一种低阻高透过率的ITO导电膜结构制造技术

技术编号:21541993 阅读:46 留言:0更新日期:2019-07-06 19:16
本实用新型专利技术涉及一种低阻高透过率的ITO导电膜结构,包括表层ITO层,设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO2膜层、以及设置在所述SiO2膜层下方的透明塑料基材层。通过设置Ag膜层和SiO2膜层,可提高导电膜的柔韧性和导电性能。表层ITO层不仅可以防止Ag层氧化、提高薄膜耐磨性,还可以作为减反层来提高薄膜可见光透过率。本实用新型专利技术的方阻低、透过率高,还能起到隔热、低辐射,以及很好的电磁屏蔽效果。

【技术实现步骤摘要】
一种低阻高透过率的ITO导电膜结构
本技术涉及导电膜
,具体而言,涉及一种低阻高透过率的ITO导电膜结构。
技术介绍
导电膜是一种具有导电功能的氧化铟锡薄膜,基材通常为PET(聚对苯二甲酸类塑料)材质,是在PET薄膜上形成以稀有金属In(铟)为主要原料的ITO(IndiumTinOxide)靶材而制成的。作为一种n型半导体材料,ITO导电膜具有较高的自有载流子浓度(电阻率低)、禁带宽度1、可见光谱区光透射率高等光学特征。由于透光率和导电性能较好,ITO导电膜被广泛应用于平板显示器件、太阳能电池等诸多领域。ITO导电膜的主要特性包括:(1)导电性能好,电阻率可达10-4Ω∙cm;(2)可见光透光率高,可达85%以上;(3)对紫外线具有吸收性,吸收率在85%以上;(4)对红外线具有反射性,反射率在80%以上;(5)对微波具有衰减性,衰减率也可达85%(6)薄层硬度高,耐磨,耐化学腐蚀;(7)膜层加工性能好,便于刻蚀等。高的可见光透光率与相当低的电阻率结合在一起,使ITO薄膜成为目前综合性能最优异的透明导电材料之一。由于现有的ITO膜的导电率受制于其导电机制以及ITO膜的柔韧性较差,现有的ITO透明导电膜已经无法满足自动售货机等先进光电装置对导电性、透过率、强隔热、低辐射、电磁波屏蔽效果等越来越高的要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低阻高透过率的ITO导电膜结构,其方阻低、透过率高,且具有隔热、低辐射,以及很好的电磁屏蔽效果。一种低阻高透过率的ITO导电膜结构,包括表层ITO层,设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO2膜层、以及设置在所述SiO2膜层下方的透明塑料基材层。进一步的,所述透明塑料基材层为镀有IM层的PET基材层。进一步的,所述表层ITO层的厚度为23-27nm。进一步的,所述Ag膜层的厚度为200-250nm。进一步的,所述Ag膜层与所述SiO2膜层之间设有底层ITO层。进一步的,所述底层ITO层的厚度为23-27nm。进一步的,所述导电膜的厚度为200微米。与现有技术相比,本技术的有益效果是:通过设置Ag膜层和SiO2膜层,可提高导电膜的柔韧性和导电性能。表层ITO层不仅可以防止Ag层氧化、提高薄膜耐磨性,还可以作为减反层来提高薄膜可见光透过率。本技术的方阻低、透过率高,还能起到隔热、低辐射,以及很好的电磁屏蔽效果。附图说明图1为本技术的低阻高透过率的ITO导电膜结构的结构示意图。具体实施方式下面将结合具体实施例及附图对本技术作进一步详细描述。如图1所示,一较佳实施例中,本技术的低阻高透过率的ITO导电膜结构主要包括表层ITO层1、设置在表层ITO层1下方的Ag膜层2、设置在Ag膜层2下方的SiO2膜层3、以及设置在SiO2膜层3下方的透明塑料基材层4。作为一种优选的实施方式,Ag膜层2与SiO2膜层3之间设有底层ITO层5,该底层ITO层5可进一步保护Ag膜层2,防止Ag膜层2氧化,同时改善Ag膜层2的结晶度。本技术采用磁控溅射方法在PET基材层上依次镀上各层的方法制备,其中,表层ITO层1厚度为23-27nm,Ag膜层2厚度为200-250nm,底层ITO层5厚度为23-27nm;导电膜厚度为200um。本技术的导电膜方阻值小于5欧姆,透过率大于75%,具有良好的导电性能及透光性能。虽然对本技术的描述是结合以上具体实施例进行的,但是,熟悉本
的人员能够根据上述的内容进行许多替换、修改和变化、是显而易见的。因此,所有这样的替代、改进和变化都包括在附后的权利要求的精神和范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种低阻高透过率的ITO导电膜结构,其特征在于,包括表层ITO层,设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO2膜层、以及设置在所述SiO2膜层下方的透明塑料基材层,所述Ag膜层与所述SiO2膜层之间设有底层ITO层。

【技术特征摘要】
1.一种低阻高透过率的ITO导电膜结构,其特征在于,包括表层ITO层,设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO2膜层、以及设置在所述SiO2膜层下方的透明塑料基材层,所述Ag膜层与所述SiO2膜层之间设有底层ITO层。2.根据权利要求1所述的低阻高透过率的ITO导电膜结构,其特征在于,所述透明塑料基材层为镀有IM层的PET基材层。3.根据权利要求1所述的低阻高透过率...

【专利技术属性】
技术研发人员:华建军卢相学
申请(专利权)人:惠州市天誉科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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