【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】栅极驱动装置相关申请的相互参照本申请基于2016年11月25日提出的日本申请第2016-228956号和2017年5月24日提出的日本申请第2017-102621号,这里援引其记载内容。
本专利技术涉及栅极驱动装置。
技术介绍
作为栅极驱动型的半导体元件,例如在对IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)等的栅极进行驱动的栅极驱动装置中,有时采用做成将多个半导体功率元件并联连接的结构而向负载供电的结构。这是因为,在流过大电流的情况下,通过并联连接,能够降低半导体功率元件的导通电阻而降低导通电阻损耗。但是,将多个半导体功率元件并联连接而进行驱动会导致开关损耗与个数成比例地增大,特别是在集电极电压高的状态下进行开关时成为较大的损耗。因此,为了流过大电流而增设并联连接的半导体功率元件反倒存在增大损耗的不良情况。专利文献1:日本特开2012-249509号公报专利文献2:日本特开2005-6412号公报专利文献3:日本特开2014-230307号公报
技术实现思路
本专利技术是考虑上述情况而做出的,目的在于提供一种栅极驱动装置,能够在被施加高电压 ...
【技术保护点】
1.一种栅极驱动装置,对并联连接的栅极驱动型的多个半导体元件(1,2,21,22,23)进行驱动,其特征在于,上述多个半导体元件设有启动用的半导体元件(1,21)、和包含最终驱动用的半导体元件(2,23)的至少1个次级驱动用的半导体元件(2,22,23),该栅极驱动装置具备:电流检测电路(10,33,34),检测上述多个半导体元件中的除了上述最终驱动用的半导体元件以外的其余半导体元件的各自的电流;恒流电路(3,24),用于对上述启动用的半导体元件以恒流进行栅极驱动;切换开关(4,25),使上述恒流电路无效化而对上述次级驱动用的半导体元件及最终驱动用的半导体元件以恒压进行栅极 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.25 JP 2016-228956;2017.05.24 JP 2017-102621.一种栅极驱动装置,对并联连接的栅极驱动型的多个半导体元件(1,2,21,22,23)进行驱动,其特征在于,上述多个半导体元件设有启动用的半导体元件(1,21)、和包含最终驱动用的半导体元件(2,23)的至少1个次级驱动用的半导体元件(2,22,23),该栅极驱动装置具备:电流检测电路(10,33,34),检测上述多个半导体元件中的除了上述最终驱动用的半导体元件以外的其余半导体元件的各自的电流;恒流电路(3,24),用于对上述启动用的半导体元件以恒流进行栅极驱动;切换开关(4,25),使上述恒流电路无效化而对上述次级驱动用的半导体元件及最终驱动用的半导体元件以恒压进行栅极驱动;以及控制电路(9,32),将上述多个半导体元件进行驱动控制,上述控制电路构成为,在被从外部提供了导通动作的驱动信号的情况下,作为启动控制,通过上述恒流电路以恒流对上述启动用的半导体元件施加栅极信号而使其导通,作为次级驱动控制,当对导通了的上述半导体元件设置的上述电流检测电路所检测的电流达到所设定的阈值电流,则将上述切换开关设为动作状态,以恒压对断开状态的上述次级驱动用的半导体元件施加栅极信号而使其导通,之后,在断开状态的上述次级驱动用的半导体元件存在的情况下,反复执行上述次级驱动控制,上述阈值电流被设定成,使得当使上述多个半导体元件中的上述次级驱动用的半导体元件导通而流过了电流时,由导通状态的全部上述半导体元件产生的导通电阻损耗及开关损耗之和相比于实施上述次级驱动控制之前减少。2.如权利要求1所述的栅极驱动装置,其特征在于,在上述多个半导体元件(21,22,23)设有多个上述次级驱动用的半导体元件(22,23)的结构下,上述控制电路(32)构成为,能够变更使上述多个半导体元件中的除了上述最终驱动用的半导体元件(23)以外的次级驱动用的半导体元件(22)以及上述启动用的半导体元件(21)进行导通动作的顺序。3.如权利要求1所述的栅极驱动装置,其特征在于,上述电流检测电路(33,34,35)对于上述多个半导体元件(21,22,23)的全部而设置,上述控制电路(32)构成为,能够变更使上述多个半导体元件进行导通动作的顺序。4.如权利要求1~3中任一项所述的栅极驱动装置,其特征在于,上述控制电路(9,32),在使上述多个半导体元件(1,2,21,22,23)中的多个进行导通动作的状态下,使进行上述导通动作的多个半导体元件以不同的定时进行断开动作。5.如权利要求1~4中任一项所述的栅极驱动装置,其特征在于,上述控制电路(9,32),在使上述多个半导体元件(1,2,21,22,23)中的多个进行导通动作的状态下,在进行上述导通动作的多个半导体元件中,当上述电流检测电路检测的电流值低于预先设定的阈值电流时,使任一个半导体元件进行断开动作。6.如权利要求1~5中任...
【专利技术属性】
技术研发人员:松本大佑,千田康隆,道下雄介,
申请(专利权)人:株式会社电装,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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