一种返工硅片处理装置制造方法及图纸

技术编号:21582588 阅读:33 留言:0更新日期:2019-07-10 19:32
本实用新型专利技术公开了一种返工硅片处理装置,属于太阳能电池加工技术领域。本实用新型专利技术提供的返工硅片处理装置包括制绒机和返工片清洗机,制绒机包括制绒机上料端、制绒机下料端以及位于制绒机上料端和制绒机下料端之间的第一酸洗槽;返工片清洗机包括返工片上料端、返工片下料端以及位于返工片上料端和返工片下料端之间的第一返工片酸洗槽,第一返工片酸洗槽被配置为能够接收第一酸洗槽排放的清洗液。上述的返工硅片处理装置能够使药液利用更充分、节约处理返工片的药液成本,对正常片的加工影响小,能够提升正常片的产能,更重要的是,可以避免正常片和返工片的处理槽交叉污染的问题,减少了返工片处理给制程带来的污染风险,适于推广使用。

A Processing Device for Reworked Silicon Wafers

【技术实现步骤摘要】
一种返工硅片处理装置
本技术涉及太阳能电池加工
,尤其涉及一种返工硅片处理装置。
技术介绍
降低电池片的成本和增加电池片的光电转换效率是光伏太阳能电池的发展方向。虽然电池片生产过程中,产生的低效和外观报废片所占比例不高(约2%),但长期积累下来,报废片的数量也是巨大的,造成很大的资源浪费。因而通过合理的返工流程将这些低效和外观不良的半成品电池还原成原始硅片,重新制作成合格电池,有着巨大的经济效益。太阳能电池的制作过程主要包括:制绒、扩散、刻蚀、背钝化、镀膜、激光、印刷和烧结。由于设备原因、人为原因或者其他原因,扩散工序的方阻不在规定范围内、扩散后硅片外观不良及未及时扩散造成的再制品;刻蚀工序的边缘电阻未达到要求或刻蚀面为N型、刻蚀清洗后外观不良及链式刻蚀清洗造成的叠片;背钝化工序和镀膜工序的钝化膜和减反射膜偏薄或者偏厚达不到工艺标准厚度、钝化膜和减反射膜造成的外观不良片;以及激光工序的偏移片等硅片称为失败片,也称为返工硅片。目前,返工硅片的返工工艺为:对制绒返工片只需要二次制绒即可,相对简单。对扩散、刻蚀背钝化、镀膜、激光的返工片需要通过酸溶液进行湿法浸泡,反应去除PSG或者氮化硅膜和氧化铝膜;再重新制绒、扩散、刻蚀、然后镀膜丝网烧结。目前返工品处理均为停止部分产线生产正常片,集中处理返工片,需要先使用槽式制绒机的酸洗槽,对扩散、刻蚀返工片进行去PSG处理;对P激光返工片进行去氮化硅膜及氧化铝膜处理,然后使用正常片生产线的尾液,令经过酸洗的返工片再经过槽式制绒机的预清洗槽、二次制绒,直至烘干无异常顺流下道工序。这种返工片的处理方式需要停止生产正常片的生产来处理返工片,挤压生产正常片的生产时间,容易造成产能漏失;且清洗返工片需要消耗大量的HF和HCL等药液;而且返工片与正常片共用酸洗槽,槽体交叉污染,易造成正常片的不良。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种能够提高产能、避免正常片和返工片的处理槽体交叉污染的返工硅片处理装置。为达此目的,本技术采用以下技术方案:一种返工硅片处理装置,包括:制绒机,其包括制绒机上料端、制绒机下料端以及位于所述制绒机上料端和所述制绒机下料端之间的第一酸洗槽;以及返工片清洗机,其包括返工片上料端、返工片下料端以及位于所述返工片上料端和所述返工片下料端之间的第一返工片酸洗槽,所述第一返工片酸洗槽被配置为能够接收所述第一酸洗槽排放的清洗液。进一步地,所述第一酸洗槽上设置有溢流口,所述第一返工片酸洗槽上设置有进液口,所述溢流口高于所述进液口且能够向所述进液口溢流。进一步地,所述溢流口和所述进液口通过溢流管连通。进一步地,所述第一酸洗槽和所述第一返工片酸洗槽处于相同的支撑面上,所述溢流口至所述支撑面的距离为h1,所述进液口至所述支撑面的距离为h2,h2:h1=3/4-4/5。进一步地,所述返工片清洗机还包括位于所述返工片上料端和所述第一返工片酸洗槽之间的第二返工片酸洗槽,所述第一返工片酸洗槽能够向所述第二返工片酸洗槽溢流。进一步地,所述第一返工片酸洗槽和所述第二返工片酸洗槽贴合设置且所述第一返工片酸洗槽和所述第二返工片酸洗槽之间设置有溢流板,所述溢流板的上端呈锯齿状,所述第二返工片酸洗槽的上端呈开口状。进一步地,所述第一返工片酸洗槽和所述返工片下料端之间依次设置有第一返工片水洗槽、返工片提拉槽和返工片烘干槽,所述第一返工片水洗槽和所述返工片提拉槽分别与净水源连通。进一步地,所述返工片清洗机还包括位于所述第一返工片酸洗槽和所述第一返工片水洗槽之间的第二返工片水洗槽,所述第一返工片水洗槽能够向所述第二返工片水洗槽溢流。进一步地,所述制绒机包括依次设置于所述制绒机上料端和所述第一酸洗槽之间的第一水洗槽、第一制绒槽、第二制绒槽、第二水洗槽、碱洗槽和第三水洗槽、以及依次设置于所述第一酸洗槽和所述制绒机下料端之间的第四水洗槽、第一提拉槽和第一烘干槽。进一步地,所述制绒机上料端和所述第一水洗槽之间设置有预清洗槽,所述第一酸洗槽和所述第四水洗槽之间设置有第五水洗槽,所述第二水洗槽、所述第三水洗槽和所述第四水洗槽分别与净水源连通,所述第四水洗槽能够向所述第五水洗槽溢流,所述第五水洗槽通过泵与所述第一水洗槽连通且能够向所述第一水洗槽泵送清洗水。本技术的有益效果如下:本技术中,返工片清洗机与制绒机为独立的结构,且返工片清洗机的酸洗槽能够接收制绒机的酸洗槽排放的高纯的HF和HCL以用于清洗返工片,药液利用更充分、节约处理返工片的药液成本,对正常片的加工影响小,能够提升总的产能,更重要的是,可以避免正常片和返工片的处理槽交叉污染的问题,减少了返工片处理给制程带来的污染风险,适于推广使用。附图说明图1是本技术具体实施方式提供的返工硅片处理装置的俯视图;图2是本技术具体实施方式提供的第一酸洗槽、第一返工片酸洗槽和第二返工片酸洗槽的结构示意图;图3是图2的主视图。附图标记:100、制绒机;200、返工片清洗机;300、溢流管;101、制绒机上料端;102、预清洗槽;103、第一水洗槽;104、第一制绒槽;105、第二制绒槽;106、第二水洗槽;107、碱洗槽;108、第三水洗槽;109、第一酸洗槽;110、第五水洗槽;111、第四水洗槽;112、第一提拉槽;113、第一烘干槽;114、制绒机下料端;1091、溢流口;201、返工片上料端;202、第二返工片酸洗槽;203、第一返工片酸洗槽;204、第二返工片水洗槽;205、第一返工片水洗槽;206、返工片提拉槽;207、返工片烘干槽;208、返工片下料端;2021、第一排液口;2031、进液口;2032、溢流板。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。本技术的具体实施方式提供了一种返工硅片处理装置,用于对不合格的硅片进行处理。如图1至图3所示,本具体实施方式提供的返工硅片处理装置包括制绒机100和返工片清洗机200,制绒机100可以但不局限为槽式制绒机,制绒机100包括制绒机上料端101、制绒机下料端114以及位于制绒机上料端101和制绒机下料端114之间的第一酸洗槽109,返工片清洗机200包括返工片上料端201、返工片下料端208以及位于返工片上料端201和返工片下料端208之间的第一返工片酸洗槽203,第一返工片酸洗槽203被配置为能够接收第一酸洗槽109排放的清洗液。可选地,第一酸洗槽109上设置有溢流口1091,第一返工片酸洗槽203上设置有进液口2031,溢流口1091高于进液口2031,进液口2031可以开设于第一返工片酸洗槽203的侧壁和/或上端,溢流口1091和进液口2031通过溢流管300连通。溢流口1091和进液口2031的具体高度不限,能够保证溢流口1091高于进液口2031即可,但优选地,第一酸洗槽109与第一返工片酸洗槽203处于同一支撑面上,溢流口1091至支撑面的距离为h1,进液口2031至支撑面的距离为h2,h2:h1=3/4-4/5,以保证溢流效果。本具体实施方式中,返工片清洗机200与制绒机100为独立的结构,且返工片清洗机200的酸洗槽能够接收制绒机100的酸洗槽排放的高纯的HF和HCL以用于清洗返工片,药液利用更充分、节约处理返工片的药本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种返工硅片处理装置,其特征在于,包括:制绒机(100),其包括制绒机上料端(101)、制绒机下料端(114)以及位于所述制绒机上料端(101)和所述制绒机下料端(114)之间的第一酸洗槽(109);以及返工片清洗机(200),其包括返工片上料端(201)、返工片下料端(208)以及位于所述返工片上料端(201)和所述返工片下料端(208)之间的第一返工片酸洗槽(203),所述第一返工片酸洗槽(203)被配置为能够接收所述第一酸洗槽(109)排放的清洗液。

【技术特征摘要】
1.一种返工硅片处理装置,其特征在于,包括:制绒机(100),其包括制绒机上料端(101)、制绒机下料端(114)以及位于所述制绒机上料端(101)和所述制绒机下料端(114)之间的第一酸洗槽(109);以及返工片清洗机(200),其包括返工片上料端(201)、返工片下料端(208)以及位于所述返工片上料端(201)和所述返工片下料端(208)之间的第一返工片酸洗槽(203),所述第一返工片酸洗槽(203)被配置为能够接收所述第一酸洗槽(109)排放的清洗液。2.根据权利要求1所述的返工硅片处理装置,其特征在于,所述第一酸洗槽(109)上设置有溢流口(1091),所述第一返工片酸洗槽(203)上设置有进液口(2031),所述溢流口(1091)高于所述进液口(2031)且能够向所述进液口(2031)溢流。3.根据权利要求2所述的返工硅片处理装置,其特征在于,所述溢流口(1091)和所述进液口(2031)通过溢流管(300)连通。4.根据权利要求2所述的返工硅片处理装置,其特征在于,所述第一酸洗槽(109)和所述第一返工片酸洗槽(203)处于同一支撑面上,所述溢流口(1091)至所述支撑面的距离为h1,所述进液口(2031)至所述支撑面的距离为h2,h2:h1=3/4-4/5。5.根据权利要求1所述的返工硅片处理装置,其特征在于,所述返工片清洗机(200)还包括位于所述返工片上料端(201)和所述第一返工片酸洗槽(203)之间的第二返工片酸洗槽(202),所述第一返工片酸洗槽(203)能够向所述第二返工片酸洗槽(202)溢流。6.根据权利要求5所述的返工硅片处理装置,其特征在于,所述第一返工片酸洗槽(203)和所述第二返工片酸洗槽(202)贴合设置且所述第一返工片酸洗槽(203)和所述第二返工片酸洗槽(202)之间设置有溢流...

【专利技术属性】
技术研发人员:易书令
申请(专利权)人:盐城阿特斯阳光能源科技有限公司阿特斯阳光电力集团有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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