包含纳米尺寸发光物质的组合物制造技术

本发明专利技术涉及包含纳米尺寸发光物质的组合物及制备所述组合物的方法。本发明专利技术进一步涉及发光介质、发光装置，本发明专利技术再进一步涉及制备组合物的方法及制备发光介质的方法。

Compositions containing nano-sized luminescent materials

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含纳米尺寸发光物质的组合物专利
本专利技术涉及包含纳米尺寸发光物质的组合物及制备所述组合物的方法。本专利技术进一步涉及发光介质、发光装置，本专利技术再进一步涉及制备组合物的方法及制备发光介质的方法。
技术介绍
包含纳米尺寸发光物质的组合物在现有技术中已知。举例而言，如US2008/0277626A1、US8765014B2中所述。专利文献1.US2008/0277626A12.US8765014B2非专利文献无专利技术概述然而，本专利技术人最近已发现仍存在一个或多个相当大的问题，为此期望如下文所列示的改进。1.期望包含纳米尺寸发光物质及基质物质的新颖组合物，其在干燥所述组合物后提供改进的均匀发光层或发光图案。2.需要包含纳米尺寸发光物质及基质物质的新颖组合物，其可防止或减少在印刷或干燥所述组合物时纳米尺寸发光物质向印刷图案边缘移动的现象。3.还期望包含纳米尺寸发光物质及基质物质的新颖组合物，其能够使印刷光滑。4.仍然需要改进包含纳米尺寸发光物质及基质物质的新颖组合物，其使所述纳米尺寸发光物质能够更好分散在所述组合物中。5.需要制备包括基质物质及纳米尺寸发光物质的发光图案的简单制作方法。本专利技术人旨在解决上文1至5所指示问题中的一个或多个。令人惊讶的是，本专利技术人已发现包含至少沸点为150℃或更高的第一有机溶剂、基质物质及纳米尺寸发光物质、基本上由其组成、或由其组成的新颖组合物，其中基质物质是聚合物，优选地聚合物是透明聚合物，解决上文所提及问题1至5中的一个或多个。优选地，所述混合物同时解决所有问题1至5。在另一方面中，本专利技术还涉及制备组合物的方法，其中该方法包括至少以下步骤(a)，(a)将沸点为150℃或更高的第一有机溶剂、基质物质及纳米尺寸发光物质混合，其中基质物质是聚合物，优选地聚合物是透明聚合物。在另一方面中，本专利技术进一步涉及制备发光介质的方法，其中该方法按以下顺序包括至少以下步骤(A)及(B)，(A)将根据权利要求1至10中一项或多项的组合物提供至基板上，(B)从组合物去除第一有机溶剂。在另一方面中，本专利技术涉及包含至少透明基板的发光介质，该透明基板包括填充有透明聚合物及纳米尺寸发光物质的像素阵列，该发光物质可由制备发光介质的方法获得。在另一方面中，本专利技术进一步涉及包含光学介质的光学装置。由下列详细说明将明了本专利技术的其他优点。附图说明图1：显示印刷组合物1的干燥图案。图2：显示印刷组合物3的干燥图案。具体实施方式根据本专利技术，所述组合物包含至少沸点为150℃或更高的第一有机溶剂、基质物质及纳米尺寸发光物质、基本上由其组成、或由其组成，其中基质物质是聚合物，优选地聚合物是透明聚合物。根据本专利技术，溶剂的沸点是利用来自TitanTechnologies的DosaTherm测量。在本专利技术的一些实施方式中，组合物的绝对粘度可在1mPa.s至20mPa.s的范围内。本专利技术组合物及溶剂的粘度是利用来自SEKONIC的测量。在本专利技术的优选实施方式中，组合物包含多种纳米尺寸发光物质。在本专利技术的优选实施方式中，其在3mPa.s至15mPa.s的范围内以实现更好的印刷。在本专利技术的一些实施方式中，组合物的液体表面张力可在10mN/m至60mN/m的范围内。根据本专利技术，表面张力测量可使用来自KyowaInterfaceScienceCo.,Ltd的利用悬滴法来实施。在本专利技术的优选实施方式中，组合物的液体表面张力在20mN/m至50mN/m的范围内。-纳米尺寸发光物质根据本专利技术，作为纳米尺寸发光物质，可视需要使用众多种公知的纳米尺寸发光物质。本专利技术纳米尺寸发光物质的形状类型并无特别限制。可以此方式使用任何类型的纳米尺寸发光物质，例如球形、细长形、星形、多面体形半导体纳米晶体。根据本专利技术，术语“纳米”意指尺寸介于1nm与999nm之间。因此，根据本专利技术，术语“纳米尺寸发光物质”意指总体直径(overalldiameter)的尺寸在1nm至999nm范围内的发光物质。且在纳米尺寸发光物质具有非球形形状(例如，细长形)的情形下，纳米尺寸发光物质整体结构的长度在1nm至999nm的范围内。根据本专利技术，术语“量子尺寸”意指可显示量子局限效应的无配体或另一表面改性的半导体物质自身的尺寸，如例如ISBN:978-3-662-44822-9中所阐述。通常，量子尺寸物质(例如量子点物质及量子棒物质)可因“量子局限”效应而发射可调谐、鲜明(sharp)且亮丽(vivid)色彩的光。因此，在本专利技术的优选实施方式中，纳米尺寸发光物质是量子尺寸物质。在本专利技术的优选实施方式中，量子尺寸物质的整体结构长度为1nm至100nm。