可提供一种耐候性提高剂，其在太阳光长时间暴露下、人工光长时间暴露下和高温高湿条件下均能够抑制使用金属纳米线的透明导电膜的劣化。附图说明图1的图1(A)、图1(B)是表示含金属纳米线层叠体的一个方式的图。具体实施方式以下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐候性提高剂，其特征在于，含有化合物(A)和化合物(B)，所述化合物(A)为具有下述结构(1)的化合物，所述化合物(B)为具有下述结构(2)的化合物或其盐，结构(1)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.20 JP 2016-2465871.一种耐候性提高剂，其特征在于，含有化合物(A)和化合物(B)，所述化合物(A)为具有下述结构(1)的化合物，所述化合物(B)为具有下述结构(2)的化合物或其盐，结构(1)结构(2)2.根据权利要求1所述的耐候性提高剂，其特征在于，含有化合物(A)和对一个磷原子至少键合一个羟基的化合物(B)，所述化合物(A)为由下述通式(1)和/或(2)表示的化合物，所述化合物(B)为选自植酸、由下述通式(3)、(4)、(5)、(6)表示的所述化合物和它们的盐中的至少1种，通式(1)其中，通式(1)中，R1表示氢原子、碳原子数1～8的烷基或具有碳原子数1～3的烷基的(二)羧基烷基，通式(2)其中，通式(2)中，R2表示氢原子、碳原子数1～8的烷基或具有碳原子数1～3的烷基的(二)羧基烷基，通式(3)其中，通式(3)中，R3和R4表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、烯基、芳基、羟基芳基或烷氧基芳基，可以相同或不同，通式(4)其中，通式(4)中，R5表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、乙烯基、芳基、芳基烯基、羟基芳基、烷氧基芳基或羧基烷基，R6表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、全氟烷基、芳基、羟基芳基、烷氧基芳基或羧基芳基，通式(5)其中，通式(5)中，R7和R8表示氢原子、烷基部分为碳原子数1～8的烷基、芳基烷基、羟基烷基、烷氧基烷基、羧基烷基、氨基烷基、芳基、羟基芳基、烷氧基芳基、羧基芳基或(甲基)丙烯酰氧烷基，可以相同或不同，通式(6)其中，通式(6)中，R9表示氢原子或羟基，R10表示氢原子、碳原子数1～5的烷基或氨基烷基，n表示1～12。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川俊之，
申请(专利权)人：星光PMC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP