【技术实现步骤摘要】
一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器
本专利技术属于无源电子器件
，具体涉及一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器。
技术介绍
随着现代通信系统集成度和性能的提高，各种电子芯片和功能电路模块均朝微型化方向发展，现有的基于低温共烧陶瓷(LTCC)及多芯片组件(MCM)技术已不能很好地满足射频/微波集成电路中滤波器的发展要求。一方面，其加工精度不高，寄生电磁效应严重，互连密度低，不太适合频率较高的射频以及微波集成电路的要求；另一方面，基于LTCC、MCM技术的电容、电感、滤波器等无源器件占用的面积较大，严重限制了系统集成度的提高。基于硅通孔的三维集成技术具有互连短、尺寸小、集成度高、工艺一致性好、可靠性高等优点，可以实现微波无源滤波器的高质量、高密度集成及器件之间的低损耗高频互连，因此，如何通过基于硅通孔的无源滤波器集成技术进一步实现微波电路的微型化和系统化，是需要亟待解决的问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术提供了一种基于同轴硅通...
【技术保护点】
1.一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器，其特征在于，自上而下依次包括第一螺旋电感层(1)、第一平板电容层(2)、硅通孔电容层(3)、第二平板电容层(4)和第二螺旋电感层(5)，其中，所述硅通孔电容层(3)包括衬底(31)和穿透所述衬底(31)的多个硅通孔结构(6)，每个所述硅通孔结构(6)均连接所述第一平板电容层(2)和所述第二平板电容层(4)，且相邻所述硅通孔结构(6)之间形成耦合电容器。
【技术特征摘要】
1.一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器，其特征在于，自上而下依次包括第一螺旋电感层(1)、第一平板电容层(2)、硅通孔电容层(3)、第二平板电容层(4)和第二螺旋电感层(5)，其中，所述硅通孔电容层(3)包括衬底(31)和穿透所述衬底(31)的多个硅通孔结构(6)，每个所述硅通孔结构(6)均连接所述第一平板电容层(2)和所述第二平板电容层(4)，且相邻所述硅通孔结构(6)之间形成耦合电容器。2.根据权利要求1所述的三维集成无源滤波器，其特征在于，所述第一螺旋电感层(1)包括顶部介质(11)和嵌套在所述顶部介质(11)中的第一金属螺旋结构(12)，以形成第一螺旋电感器；所述第二螺旋电感层(5)包括底部介质(51)和嵌套在所述底部介质(51)中的第二金属螺旋结构(52)，以形成第二螺旋电感器；所述第一金属螺旋结构(12)和所述第二金属螺旋结构(52)的螺旋方向相反。3.根据权利要求2所述的三维集成无源滤波器，其特征在于，所述第一平板电容层(2)自上而下依次包括第一金属层(21)、第一电容介质层(22)和第二金属层(23)，形成第一平板电容器；所述第二平板电容层(4)自上而下依次包括第三金属层(41)、第二电容介质层(42)和第四金属层(43)，形成第二平板电容器。4.根据权利要求3所述的三维集成无源滤波器，其特征在于，所述第一螺旋电感层(1)与所述第一平板电容层(2)之间设置有第一隔离介质层(7)，所述第二螺旋电感层(5)与所述第二平板电容层(4)之间设置有第四隔离介质层(10)。5.根据权利要求2所述的三维集成无源滤波器，其特征在于，每个所述硅通孔结构(6)从外向内依次包括隔离介质环(61)、外层金属环(62)、电容介质环(63)和内层金属柱(64)，使得每个所述硅通孔结构(6)均形成一个硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹湘坤，朱樟明，杨银堂，李跃进，丁瑞雪，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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