【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于导管传感器的遮光罩相关申请的交叉引用本申请要求于2016年10月17日提交的美国申请号15/295,051的优先权并且是其部分继续申请。
技术介绍
压力传感器在过去几年中已经无处不在,因为它们已经进入到许多类型的产品中。在汽车、工业、消费品和医疗产品中使用,对压力传感器的需求飙升并且没有减弱的迹象。压力传感器系统可以包括压力传感器以及其他部件。压力传感器通常可以包括隔膜或膜。可以通过在硅晶片中形成惠斯通电桥、然后从相反表面上蚀刻掉硅直到在惠斯通电桥下方形成薄硅层来形成这种膜。所得到的膜可以被更厚的未蚀刻的硅水部分或框架包围。当压力传感器系统中的压力传感器经受压力时,膜可以做出形状改变反应。这种形状变化可能引起膜上的电子元件的一个或多个特性发生变化。可以测量这些变化的特性,并且可以根据这些测量结果来确定压力。在一些应用中,可能期望压力传感器具有特定的形状因子。例如,在许多应用中,可能重要的是压力传感器很小、或者具有薄的形状因子、或既很小又具有薄的形状因子。但是具有这些小形状因子的压力传感器可能难以组装成更大的部件。例如,这些压力传感器可能太小而不能与传统的半导体组装工具一起用于导线键合(wirebonding)或倒装芯片组装(flip-chipassebly)。缺乏这些用于将压力传感器电连接到其周围环境的成熟技术,器件制造商已经转向昂贵且费力的手工组装技术,其缺点在于成本、质量和良品率。因此,需要的是可以促进自动化组装过程和工具的使用的压力传感器以及相关结构。
技术实现思路
因此,本专利技术的实施例可以提供可以利于使用自动化组装工艺和工具的压力传感器及相关结构。本 ...
【技术保护点】
1.一种压力传感器系统,包括:压力传感器,所述压力传感器具有多个共面的焊盘;多根导线,每根导线在所述导线的至少一端具有外露部分;对准结构,所述对准结构用于使所述多根导线对准,使得所述外露部分之间的间隔与所述多个焊盘之间的间隔匹配,所述对准结构与所述压力传感器分离开;所述多个焊盘中的压力传感器焊盘与所述多根导线中的导线的外露部分之间的物理与电连接;以及在所连接的压力传感器焊盘和导线的外露部分上的封装材料,所述封装材料提供每个焊盘和导线与其他焊盘和导线的电与环境隔离。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.17 US 15/295,0511.一种压力传感器系统,包括:压力传感器,所述压力传感器具有多个共面的焊盘;多根导线,每根导线在所述导线的至少一端具有外露部分;对准结构,所述对准结构用于使所述多根导线对准,使得所述外露部分之间的间隔与所述多个焊盘之间的间隔匹配,所述对准结构与所述压力传感器分离开;所述多个焊盘中的压力传感器焊盘与所述多根导线中的导线的外露部分之间的物理与电连接;以及在所连接的压力传感器焊盘和导线的外露部分上的封装材料,所述封装材料提供每个焊盘和导线与其他焊盘和导线的电与环境隔离。2.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述导线的外露部分与所述焊盘之间的物理与电连接还包括焊接材料。3.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述导线的外露部分与所述焊盘之间的物理与电连接还包括所述导线的外露部分的在所述焊盘上方的一个或多个扁平焊接区域。4.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述对准结构包括线梳,所述线梳用于确保所述导线之间的间隔与所述多个焊盘之间的间隔匹配。5.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述对准结构包括所述导线之间的间隔物,所述间隔物用于确保所述导线之间的间隔与所述多个焊盘之间的间隔匹配。6.如权利要求5所述的压力传感器系统,其中,所述多个焊盘是不均匀间隔的,并且第一导线与第二导线之间的间隔物的宽度不同于所述第二导线与第三导线之间的间隔物的宽度以用于进行补偿。7.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述对准结构包括围绕每根导线的绝缘层,所述绝缘层具有的厚度确保所述导线之间的间隔与所述多个焊盘之间的间隔匹配。8.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述对准结构包括围绕所述多根导线的绝缘层,其中,所述导线被定位成确保所述导线之间的间隔与所述多个焊盘之间的间隔匹配。9.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述导线的外露部分包括涂有焊料层的导电金属。10.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述导线具有通过激光烧蚀而外露的外露部分。11.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述导线具有通过激光切割所切割的外露部分。12.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述封装材料通过紫外线辐射进行固化。13.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述封装材料通过加热进行固化。14.如权利要求1所述的压力传感器系统,其中,所述封装材料通过暴露于湿气进行固化。15.一种压力传感器系统,包括:压力...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·多林,S·C·特里,J·盖诺,O·阿贝德,F·阿尔法罗,
申请(专利权)人:硅微结构股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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