半导体器件结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件结构及其制造方法，所述半导体器件结构包括：半导体基底；位于半导体基底上的金属线；位于金属线侧壁处的侧墙；以及依次覆盖半导体基底、侧墙和金属线顶部上的第一介质层和第二介质层。本发明专利技术可以实现在不增加金属线顶层上的钝化层的高度的情况下，增加位于金属层侧壁处的钝化层的厚度，用以提高钝化层对顶部金属层的支撑保护度，防止顶部金属线在后续的工艺中倒塌和/或缺失，以及提高半导体芯片的良品率。

Semiconductor Device Structure and Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体芯片制造领域，尤其是涉及一种半导体器件结构及其制造方法。
技术介绍
在半导体芯片制造过程中，器件表面的钝化和金属化是半导体制造工艺中必不可少的部分。器件金属化是应用化学或物理处理方法在器件上淀积导电金属薄膜的过程，为了降低位于器件上的顶部金属(TOPmetal)线的电阻，通常需要增加顶部金属线的厚度，所述顶部金属线的厚度≥4um。对半导体芯片的表面进行钝化可以减少器件氧化层中的各种电荷，增强半导体芯片对离子沾污的阻挡能力，保护半导体芯片内部器件的互连以及半导体芯片表面的电特性，防止半导体芯片器件受到机械损伤和化学损伤。对器件表面进行钝化即在所述半导体芯片表面沉积一覆盖所述顶部金属线的钝化层(passivationlayer)，在后续工艺中，需要对所述钝化层进行光刻，将需要连接引线的地方的钝化层刻蚀开，形成引线，但现有钝化层太薄，不能对顶部金属线提供足够的支撑，使得顶部金属线不牢固，在后续对半导体芯片进行减薄的过程中，部分顶部金属线会倒塌和/或缺失，从而降低器件良品率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，克服以上不足，提供一种可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的金属线；位于所述金属线侧壁处的侧墙；以及依次覆盖所述半导体基底、所述侧墙和所述金属线顶部上的第一介质层和第二介质层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的金属线；位于所述金属线侧壁处的侧墙；以及依次覆盖所述半导体基底、所述侧墙和所述金属线顶部上的第一介质层和第二介质层。2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述侧墙为二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中的一种组成的单层结构，或其任意组合组成的叠层结构。3.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一介质层的材料为二氧化硅。4.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二介质层的材料为氮化硅。5.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述金属线的材料为铝或者铝铜合金，所述金属线的厚度范围为4um～6um。6.如权利要求1或3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一介质层厚度范围为7.如权利要求1或4所述的半导体器件结...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建荣，许秀秀，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31