光存储介质制造技术

光存储介质，用一光束（６）可从它读出信息和／或可把信息记录在其内，所述光存储介质包括一个或更多部分（１），它带有光束（６）入射到基本部分（１）的一个侧面，一层或更多信息存储层（３），至少一层光透射覆盖薄膜（５）和一层或更多光透射粘合层（４），后者把所述覆盖薄膜（５）彼此粘结，粘结到有光束（６）入射的基本部分（１）的表面（２）和／或粘结到一层或更多信息存储层（３），所述覆盖薄膜（５）是挤压的，并在２００℃分别在所述光束（６）的波长或波长谱呈现小于０．００１的垂直双折射率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光存储介质，具体地说，涉及数字视频可记录圆片(DVR)，用光束可以该圆片读出信息和/或把信息记录到该圆片，所述光存储介质包括至少一个基本部分，光束入射到正对基本元件一侧面，一个或更多可读和/或可记录信息的存储层和一个或更多光透射覆盖薄膜。本专利技术还涉及光存储介质的制造方法，而具体地地说涉及数字视频可记录圆片(DVR)。
技术介绍
DVR圆盘呈现出高存储容量，这使得这种圆盘可用于数字记录和存储。已描述过DVR圆盘典型的构造和格式，例如参见EP 0,729,141、EP0,867,873和EP 0,874,362。DVR通常包括圆盘形基底或在一或两个主表面上呈现包括纹间表面和沟槽的信息存储层的基本部分。DVR圆盘还包括涂敷在信息存储层的光透射覆盖层。在1999年4月22日提交的本申请EP 99107975号未审批的专利申请中揭示了相对于线性偏振光的光存储介质的传递系数，尤其是DVRs，可采用本质上是光各向同性的光透射覆盖薄膜来改善，而更佳的是，在每个例子中至少在20℃和至少分别在入射光束的波长或波长光语呈现出小于0.001的垂直双折射率。EP 99107957.7揭示了具有低的或非常低的垂直双折射率值的光透射覆盖薄膜，可用包括溶剂浇铸和聚合浇铸技术的浇铸方法来获得，而又指出挤压成形的聚合物薄层一般是不在诸如DVRs的光存储介质中用作光透射覆盖薄膜的。但是，溶剂浇剂技术在浇铸过程中需要大量的诸如亚甲氧化物溶剂来溶解光透射覆盖薄膜的聚合物。该溶剂在生产中需蒸发并回吸再利用，这就需要昂贵的设备和高能耗成本，聚合浇铸技术需要用至少一层分离垫料，这从经济观点来看是不利的。所以，本专利技术的一个目的就是要提供诸如DVRs等光存储介质之用的光透射覆盖薄膜的替换制备方法，当制备光透射覆盖薄膜时这方法不会显现在现有技术中所遇到的缺点和不足或只有较低程度上显现出这种缺点和不足。本专利技术的另一目的是提供包括由这种较佳方法得到的包含光透射薄膜的存储介质，诸如DVR等。从所附详细说明可清楚了解本专利技术的其它目的。专利技术概要本专利技术涉及光存储介质，用一光束(6)可从它读出信息和/或可以把信号存储其内，所述光存储介质包括一个或更多基本元件(1)，光线入射到正对基本元件(1)的一侧面，一层或更多信息存储层(3)，只少一层光透射覆盖薄膜(5)和一层或更多光透射粘合层(4)后者把所述覆盖薄膜(5)彼此粘结，粘结到光束(6)入射到的基本部分(1)的表面(2)，或粘结到一层或更多信息存储层(3)，所述覆盖薄膜(5)是被挤压的并在20℃至少分别在所述光束(6)的波长或波长谱显现出小于0.001的垂直双折射率。