【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片刻蚀反应腔室清洗的方法
本专利技术涉及一种半导体硅片加工设备清洗的工艺,尤其涉及一种用于硅片刻蚀的反应腔室清洗的方法。
技术介绍
目前在半导体制造工艺中,半导体元器件的特征尺寸越来越小,所以,相应的对半导体的加工工艺要求也越来越高,其中,对工艺过程中的颗粒(particle)的控制是控制期间成品率很关键的一个因素。在半导体制造的刻蚀制程中,颗粒控制是一个至关重要的一部分。刻蚀过程中颗粒来源有很多,当腔室使用的时间较长时,由于刻蚀的副产物附着在腔室内壁,所以在接下来的刻蚀过程中,这些附着在内壁的副产物难免会受到等离子体的轰击而产生颗粒,这些颗粒会使得刻蚀线条互相搭连,从而导致器件的垫性能降低,因此刻蚀工艺过程中,颗粒的控制是十分必要的。目前,一般是在刻蚀工艺前对反应腔室进行清洗。但现有技术中的清洗方法,用等离子体清洗完反应腔室后,腔室内仍存在一定数量的颗粒,不能对反应腔室中的颗粒进行彻底清除。
技术实现思路
。本专利技术的目的是提供一种反应腔室清洗的方法,该方法能有效清除反应腔室中的刻蚀副产物及颗粒。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:本专利技术的反应腔室淸洗的方法,用于清洗反应腔室内的副产物,包括步骤:A、向反应腔室中通入工艺气体,通过射频源将工艺气体电离成等离子体,等离子体与所述副产物反应,生成挥发性物质;B、向反应腔室中通入工艺气体,将所述挥发性物质带出反应腔室。所述步骤A中所用的工艺气体包括气体SF6和/或02;所述射频源的功率为50〜800W。所述步骤A包括步骤:A1、向反应腔室中通入气体SF6和/或02,并将所述射频源的功率设定为5 ...
【技术保护点】
1.一种反应腔室清洗的方法,用于清洗反应腔室内的副产物,其特征在于,包括步骤:A、向反应腔室中通入工艺气体,通过射频源将工艺气体电离成等离子体,等离子体 与所述副产物反应,生成挥发性物质;B、向反应腔室中通入工艺气体,将所述挥发性物质带出反应腔室。
【技术特征摘要】
1.一种反应腔室清洗的方法,用于清洗反应腔室内的副产物,其特征在于,包括步骤:A、向反应腔室中通入工艺气体,通过射频源将工艺气体电离成等离子体,等离子体与所述副产物反应,生成挥发性物质;B、向反应腔室中通入工艺气体,将所述挥发性物质带出反应腔室。2.根据权利要求1所述的反应腔室清洗的方法,其特征在于,所述步骤A中所用的工艺气体包括气体SF6和/或02;所述射频源的功率为50〜800W。3.根据权利要求2所述的反应腔室清洗的方法,其特征在于,所述步骤A包括步骤:A1、向反应腔室中通入气体SF6和/或02,并将所述射频源的功率设定为50〜400W,保持设定的时间;A2、将射频源的功率设定为400〜800W,保持至反应结束。4.根据权利要求3所述的反应腔室清洗的方法,其特征在于,所述步骤A1中,所述气体SF6的流量为80〜120sccm;所述气体02的流量为10〜30sccm;所述工艺气体的压力为5〜15mT;设定的时间为2〜4s。5.根据权利要求3所述的反应腔室清洗的方法,其特征在于,所述步骤A2中,所述气体SF6的流量为80〜12...
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