一种基于光致导电电极板的微电铸装置及其微电铸方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于光致导电电极板的微电铸装置，包括供电电源、与所述供电电源电连接的第一电极板、与所述供电电源电连接的第二电极板、位于所述第二电极板表面靠近所述第一电极板一侧的光致导电层、用于实现电铸反应的电铸液以及用于照射所述第二电极板的光源。相应的，本发明专利技术还提供基于微电铸装置的微电铸方法。本发明专利技术提供的基于光致导电电极板的微电铸装置，利用光致导电层受光照导电的特性，通过控制光源的形状及面积来控制电铸呈的面积及形状，省去了传统电铸加工的掩膜的制作，简化了加工过程，节约了生产成本。

A Microelectroforming Device Based on Photoconductive Electrode Plate and Its Microelectroforming Method

【技术实现步骤摘要】
一种基于光致导电电极板的微电铸装置及其微电铸方法
本专利技术涉及一种光致导电微电铸
，具体地，涉及一种基于光致导电电极板的微电铸装置及其微电铸方法。
技术介绍
随着MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)技术的广泛研究与发展，在继承传统电铸工艺技术特点的基础上，形成了一种非硅基微结构加工的重要技术——微电铸工艺。微电铸技术与传统电铸技术有着相同的工作原理和相似的工艺过程，但该技术用于制作微器件或者微结构，更多涉及的是微米级尺度问题，与传统大器件电铸有着显著的差别，且对于环境干扰有着较强的响应，广泛应用于航空、航天、精密机械、塑料模具、微电子等领域。现有的微电铸工艺主要有X光光刻技术、Over-plating电铸和Ni-PTFE复合电铸三种，其中X光光刻技术需要同步辐射光，深X射线光刻的成本很高，而且不易实现；由于微结构尺寸小且大高宽比，使得电铸要求非常严格，高精度高质量电铸微结构难以获得，并且X光光刻电铸加工过程繁琐，操作复杂。Over-plating微电铸加工微结构时电铸部分的交接处会出现不同情况的瑕疵，而且瑕疵会随着电铸结构的间距本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，包括供电电源、与所述供电电源电连接的第一电极板、与所述供电电源电连接的第二电极板、位于所述第二电极板表面靠近所述第一电极板一侧的光致导电层、用于实现电铸反应的电铸液以及用于照射所述第二电极板的光源；所述第二电极板为透明电极板，所述光源发出的光透过所述第二电极板照射在所述光致导电层的部分表面上，在所述光致导电层上形成绝缘区和导电区；其中，所述绝缘区为所述光致导电层上未被所述光源照射到的区域，所述导电区为所述光致导电层上被所述光源照射到的区域；通电后，电铸液中的金属离子被还原成金属原子，金属原子所述导电区的表面进行晶核的长大，形成微电铸结构。

【技术特征摘要】
1.一种基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，包括供电电源、与所述供电电源电连接的第一电极板、与所述供电电源电连接的第二电极板、位于所述第二电极板表面靠近所述第一电极板一侧的光致导电层、用于实现电铸反应的电铸液以及用于照射所述第二电极板的光源；所述第二电极板为透明电极板，所述光源发出的光透过所述第二电极板照射在所述光致导电层的部分表面上，在所述光致导电层上形成绝缘区和导电区；其中，所述绝缘区为所述光致导电层上未被所述光源照射到的区域，所述导电区为所述光致导电层上被所述光源照射到的区域；通电后，电铸液中的金属离子被还原成金属原子，金属原子所述导电区的表面进行晶核的长大，形成微电铸结构。2.如权利要求1所述的基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，所述光致导电层由金属光电材料或高分子光电材质制成。3.如权利要求1或2所述的基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，所述光致导电层由硒、氧化锌或硫化镉制成。4.如权利要求1所述的基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，所述第二电极板由导电玻璃或导电塑料制成。5.如权利要求1所述的基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，所述光源为脉冲光源，所述供电电源为直流电源。6.如权利要求1所述的基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，所述供电电源为脉冲电源。7.如权利要求1所述的基于光致导电电极板的微电铸装置，其特征在于，所述第一电极板...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓宇，岑腾飞，梁广洋，郭钟宁，谭蓉，
申请(专利权)人：广东工业大学，佛山市铬维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44