本专利技术还涉及根据权利要求1～10所述制备任一光记录介质的较佳制备方法，包括(1)提供至少一个至少光束(6)入射的基本部分(1)表面(2)，所述表面可选择地包括具有信号存储层(3)的坑结构，(2)提供多层薄膜(12)，它按给出的次序包括可分离保护薄膜(7)，光透射覆盖薄膜(5)，它的内表面可选择地包括带有信息存储层(3)的坑结构，光透射压力灵敏粘合层(4)和分离垫料层(8)，可选择地还包括在光透射覆盖薄膜(5)和压力灵敏粘合薄膜(4)彼此粘合起来，其中所述覆盖薄膜(5，5’)显现出在20℃、至少分别在所述光束(6)的波长或彼长谱显现出小于0.001的垂直双折射率，且其中至少一层所述覆盖薄膜(5，5’)是挤压的，(3)移去所述分离垫料层(8)以及(4)把多层薄膜12层压到在基本元件(1)表面上(2)的信息存储层(3)的表面(2)上。本专利技术还涉及在光存储介质中一层或更多挤压光透射覆盖薄膜(5)的用途，所述覆盖薄膜在20℃分别在用于读出或存入到所述光存储介质的光束(6)的波长或波长谱显现小于0.001的垂直双折射率，所述光存储介质包括一个或更多光束(6)入射到的基本部分(1)，一层或更多信息存储层(3)，至少一层光透射覆盖薄膜(5)和一层或更多光透射粘合层(4)，它把所述覆盖薄膜(5)彼此粘结起来，粘结到光束(6)入射到的基本部分(1)的表面(2)和/或粘结到一层或更多信息存储层(3)。附图简述附图说明图1a用示意图示出根据本专利技术的光记录介质的具体实施例，包括基本部分1，它的光束6入射的表面(2)，它包括形成部分信息存储层3的纹间表面和沟槽，所述光存储介质还包括用压力灵敏粘合层4粘结到信息存储层3的挤压光透射覆盖薄膜5。图1b用示意图示出了根据本专利技术光记录介质另一具体实施例，包括基本部分1，表面2，后者包括形成部分第一信息存储层3a的纹间表面和沟槽结构，所述光存储介质还包括光束6入射在其上的挤压光透射覆盖薄膜5，表面9包括形成第二信息存储层3b的纹间表面和沟槽的结构，该第二信息存储层3b用压力灵敏粘合层4粘结到信息存储层3a。图2用示意图示出在两个滚筒50，51间的第一层叠材料的层叠，它包括可分离的防护薄膜7和挤压到第二层叠材料的挤压光透射覆盖薄膜5，这第二层叠材料包括光透射压力灵敏粘合层4和光滑分离垫料8，这样，压力灵敏粘合层4的曝露表面被粘附到挤压光透射覆盖薄膜5上。图3用示意图示出通过在滚筒52上拉出分离垫料8把它从层叠材料中去除面提供可粘结层叠材料12的情况，这层叠材料包括按给定次序可分离保护薄膜7，光透射挤压覆盖薄膜5和压力灵敏粘合层4，而这层叠材料12用空气抽空的办法把它固定在真空圆盘夹具上，接下来发生的模切产生具有中心孔10和外围11的圆盘形层叠材料，图中虽未示出模切工具但由箭头来表示。图4用示意图示出包括按给定次序的可分离防护薄膜7，挤压光透射覆盖薄膜5和曝露的光透射压力灵敏粘合层4，所述层叠材料具有中心孔10和外围11，并用空气抽空的办法把它固定在真空圆盘夹具53。图5用示意图示出真空粘结装置60，它具有上部真空室56和底部压力室58，通过泵浦55可将直空室抽真空而通过泵浦57或空气阀门则可使底部室分别为真空或常压或超压在上室中包括顶盘54和可移动底盘59，结合柔性密封垫61把上室56和底室58分开，底盘59包括带有可分离防护层7，挤压光透射覆盖薄膜5和压力灵敏粘合层4的模切层叠材料的真空圆盘夹具53，以及固定带有信息存储层3的基本部分1的顶盘54。应注意，这些图仅是图示的，尤其是不按比例作的图。在图1a中基本部分的厚度一般是挤压光透射覆盖薄膜5厚度为一个数量级大小不相上下或比它大得多，而沟槽的深度一般在5到50nm的范围，因此，与基本部分1的厚度相比是可以忽略的。
技术实现思路
