滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法技术

技术编号:21515903 阅读:66 留言:0更新日期:2019-07-03 09:33
本发明专利技术公开了一种滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法,先在薄膜基材上涂布上石墨烯材料层,其特征在于,对滚筒进行加热后,使得薄膜基材经过滚筒和相贴设置的压辊之间,依靠滚筒对薄膜基材加热再依靠压辊施压,通过高温热压的方式使得石墨烯材料层中的金属纳米线和金属纳米颗粒与石墨烯材料溶解固化并压为一体,完成熔接并得到参数和性能稳定均匀的石墨烯材料层。还公开了采用了上述方法实现石墨烯材料层熔接的一种卷对卷石墨烯透明导电膜连续制备方法。本发明专利技术利用了滚筒热压熔接原理实现石墨烯材料层的熔接,具有实施简单,操作方便,熔接可靠且效率高,利于控制,以能够保证最终制得的石墨烯透明导电膜导电性能等优点。

Method of setting graphene material layer by hot-pressing fusion of drum

【技术实现步骤摘要】
滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法
本专利技术属于石墨烯透明导电膜制备领域,具体涉及到一种滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法。
技术介绍
石墨烯是一种理想的光子与光电子材料,石墨烯透明导电膜可以广泛应用于手机、平板电脑和触摸屏设备等领域,是一种应用非常广泛电子工业基础材料。现有常规的石墨烯透明导电薄膜制备方法,一般是CVD法,需要先在铜箔上生长形成石墨烯膜,然后再涂抹一层有机玻璃保护层,然后溶蚀掉铜箔后将石墨烯膜转移到薄膜基材表面,然后再去掉有机玻璃保护层。这种制备方法,存在工艺条件苛刻;操作工艺复杂;存在无法克服的内在、固有缺陷,导致成品率低于40%,成本高,效率低,无法实现连续生产;且产品只有较低的导电/透光比,即品质因数低,导电性能较差等缺陷。专利申请号201510481379.7曾公开过一种石墨烯薄膜的制备方法,采用超声波浸泡搅拌氧化石墨烯、过滤杂质、将氧化石墨烯溶液涂布到PET薄膜上、碳化、石墨化并得到石墨烯薄膜。但这种方式仍然存在工艺复杂,且碳化和石墨化步骤难以精确控制,导致产品质量较差的缺陷。这种制备方式并不能得到可用的PET承载的石墨烯透明导电膜,而是将PET薄膜与石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法,先在薄膜基材上涂布上石墨烯材料层,其特征在于,对滚筒进行加热后,使得薄膜基材经过滚筒和相贴设置的压辊之间,依靠滚筒对薄膜基材加热再依靠压辊施压,通过高温热压的方式使得石墨烯材料层中的金属纳米线和金属纳米颗粒与石墨烯材料溶解固化并压为一体,完成熔接并得到参数和性能稳定均匀的石墨烯材料层。

【技术特征摘要】
1.一种滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法,先在薄膜基材上涂布上石墨烯材料层,其特征在于,对滚筒进行加热后,使得薄膜基材经过滚筒和相贴设置的压辊之间,依靠滚筒对薄膜基材加热再依靠压辊施压,通过高温热压的方式使得石墨烯材料层中的金属纳米线和金属纳米颗粒与石墨烯材料溶解固化并压为一体,完成熔接并得到参数和性能稳定均匀的石墨烯材料层。2.如权利要求1所述的滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法,其特征在于,采用滚筒热压装置实现,所述滚筒热压装置,包括滚筒和压辊以及为滚筒加热的滚筒加热机构,所述压辊并列设置于滚筒一侧,压辊两端设置在一个伸缩机构的伸缩端上,伸缩机构的固定端固定在机架上,所述伸缩机构的伸缩方向正对滚筒方向设置。3.如权利要求2所述的滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法,其特征在于,所述滚筒加热机构包括金属材质的滚筒内芯,还包括位于滚筒一侧外部的加热线圈,所述加热线圈用于产生磁场并在滚筒旋转时使其内部的滚筒内芯中产生感应电流实现加热。4.如权利要求2所述的滚筒热压熔接式石墨烯材料层设置方法,其特征在于,所述伸缩机构可以为气缸。5.一种卷对卷石墨烯透明导电膜连续制备方法,其特征在于,包括依次连续进行的以下步骤:a、对透明的薄膜基材进行表面改性预处理,清洗表面及降低表面张力;b、薄膜基材表面连续涂布多功能底涂层,使其进一步降低表面张力,增加与石墨烯导电材料层的结合力;c、再涂布至少一层石墨烯材料层,石墨烯材料层至少包括若干微小片状石墨烯,以及其上生长的金属纳米线;d、使得涂布铺展在多功能底涂层上的石墨烯材料上的金属纳米线之间无数个相互搭接点熔接为整体,且各层之间固定为一体;d步骤后还包括e步骤、在上述步骤处理后的薄膜基材表面连续涂布增透光学匹配层;e步骤后还包括步骤f覆膜,即在设置好增透光学匹配层的薄膜基材上下表面贴合覆盖设置一层...

【专利技术属性】
技术研发人员:王昉冉超志王永禄吴德操彭格余政霖徐化力蒋彦钟朝伦王珩刘先康吴至一王子猷
申请(专利权)人:重庆元石盛石墨烯薄膜产业有限公司
类型:发明
国别省市:重庆,50

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