一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，该方法包括以下具体步骤：将加入有催化剂且粒径为2～7nm的贵金属量子点置于浓度为55％的酒精溶液中超声波分散20～40min后，滴加到金属氧化物半导体材料中，然后用研磨机研磨并搅拌，然后清洗并烘干至表面无残留物。本发明专利技术制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测，适用于环境或工业安全等领域的监测，完全可以满足这方面低浓度气体检测的精度要求，适合推广使用。

A Method for Improving Gas Sensitivity of Metal Oxide Semiconductor Materials

【技术实现步骤摘要】
一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法
本专利技术涉及半导体材料
，具体是一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法。
技术介绍
金属氧化物半导体气体传感器是一类研究时间较长、应用水平较高的传感器。它主要利用材料表面吸附气体后电阻值发生变化的原理来检测气体，电阻的变化从Ra(洁净空气中的电阻)开始，在测试气体中达到一个稳定的阻值Rg(检测气氛中的电阻)，切断被测气体后又恢复为Ra。半导体气体传感器通常使用烧结的多孔体、多晶半导体氧化物，如氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铜、氧化铁、氧化钨、氧化镍、氧化钛以及氧化亚铜等。但这种金属氧化物半导体式气体传感器存在的问题主要是灵敏度较低以及选择性较差等，而且当前贵金属量子点材料制备技术相对复杂，在高温(超过材料塔曼温度)使用时，活性组分会发生迁移、脱落和团聚，造成活性下降，存在热稳定性差和难分离再生等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，该方法包括以下具体步骤：步骤1：将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：将金属氧化物半导体加入去离子水后，球磨造粒制成金属氧化物半导体材料；步骤2：将溶剂乙二醇EG回流后加入聚乙烯吡咯烷酮PVP，并搅拌至完全溶解，再滴加贵金属盐类并搅拌反应至溶液颜色改变；用丙酮和去离子水洗涤，真空干燥，即得到贵金属量子点；步骤3：将加入有催化剂且粒径为2～7nm的贵金属量子点置于浓度为55％的酒精溶液中超声波分散20～40min后，滴加到金属氧化物半导体材料中，然后用研磨机研磨并搅拌；步骤4：将步骤3中得到的金属氧化物半导体材料在倒入有清洗液的清洗槽中清洗20～30min，清洗过后的金属氧...

【技术特征摘要】
1.一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：将金属氧化物半导体加入去离子水后，球磨造粒制成金属氧化物半导体材料；步骤2：将溶剂乙二醇EG回流后加入聚乙烯吡咯烷酮PVP，并搅拌至完全溶解，再滴加贵金属盐类并搅拌反应至溶液颜色改变；用丙酮和去离子水洗涤，真空干燥，即得到贵金属量子点；步骤3：将加入有催化剂且粒径为2～7nm的贵金属量子点置于浓度为55％的酒精溶液中超声波分散20～40min后，滴加到金属氧化物半导体材料中，然后用研磨机研磨并搅拌；步骤4：将步骤3中得到的金属氧化物半导体材料在倒入有清洗液的清洗槽中清洗20～30min，清洗过后的金属氧化物半导体材料进行烘干处理至其表面无残留物。2.根据权利要求1所述的提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于，所述步骤2中的贵金属量子点的滴加用量为金属氧化物半导体材料质量的2％～4％。3.根据权利要求2所述的提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于，所述步骤3中的研磨机为圆盘式研磨机或者转轴式研磨机。4.根据权利要求2所述的提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于，所述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁士明，王常春，马登学，袁真，刘增欣，杨瑞宁，李因文，赵晓林，王浩任，宋新飞，
申请(专利权)人：梁士明，
类型：发明
国别省市：山东,37