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本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，该方法包括以下具体步骤：将加入有催化剂且粒径为2～7nm的贵金属量子点置于浓度为55％的酒精溶液中超声波分散20～40min后，滴加到金属氧化物半导体材料中...
该专利属于梁士明所有，仅供学习研究参考，未经过梁士明授权不得商用。

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