【技术实现步骤摘要】
提高钙钛矿器件稳定性的方法
本专利技术涉及的是一种光电材料领域的技术，具体是一种通过物理调控提高钙钛矿太阳电池及其他器件稳定性的方法。
技术介绍
近年来，新型有机—无机杂化钙钛矿材料，以卤化胺铅盐如CH3NH3PbI3等为代表，以其优异的光电转换性能、载流子导电性以及易制备性得到迅猛的发展并产生了很多引人瞩目的研究成果，且钙钛矿太阳电池效率在几年内得到了飞速发展。然而，其材料稳定性(钙钛矿会在水氧作用下分解)仍然是制约钙钛矿器件实用性的一个至关重要的因素。而目前提高稳定性的方法主要通过化学掺杂或附加功能结构层等，而这往往又提高了制备过程的复杂性，与电池制备工艺的实用性和降低成本形成了矛盾。研究发现，温度梯度的存在可明显降低钙钛矿稳定性，并且在实际应用中光照导致的温度梯度存在则是不可避免的因素，甚至在封装完好的情况下仍然可以造成影响。
技术实现思路
本专利技术针对现有化学掺杂等方法等在复杂性、可控性等等方面的缺点，提出一种提高钙钛矿器件稳定性的方法，能够大幅度提高钙钛矿电池稳定性，制造更实用化的太阳电池等光电器件。本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术通过在含有...
【技术保护点】
1.一种提高钙钛矿器件稳定性的方法，其特征在于，通过在含有钙钛矿薄膜的光电器件中设置金属热反射层，通过降低温度梯度以减少其导致的离子迁移过程，从而提高钙钛矿器件的稳定性；所述的金属热反射层设置于与光电器件中与光入射面相对的一侧。
【技术特征摘要】
1.一种提高钙钛矿器件稳定性的方法，其特征在于，通过在含有钙钛矿薄膜的光电器件中设置金属热反射层，通过降低温度梯度以减少其导致的离子迁移过程，从而提高钙钛矿器件的稳定性；所述的金属热反射层设置于与光电器件中与光入射面相对的一侧。2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的钙钛矿薄膜为CH3NH3PbI3或CH(NH2)2PbI3，该薄膜通过在导电层上采用旋涂法制备得到。3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的光电器件为n-i-p结构钙钛矿太阳电池或p-i-n结构钙钛矿太阳电池。4.一种含有钙钛矿薄膜的高稳定性光电器件，其特征在于，为n-i-p结构钙钛矿太阳电池，其结构依次包括：导电层、电子传导层、钙钛矿薄膜、空穴传导层、上电极，或p-i-n结构钙钛矿太阳电池，其结构依次包括：导电层、空穴传导层、钙钛矿薄膜、电子传导层、上电极，其中：n-i-p结构钙钛矿太阳电池的钙钛矿薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洪，沈文忠，王新伟，李正平，王鑫，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海,31
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