更优选地，其为2nm至20nm，甚至更优选地，其在3nm至10nm的范围内。在本专利技术的优选实施方式中，纳米尺寸发光物质包含II-VI、III-V、IV-VI半导体及这些中任意的组合。在纳米尺寸发光物质不具有任何核/壳结构的情形下，半导体纳米晶体优选可选自由以下组成的组：InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnTe、ZnO、InPZnS、InPZn、Cu2(ZnSn)S4。在本专利技术的优选实施方式中，纳米尺寸发光物质包含核/壳结构。根据本专利技术，术语“核/壳结构”意指具有核部分及至少一个覆盖所述核的壳部分的结构。在本专利技术的一些实施方式中，所述核/壳结构可以是核/一壳层结构、核/双壳结构或核/多壳结构。根据本专利技术，术语“多壳”代表由三个或更多个壳层组成的堆叠壳层。双壳和/或多壳的每一堆叠壳层均可由相同或不同物质制得。更优选地，纳米尺寸发光物质(120)的核选自由以下组成的组：Cds、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnTe、ZnO、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgSe、HgTe、InAs、InP、InPZnS、InPZn、InSb、AlAs、AlP、AlSb、Cu2S、Cu2Se、CuInS2、CuInSe2、Cu2(ZnSn)S4、Cu2(InGa)S4、TiO2合金及这些中任意的组合。在本专利技术的优选实施方式中，所述壳选自由以下组成的组：II-VI、III-V或IV-VI半导体。举例而言，对于红光发射用途而言，优选可使用CdSe/CdS、CdSeS/CdZnS、CdSeS/CdS/ZnS、ZnSe/CdS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS、InPZn/ZnS、InPZn/ZnSe/ZnS点或棒、ZnSe/CdS、ZnSe/ZnS或这些中任意的组合。举例而言，对于绿光发射用途而言，优选可使用CdSe/CdS、CdSeS/CdZnS、CdSeS/CdS/ZnS、ZnSe/CdS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS、InPZn/ZnS、InPZn/ZnSe/ZnS、ZnSe/CdS、ZnSe/ZnS或这些中任意的组合。且对于蓝光发射用途而言，可使用例如ZnSe、ZnS、ZnSe/ZnS或这些中任意的组合。作为量子点，优选可视需要使用公开可用的量子点，例如来自Sigma-Aldrich的CdSeS/ZnS合金化的量子点产品号753793、753777、753785、753807、753750、7本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.组合物，其包含沸点为150℃或更高的第一有机溶剂、基质物质及纳米尺寸发光物质，其中该基质物质是聚合物，优选地该聚合物是透明聚合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.28 EP 16200961.71.组合物，其包含沸点为150℃或更高的第一有机溶剂、基质物质及纳米尺寸发光物质，其中该基质物质是聚合物，优选地该聚合物是透明聚合物。2.根据权利要求1的组合物，其中该组合物的绝对粘度在1mPa.s至20mPa.s的范围内。3.根据权利要求1或2的组合物，其中该组合物的液体表面张力在10mN/m至60mN/m的范围内。4.根据权利要求1至3中一项或多项的组合物，其中该聚合物的分子量在10,000-150,000的范围内。5.根据权利要求1至4中一项或多项的组合物，其中该聚合物选自一个或多个由以下组成的组的成员：环烯烃共聚物、聚乙烯醇、聚丙烯腈及乙烯-乙烯醇。6.根据权利要求1至5中一项或多项的组合物，其中该聚合物是环烯烃共聚物。7.根据权利要求1至6中一项或多项的组合物，其中该第一有机溶剂选自一个或多个由以下组成的组的成员：具有9-25个碳原子的烷基链及具有10-25个碳原子的烯基链、乙二醇、三乙二醇、甘油、乙酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亚砜、三甲基苯，例如，1,3,5-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、1,2,3-三甲基苯、十二烷基苯、环己基苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,2,3,5-四甲基苯、3-异丙基联苯、3-甲基联苯、4-甲基联苯、...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川雅树，松田宪之，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE