离子注入设备中传感器的校准机构及其校准方法技术

本申请提供一种离子注入设备中传感器的校准机构，包括：传感器，所述传感器包括至少三个定位孔；校准架，所述校准架包括平行相对的第一校准面和第二校准面，用于承载所述传感器，所述第一校准面和第二校准面分别设置至少两个凹槽，通过所述凹槽与所述传感器的定位孔固定连接；以及辅助校准件，所述辅助校准件的一端被设置为用于与所述定位孔耦合连接，且所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距。本申请还提供一种利用所述校准机构校准传感器的方法，所述校准机构以及校准方法可以提高传感器位置的准确性，减少机台误报警。

Calibration mechanism and method of sensor in ion implantation equipment

【技术实现步骤摘要】
离子注入设备中传感器的校准机构及其校准方法
本申请涉及半导体制造领域，具体来说，涉及一种离子注入设备中传感器的校准机构及其校准方法。
技术介绍
离子注入设备是集成电路制造工艺中的关键设备之一，用于执行离子注入工艺。在离子注入工艺中，经常需要用到真空片盒(Vacuumcassette)。真空片盒是用来承载以及转移晶圆的一种过渡装置，用于让晶圆从大气状态进入到真空状态或从真空状态回到大气状态。晶圆通常整体摆放在在真空片盒的卡槽中，然而，在一些特殊情况下，会出现部分晶圆探出卡槽发生位移的情况，因此需要通过传感器检测晶圆在真空片盒中是否发生了位移。如图1所示，为一种检测晶圆在真空片盒中是否发生位移的装置。所述的检测装置包括正对设置的两个传感器组，其中每组传感器包括一个发射传感器10A和一个接收传感器10B，所述的发射传感器10A和接收传感器10B分别固定在承载板32和33上，检测架31用于固定所述承载板32和33。当进行检测时，将所述装载有晶圆34的真空片盒35放置在所述两组传感器之间的设定位置，发射传感器10A发射信号，若发射传感器10A发射的信号被接收传感器10B接收，在检测装置中形成完整的回路，则说明晶圆没有移位(情形1)；若发射传感器10A发射的信号不能被接收传感器10B接收，则说明有晶圆移位，移位的晶圆阻挡了发射传感器10A发出的信号，导致接收传感器10B无法接收信号，无法形成完整的回路，则检测设备中的报警器报警。(情形2)一般情况下，设置在所述承载板上的接收传感器是固定好的，因此必须要保证设置在另一承载板上的发射传感器发射点位置和接收传感器的接收点位置完全在一个垂直面上。但实际中，安装发射传感器时，由于没有对齐装置，并不能保证所述发射传感器的发射点和所述接收传感器的接收点完全在一个垂直面上，导致机台经常误报警。
技术实现思路
本申请技术方案要解决的技术问题是：针对现有技术中没有对齐装置，不能保证现有检测装置中的发射传感器和接收传感器的发射点和接收点完全在一个垂直面上，从而导致几台误报警的缺陷，提供一种离子注入设备中传感器的校准机构及其校准方法，以提高发射传感器和接收传感器位置的准确性，减少机台误报警。本申请的一方面提供一种离子注入设备中传感器的校准机构，包括：传感器，所述传感器包括至少三个定位孔；校准架，所述校准架包括平行相对的第一校准面和第二校准面，用于承载所述传感器，所述第一校准面和第二校准面分别设置至少两个凹槽，通过所述凹槽与所述传感器的定位孔固定连接；以及辅助校准件，所述辅助校准件的一端被设置为用于与所述定位孔耦合连接，且所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距。在本申请的一些实施例中，所述校准机构至少包括两组传感器，每组传感器又包括用于发射光信号的发射传感器和用于接收光信号的接收传感器。在本申请的一些实施例中，所述第一校准面用于承载接收传感器，第二校准面用于承载发射传感器。在本申请的一些实施例中，所述辅助校准件与所述定位孔耦合连接的一端长度为3mm-5mm。在本申请的一些实施例中，所述凹槽在每一个校准面上的间距与传感器在同一方向上定位孔之间的间距相同。本申请的另一方面提供一种离子注入设备中传感器的校准方法，包括：将需校准的第一传感器固定至校准机构的第一校准面，所述传感器包括至少三个定位孔，所述第一校准面具有凹槽，所述至少三个定位孔与所述第一校准面上的凹槽固定连接；将两个辅助校准件的一端穿过所述校准机构的第二校准面上的凹槽，与所述第一传感器的两个定位孔耦合连接，其中，所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距；将第二传感器的两个定位孔定位至所述两个辅助校准件的另一端，并将所述第二传感器其余的定位孔固定至所述第二校准面上的凹槽；去除所述辅助校准件，将所述第二传感器的两个定位孔固定至所述第二校准面上的凹槽。在本申请的一些实施例中，第一传感器为用于发射光信号的发射传感器，第二传感器为用于接收光信号的接收传感器。在本申请的一些实施例中，所述第一传感器和第二传感器都包括四个定位孔，其中，将两个辅助校准件的一端穿过所述校准机构的第二校准面上的凹槽，与所述第一传感器的两个定位孔耦合连接这一步骤中所述的两个定位孔呈对角设置。在本申请的一些实施例中，所述辅助校准件与所述定位孔耦合连接的一端长度为3mm-5mm。在本申请的一些实施例中，所述第一校准面和第二校准面上分别设置有两条凹槽，所述凹槽在每一个校准面上的间距与传感器在同一方向上定位孔之间的间距相同。采用本申请实施例所述的离子注入设备中传感器的校准机构以及校准方法，提高了传感器定位的精确性，减少了机台误报警的发生频率。本申请中另外的特征将部分地在下面的描述中阐述。通过该阐述，使以下附图和实施例叙述的内容对本领域普通技术人员来说变得显而易见。本申请中的专利技术点可以通过实践或使用下面讨论的详细示例中阐述的方法、手段及其组合来得到充分阐释。附图说明以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本公开的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的专利技术意图。应当理解，附图未按比例绘制。其中：图1是一种检测晶圆在真空片盒中是否发生位移的装置。图2是本实施例中一种离子注入设备中传感器的校准机构的截面结构示意图。图3是本申请实施例中使用的所述带4个定位孔的传感器的结构示意图。图4是本申请实施例中使用的所述辅助校准件的截面图。图5是本申请实施例中所述校准面的俯视图。图6到图9是本申请实施例中一种离子注入设备中传感器的校准方法各步骤对应的示意图。具体实施方式以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本公开不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。下面结合实施例和附图对本专利技术技术方案进行详细说明。本实施例提供一种离子注入设备中传感器的校准机构，参考附图2所示，所述校准机构包括：传感器10，所述传感器10包括至少三个定位孔11；校准架，所述校准架包括平行相对的第一校准面32和第二校准面33，所述的第一校准面32和第二校准面33用于承载所述传感器10，所述第一校准面32和第二校准面33分别设置至少两个凹槽40，通过所述凹槽40与所述传感器10的定位孔11固定连接；以及辅助校准件20，所述辅助校准件20的一端被设置为用于与所述定位孔11耦合连接，且所述辅助校准件20的长度大于第一校准面32和第二校准面33之间的间距。在本申请的一些实施例中，所述的传感器10包括三个定位孔11。在本申请的另一些实施例中，所述的传感器10包括四个定位孔11。如图3所示，即为本申请公开的一个包括四个定位孔11的传感器10的结构示意图。为了描述方便，图3中将所述定位孔标记为11A，11B，11C和11D。在所述传感器10包括三个定位孔的情况下，可以是定位孔11A，11B，11C和11D中的任意三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入设备中传感器的校准机构，其特征在于，包括：传感器，所述传感器包括至少三个定位孔；校准架，所述校准架包括平行相对的第一校准面和第二校准面，用于承载所述传感器，所述第一校准面和第二校准面分别设置至少两个凹槽，通过所述凹槽与所述传感器的定位孔固定连接；以及辅助校准件，所述辅助校准件的一端被设置为用于与所述定位孔耦合连接，且所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距。

【技术特征摘要】
1.一种离子注入设备中传感器的校准机构，其特征在于，包括：传感器，所述传感器包括至少三个定位孔；校准架，所述校准架包括平行相对的第一校准面和第二校准面，用于承载所述传感器，所述第一校准面和第二校准面分别设置至少两个凹槽，通过所述凹槽与所述传感器的定位孔固定连接；以及辅助校准件，所述辅助校准件的一端被设置为用于与所述定位孔耦合连接，且所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距。2.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构，其特征在于，所述校准机构至少包括两组传感器，每组传感器又包括用于发射光信号的发射传感器和用于接收光信号的接收传感器。3.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构，其特征在于，所述第一校准面用于承载接收传感器，第二校准面用于承载发射传感器。4.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构，其特征在于，所述辅助校准件与所述定位孔耦合连接的一端长度为3mm-5mm。5.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构，其特征在于，所述凹槽在每一个校准面上的间距与传感器在同一方向上定位孔之间的间距相同。6.一种离子注入设备中传感器的校准方法，其特征在于，包括：将需校准的第一传感器固定至校准机构的第一校准面，所述传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄家明，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32