导电膜的制备方法及导电膜技术

本申请提供一种导电膜的制备方法及导电膜，该方法包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层；将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间；烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜。本申请通过在富勒烯或其衍生物基础层的缝隙和凹槽中填充导电金属粒子，提高导电膜的导电性。

Preparation of Conductive Film and Conductive Film

【技术实现步骤摘要】
导电膜的制备方法及导电膜
本申请涉及一种导电技术，特别涉及一种导电膜的制备方法及导电膜。
技术介绍
研究人员开发了基于氧化铟锡(Indiumtinoxide，ITO)其他材料的透明电极，比如二维材料(石墨烯)，银纳米线，聚合物等。但是，基于这类材料的透明电极电导率较低，这是由于其表面缺陷多，容易捕获电荷。以基于富勒烯及其衍生物的透明电极为例，这类材料可以通过旋涂或者打印等低成本的方式涂覆到衬底上形成导电层。但是，为了保证较高的透过率，当旋涂的薄膜较薄时，薄膜表面极容易产生裂纹、凹槽等缺陷，导致电极的导电性极具降低，因而影响透明电极的使用。
技术实现思路
本申请实施例提供一种导电膜的制备方法及导电膜，以解决现有的透明电极的导电性下降的技术问题。本申请实施例提供一种导电膜的制备方法，其包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层；将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间；烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜。在本申请的导电膜的制备方法中，所述富勒烯或其衍生物基础层的表面具有缝隙和凹槽；所述将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间，包括如下步骤：将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间，使得导电金属离子填充所述缝隙和凹槽。在本申请的导电膜的制备方法中，所述导电金属离子溶液为Au3+溶液、Ag+溶液和Cu2+溶液中的一种。在本申请的导电膜的制备方法中，所述导电金属离子溶液的导电金属离子浓度介于0.1毫克/毫升至10毫克/毫升之间。在本申请的导电膜的制备方法中，所述第一设定时间介于5分钟至10分钟之间。在本申请的导电膜的制备方法中，所述烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜，包括：将浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层置于烘烤箱进行烘烤处理，使得导电金属离子溶液分解为导电金属粒子，并填充在所述缝隙和凹槽内，形成所述导电膜，其中烘烤温度为第一设定温度，烘烤时间为第二设定时间。在本申请的导电膜的制备方法中，所述第一设定温度介于100摄氏度至200摄氏度之间；所述第二设定时间介于30分钟至60分钟之间。在本申请的导电膜的制备方法中，所述烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层，包括；将所述富勒烯或其衍生物层置于烘烤箱中进行烘烤处理，使得所述富勒烯或其衍生物层干燥，其中烘烤温度介于50摄氏度至200摄氏度之间。本申请还涉及一种导电膜，其包括：富勒烯或其衍生物基础层，具有缝隙和凹槽；以及导电金属粒子，填充在所述缝隙和凹槽内。在本申请的所述的导电膜中，所述导电金属粒子为Au、Ag和Cu中的一种。相较于现有技术的导电薄膜，本申请的导电膜的制备方法及导电膜通过在富勒烯或其衍生物基础层的缝隙和凹槽中填充导电金属粒子，提高导电膜的导电性；解决了现有的透明电极的导电性下降的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。图1为本申请实施例的导电膜的制备方法的流程图；图2为本申请实施例的导电膜的制备方法的另一流程示意图；图3为本申请实施例的导电膜的结构示意图。具体实施方式请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。请参照图1，图1为本申请实施例的导电膜的制备方法的流程图；图2为本申请实施例的导电膜的制备方法的另一流程示意图。本申请实施例的导电膜的制备方法，其包括如下步骤：S11：提供一基板；S12：在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；S13：烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层；S14：将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间；S15：烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜。本申请的导电膜的制备方法的各个步骤的具体阐述如下：在步骤S11，提供一基板101。具体的，基板可以是柔性或刚性的衬底，比如聚酰亚胺(PolyimideFilm，PI)层和玻璃基板等；也可以是利用PVD(PhysicalVaporDeposition)等技术在衬底上形成的缓冲层或驱动层。驱动层包括TFT层。随后转入步骤S12。在步骤S12中，在所述基板101上形成富勒烯或其衍生物层102。具体的，富勒烯或其衍生物层102可采用涂覆或打印的方式在基板101上形成。富勒烯材料可以是但不限于[6,6]-phenyl(苯基)-C61-butyricacidmethylester(丁酸甲酯)、[6,6]-phenyl-C71-butyricacidmethylester，其厚度为0.01～1000微米。其中，当富勒烯或其衍生物层102的厚度小于0.01微米时，富勒烯或其衍生物层102无法成膜；当富勒烯或其衍生物层102的厚度大于1000微米时，材料厚度较大，成本较高。故可选的，富勒烯或其衍生物层102的厚度为0.1微米、10微米、20微米、50微米、100微米、200微米、500微米和1000微米中的一个。随后转入步骤S13。在步骤S13中，烘干富勒烯或其衍生物层102，形成富勒烯或其衍生物基础层103。具体的，将富勒烯或其衍生物层102置于烘烤箱中进行烘烤处理，使得所述富勒烯或其衍生物层102干燥，形成富勒烯或其衍生物基础层103。其中烘烤温度介于50摄氏度至200摄氏度之间。其中，烘烤温度低于50摄氏度时，对富勒烯或其衍生物层102的烘干效果较低，需要较长的时间进行烘烤；当烘烤温度高于200摄氏度时，高温会损坏富勒烯或其衍生物层102的材质。因此将烘烤温度设定在50摄氏度至200摄氏度之间。可选的，该烘烤温度可以是50摄氏度、80摄氏度、110摄氏度、150摄氏度、180摄氏度和200摄氏度中的一种。当第一次烘烤完毕后，富勒烯或其衍生物基础层103的表面具有缝隙a和凹槽b。随后转入步骤S14。在步骤S14中，将富勒烯或其衍生物基础层103置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间。具体的，将富勒烯或其衍生物基础层103置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间，使得导电金属离子填充富勒烯或其衍生物基础层103的缝隙a和凹槽b。其中，导电金属离子溶液为但不限于Au3+溶液、Ag+溶液和Cu2+溶液中的一种。其中溶剂也可以选用稀盐酸、硝基甲醇或稀硝酸等。本实施例以导电金属离子溶液为氯化金(AuCl3)溶液为例进行说明(后续步骤以此例说明)，当并不限于此。导电金属离子溶液的导电金属离子浓度介于0.1毫克/毫升至10毫克/毫升之间。在本实施例中，即AuCl3溶液中AuCl3的浓度介于0.1mg/ml～10mg/ml之间。其中当AuCl3的浓度低于0.1mg/ml时，AuCl3的Au3+离子填充在缝隙a和凹槽b的效果慢，时间长；当AuCl3的浓度高于10mg/ml时，AuCl3的Au3+离子填充在缝隙a和凹槽b本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层；将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间；烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜。

【技术特征摘要】
1.一种导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层；将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间；烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜。2.根据权利要求1所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述富勒烯或其衍生物基础层的表面具有缝隙和凹槽；所述将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间，包括如下步骤：将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间，使得导电金属离子填充所述缝隙和凹槽。3.根据权利要求1或2所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述导电金属离子溶液为Au3+溶液、Ag+溶液和Cu2+溶液中的一种。4.根据权利要求1或2所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述导电金属离子溶液的导电金属离子浓度介于0.1毫克/毫升至10毫克/毫升之间。5.根据权利要求2所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述第一设定时间介于5分钟至10分...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨林，罗佳佳，黄金昌，白亚梅，李先杰，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42