【技术实现步骤摘要】
用于并联双侧冷却功率模块的温度感测与故障检测
本专利技术总体上涉及电子系统和方法,并且在具体实施例中,涉及用于并联双侧冷却(DSC)功率模块的温度感测和故障检测系统。
技术介绍
晶体管器件被广泛用作各种不同应用(诸如工业、汽车和消费者应用)中的电子开关。例如,这些应用可以包括功率转换、电机驱动、感应加热或照明系统。功率晶体管通常通过承载相对较高的电流和/或阻断高压来切换相对较高的功率。因此,热量通常由功率晶体管产生。由于功率晶体管通常具有最高操作温度,所以较差的散热会限制功率晶体管的性能和可承载的最大功率量。因此,功率晶体管通常具有可夹至散热器来加强冷却的封装。一些功率晶体管可以使用具有双侧冷却(DSC)的封装。DSC功率晶体管是在晶体管封装的两个表面处具有低热阻的晶体管。因此,诸如散热器的散热部件可附接至晶体管封装的每个低热阻表面以加强冷却。因此,使用DSC的功率晶体管通常允许功率密度的增加。具有多于一个功率晶体管的电气部件也可以与DSC封装在功率模块中。例如,具有半桥的功率模块可以使用具有DSC的封装来实现。功率模块可以包括一个或多个功率部件,诸如一个或多个功率晶体管以及用于自由旋转感应开关负载的反并联二极管。一些应用使用并联的多个功率模块,以便支持更高的功率需求。功率模块可以利用DSC实现,DSC可以称为DSC功率模块。
技术实现思路
根据一个实施例,一种方法包括:监控以双侧冷却(DSC)功率模块的堆叠布置的多个DSC功率模块中的两个DSC功率模块之间的温度差;将温度差与第一温度阈值进行比较;当温度差高于第一温度阈值时,检测冷却管道系统堵塞;以及在检测冷 ...
【技术保护点】
1.一种方法,包括:监控以双侧冷却DSC功率模块的堆叠布置的多个DSC功率模块中的两个DSC功率模块之间的温度差,所述多个DSC功率模块中的每个DSC功率模块均与冷却管道系统的多个冷却通道中的一个或多个冷却通道热耦合,并且所述两个DSC功率模块与所述多个冷却通道中的相同冷却通道热耦合;将所述温度差与第一温度阈值进行比较;当所述温度差高于所述第一温度阈值时,检测冷却管道系统堵塞;以及在检测到所述冷却管道系统堵塞之后,禁用耦合至所述多个DSC功率模块的栅极驱动电路或者在低功率模式下操作所述DSC功率模块。
【技术特征摘要】
2018.01.15 US 15/871,6611.一种方法,包括:监控以双侧冷却DSC功率模块的堆叠布置的多个DSC功率模块中的两个DSC功率模块之间的温度差,所述多个DSC功率模块中的每个DSC功率模块均与冷却管道系统的多个冷却通道中的一个或多个冷却通道热耦合,并且所述两个DSC功率模块与所述多个冷却通道中的相同冷却通道热耦合;将所述温度差与第一温度阈值进行比较;当所述温度差高于所述第一温度阈值时,检测冷却管道系统堵塞;以及在检测到所述冷却管道系统堵塞之后,禁用耦合至所述多个DSC功率模块的栅极驱动电路或者在低功率模式下操作所述DSC功率模块。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:监控所述多个DSC功率模块中的一个或多个DSC功率模块的绝对温度,其中检测所述冷却管道系统堵塞包括:当一个或多个所述绝对温度中的至少一个绝对温度高于第二温度阈值时,检测所述冷却管道系统堵塞。3.根据权利要求1所述的方法,还包括:监控所述多个DSC功率模块中的一个或多个DSC功率模块的绝对温度;将被监控的绝对温度进行平均,以产生平均温度;以及将所述平均温度与第二温度阈值进行比较,其中检测所述冷却管道系统堵塞包括:当所述平均温度高于所述第二温度阈值时,检测所述冷却管道系统堵塞。4.根据权利要求1所述的方法,还包括:将所述温度差与第三温度阈值进行比较;以及当所述温度差高于所述第三温度阈值且低于所述第一温度阈值时,设置警告标志。5.根据权利要求1所述的方法,还包括:通过导通所述DSC功率模块的所有低侧开关并关断所述DSC功率模块的所有高侧开关,在低功率模式下操作所述DSC功率模块。6.根据权利要求1所述的方法,其中:监控所述两个DSC功率模块之间的所述温度差包括:监控所述DSC功率模块的堆叠中的第一堆叠的两个相邻DSC功率模块之间的温度差;以及所述方法还包括:监控所述DSC功率模块的堆叠中的第二堆叠的两个相邻DSC功率模块之间的第二温度差,其中在所述第二堆叠中选择所述第二堆叠的两个相邻DSC功率模块,使得所述第二堆叠的两个相邻DSC功率模块沿着所述第一堆叠和所述第二堆叠的堆叠方向相对于所述第一堆叠的两个相邻DSC功率模块偏移。7.一种电路,包括:栅极驱动电路,被配置为耦合至多个半桥,每个半桥均被封装在双侧冷却DSC封装中;模数转换器ADC电路,具有被配置为耦合至第一温度传感器的第一输入以及被配置为耦合至第二温度传感器的第二输入,所述第一温度传感器热耦合至所述多个半桥中的第一半桥,所述第二温度传感器热耦合至所述多个半桥中的第二半桥;以及控制器,被配置为:基于所述ADC电路的所述第一输入和所述第二输入处的输入信号来确定温度差,并且当所述温度差高于第一温度阈值时,禁用所述栅极驱动电路或者激活系统安全状态操作。8.根据权利要求7所述的电路,其中所述栅极驱动电路和所述ADC电路被设置在相同的单片半导体衬底中。9.根据权利要求7所述的电路,还包括所述多个半桥,其中所述多个半桥中的每个半桥均具有温度传感器,并且其中每个半桥和相应的温度传感器被设置在相同的单片半导体衬底中。10.根据权利要求9所述的电路,其中每个温度传感器均包括二极管,并且所述电路还包括被配置为耦合至所述第一温度传感器和所述第二温度传感器的相应二极管的第一电流源和第二电流源。11.根据权利要求7所述的电路,其中所述多个半桥被布置为多个堆叠...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·M·赖特尔,T·勒韦,I·尤,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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