流量传感器制造技术

技术编号:25634206 阅读:42 留言:0更新日期:2020-09-15 21:27
具有外壳(110,410)的可靠的流量传感器(100),其具有可预测的热变化和减小的机械公差,用于更一致的流体流动和更一致的流量测量。通过在硅块(110,410)中使用蚀刻结构,可以使热变化可预测。使用光刻和高精度半导体制造设备和技术可以降低机械公差。

【技术实现步骤摘要】
流量传感器
本专利技术涉及流量传感器,其具有可预测的热变化和降低的机械公差,以实现更一致的流体流动和更一致的流量测量。
技术介绍
对小型、可靠的流量传感器有很大的需求。基于热传递概念的MEMS装置是一项商业上成功的技术。尽管在市场上取得了成功,但目前可用的设备具有相似的设计,因此具有一些相同的性能和制造缺陷。流量传感器可称为热线风速计(hot-wireanemometer),可由至少两个电阻组成。一个电阻器可以由难熔材料制成,当电流通过它时,它可以加热到可控的温度。第二电阻器可以是感测电阻器,并且可以是未加热的。可以驱动电流通过该感测电阻器,并测量所得电压以计算其电阻。当流量传感器工作时,难熔电阻器中的电流会导致难熔电阻器发热。当气体或其他流体流过难熔电阻器到达感测电阻器时,热量可以从难熔电阻器传递到感测电阻器。这会导致感测电阻器发热,进而导致感测电阻器的电阻发生变化。可以测量这种电阻的变化,并根据这种变化确定流量。流量传感器中气体或其他流体的流量可以部分取决于容纳流量传感器的外壳的形状和轮廓。但是这些外壳的尺寸和形状会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种流量传感器(100),包括:/n第一硅块(110),包括:/n顶表面和底表面,以及从顶表面延伸到底表面的通道(120);/n感测电阻器(130),其周向地位于顶表面中的开口周围,顶表面中的开口由通道(120)形成;和/n难熔电阻器(140),其周向地位于顶表面中的开口周围;和/n第二硅块(410),包括:/n引导气流经过第一硅块(110)的顶表面的通道(420)。/n

【技术特征摘要】
20190305 US 62/814,253;20200105 US 16/734,3591.一种流量传感器(100),包括:
第一硅块(110),包括:
顶表面和底表面,以及从顶表面延伸到底表面的通道(120);
感测电阻器(130),其周向地位于顶表面中的开口周围,顶表面中的开口由通道(120)形成;和
难熔电阻器(140),其周向地位于顶表面中的开口周围;和
第二硅块(410),包括:
引导气流经过第一硅块(110)的顶表面的通道(420)。


2.根据权利要求1所述的流量传感器(100),其中,所述难熔电阻器(140)是围绕所述感测电阻器(130)周向定位的多个难熔电阻器(140)中之一,并且所述感测电阻器(130)是多个感测电阻器(130)中之一。


3.根据权利要求2所述的流量传感器(100),其中所述难熔电阻器(140)和所述感测电阻器(130)是圆形的。


4.根据权利要求2所述的流量传感器(100),其中所述难熔电阻器(140)和所述感测电阻器(130)具有多边形...

【专利技术属性】
技术研发人员:O阿贝德G范斯普拉凯拉尔J盖诺
申请(专利权)人:硅微结构股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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