IGBT模块测温电路、测温方法及计算机可读存储介质技术

本发明专利技术提供了一种IGBT模块测温电路、测温方法及计算机可读存储介质，其中电路部分包括比较器U1、电源端口Vcc、电容C1、第一MOSFET管Q1以及参考电阻；所述电源端口Vcc分别与第一节点、比较器U1的反向输入端电连接；所述电源端口Vcc还与比较器U1的电源端电连接；除与电源端口Vcc电连接外，所述第一节点还分别与比较器U1的同向输入端、电容C1、第一MOSFET管Q1的源极电连接；所述第一MOSFET管Q1的漏极与信号地电连接；所述第一MOSFET管Q1的栅极与比较器U1的输出端电连接；所述电容C1一端与第一节点电连接，另一端与信号地电连接；所述比较器U1的接地端与信号地电连接；所述参考电阻设置在所述IGBT模块测温电路的设定位置。

IGBT Module Temperature Measurement Circuit, Temperature Measurement Method and Computer Readable Storage Media

【技术实现步骤摘要】
IGBT模块测温电路、测温方法及计算机可读存储介质
本专利技术涉及IGBT模块温度测量
，具体地，涉及一种IGBT模块测温电路、测温方法及计算机可读存储介质，尤其涉及一种用于检测IGBT模块内部NTC电阻温度的IGBT模块测温电路、测温方法及计算机可读存储介质。
技术介绍
在当今对供电质量要求日益严格的大背景下，用户对电力电子设备的可靠性要求也日益提高。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)模块是目前大功率电力电子设备采用的主流开关器件，也是大功率电力电子设备中最重要的元件，它的可靠性是大功率电力电子设备可靠性的重要保证，所以，提高它的可靠性成为提高大功率电力电子设备可靠性的首要途径。IGBT模块失效的主要原因有3：过压；过流；过温。由于电压和电流是电力电子设备必须要采集的信号，所以，过压或过流可以通过软件或硬件电路来预防。因此，过温成为IGBT模块失效的主要原因。防止IGBT模块过温的瓶颈在于如何实时、准确的获得IGBT模块内部管芯的温度，IGBT模块内部靠近管芯的地方通常都会放置NTC测温电阻，此电阻和IGBT管芯的温差本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT模块测温电路，其特征在于，包括比较器U1、电源端口Vcc、电容C1、第一MOSFET管Q1以及参考电阻；所述电源端口Vcc分别与第一节点、比较器U1的反向输入端电连接；所述电源端口Vcc还与比较器U1的电源端电连接；除与电源端口Vcc电连接外，所述第一节点还分别与比较器U1的同向输入端、电容C1、第一MOSFET管Q1的源极电连接；所述第一MOSFET管Q1的漏极与信号地电连接；所述第一MOSFET管Q1的栅极与比较器U1的输出端电连接；所述电容C1一端与第一节点电连接，另一端与信号地电连接；所述比较器U1的接地端与信号地电连接；所述参考电阻设置在所述IGBT模块测温电路的设定...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块测温电路，其特征在于，包括比较器U1、电源端口Vcc、电容C1、第一MOSFET管Q1以及参考电阻；所述电源端口Vcc分别与第一节点、比较器U1的反向输入端电连接；所述电源端口Vcc还与比较器U1的电源端电连接；除与电源端口Vcc电连接外，所述第一节点还分别与比较器U1的同向输入端、电容C1、第一MOSFET管Q1的源极电连接；所述第一MOSFET管Q1的漏极与信号地电连接；所述第一MOSFET管Q1的栅极与比较器U1的输出端电连接；所述电容C1一端与第一节点电连接，另一端与信号地电连接；所述比较器U1的接地端与信号地电连接；所述参考电阻设置在所述IGBT模块测温电路的设定位置。2.根据权利要求1所述的IGBT模块测温电路，其特征在于，所述IGBT模块测温电路还包括IGBT模块待测温元件；所述IGBT模块待测温元件设置在电源端口Vcc和第一节点之间，包括热敏电阻。3.根据权利要求2所述的IGBT模块测温电路，其特征在于，所述第一节点和比较器U1的同向输入端之间还设置有第二节点；所述参考电阻包括标准电阻Rref；所述标准电阻Rref设置在第一节点与第二节点之间；所述电容C1一端依次通过第二节点、标准电阻Rref与第一节点电连接，另一端与信号地电连接。4.根据权利要求3所述的IGBT模块测温电路，其特征在于，所述参考电阻还包括第四电阻R4；所述比较器U1的输出端还通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金虹，刘俊杰，
申请(专利权)人：上海希形科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31