在上文和下文中，术语“薄膜”和“薄膜”可互换使用，它指的是在X-Y平面上的广度大于(也就是说，至少例如3倍或更多)相对于Z方向的广度(也就是说，它的厚度)。本专利技术的光存储介质包括至少一个基本部分，光入射到基底的一侧面，一层或更多可以读出和/或可以记录的信息存储层，至少一层光透射压力灵敏粘合层和至少一层挤压光透射覆盖薄膜。图1A示出根据本专利技术光存储介质的具体实施例用图示代表的一个例子，它包括基本部分1，其在受到光束6入射一侧的在表面上2上显现出形成部分信息存储层3的纹间表面和沟槽结构。信号存储层3支承着在其上粘结着光透射覆盖薄膜5的压力灵敏粘合层4。对本专利技术有用的光存储介质更复杂的结构在，例如，EP 0,867,873中描述，通过引用把它结合在此。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光存储介质，用一光束（６）可从它读出信息和／或可把信息存储其内，其特征在于，所述光存储介质包括一个或更多基本部分（１），且光束（６）入射到基本部分（１）的一侧面，一层或更多信息存储层（３），至少一层光透射覆盖薄膜（５），以及一个或更多光透射粘合层（４）它其他所述覆盖薄膜（５）彼此粘结，粘结到由光束（６）入射到的基本部分（１）的表面（２）和／或一个或更多信息存储层（３），所述覆盖薄膜（５）在２０℃分别在所述光束（６）的波长或波长谱呈现出小于０．００１的垂直双折射率，且所述覆盖薄膜中的至少一层是挤压的。

【技术特征摘要】
EP 2000-10-24 00123082.01.一种光存储介质，用一光束(6)可从它读出信息和/或可把信息存储其内，其特征在于，所述光存储介质包括一个或更多基本部分(1)，且光束(6)入射到基本部分(1)的一侧面，一层或更多信息存储层(3)，至少一层光透射覆盖薄膜(5)，以及一个或更多光透射粘合层(4)它其他所述覆盖薄膜(5)彼此粘结，粘结到由光束(6)入射到的基本部分(1)的表面(2)和/或一个或更多信息存储层(3)，所述覆盖薄膜(5)在20℃分别在所述光束(6)的波长或波长谱呈现出小于0.001的垂直双折射率，且所述覆盖薄膜中的至少一层是挤压的。2.如权利要求1所述的光存储介质，其特征在于，所述粘合层(4)是压力灵敏粘合薄膜。3.如权利要求1和2所述的光存储介质，其特征在于，所述覆盖膜或几层薄膜(5)在20℃至少分别在所述光束(6)的波长或波长谱显现出小于±30nm的平面内光程差。4.如权利要求1-3所述的光存储介质，其特征在于，包括基本部分(1)，它的表面(2)含有坑结构，在这坑结构上形成信息存储层3。5.如权利要求1-4所述的光存储介质，其特征在于，包括用光透射粘合层(4)粘结到在基本部分(1)的表面(2)上的信息存储层(3)的一层光透射覆盖薄膜(5)。6.如权利要求1到5所述的光存储介质，其特征在于，光透射覆盖薄膜(5)的厚度从10μm到200μm。7.如权利要求2所述的光存储介质，其特征在于，光透射压力灵敏粘合层或几层(4)的厚度从5μm到100μm。8.如权利要求1-7所述的光存储介质，其特征在于，在光记录介质整个延伸上、在横越它的任选横截面上测量到的每层光透射覆盖薄膜(5)的厚度变化和/或由每层光透射覆盖薄膜(5)引入的光记录介质厚度变化不大于±3μm。9.如权利要求1-8所述的光存储介质，其特征在于，在光记录介质整个延伸上、在横越它的任选横截面上测量到的每层光透射粘合层(4)的厚度变化和/或由每层光透射粘合层(4)引入的光记录介质的...

【专利技术属性】
技术研发人员：WG舍佩尔，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]