一种改进的铜面电容式ITO导电膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改进的铜面电容式ITO导电膜，包括由下至上依次设置的基材层、ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层，所述ITO层设有高穿透区，所述铜导电层和导电阻绝层对应所述高穿透区设有网栅结构区，所述网栅结构区包括多条横向导线和多条竖向导线，所述横向导线和竖向导线相互垂直交叉形成具有穿透孔的网状结构。本实用新型专利技术通过蚀刻方式在ITO层形成高穿透区，铜导电层和导电阻绝层对应高穿透区设置网栅结构区，提高ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层的红外线穿透率，使得ITO导电膜可适用于具有红外线识别的电子屏幕，提高了产品的适用性。

【技术实现步骤摘要】
一种改进的铜面电容式ITO导电膜
本技术涉及光学薄膜领域，具体而言，涉及一种改进的铜面电容式ITO导电膜。
技术介绍
透明导电薄膜是平板电视、触摸屏、智能窗玻璃、发光二极管以及光伏电池等器件制造的必要组成部分。近年来，随着信息(如触摸显示)、能源(如光伏、智能窗玻璃)等产业的发展，人们对透明导电薄膜的需求量急剧增大，而在透明导电薄膜中，应用最广的一类是锡掺杂氧化铟薄膜，即俗称的ITO薄膜。指纹解锁是通过对人的指纹进行识别匹配的解锁方式，随着技术的不断发展，指纹解锁的准确性和安全性越来越高，被广泛地应用于各类电子产品中。现有的电子产品如手机、平板电脑等通常采用红外线进行指纹解锁，而现有ITO薄膜的红外线透过率很低，不适用于红外线指纹解锁，导致适用范围收到限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改进的铜面电容式ITO导电膜，可提高红外线的穿透率，从而使适用的范围更广。一种改进的铜面电容式ITO导电膜，包括由下至上依次设置的基材层、ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层，所述ITO层设有高穿透区，所述铜导电层和导电阻绝层对应所述高穿透区设有网栅结构区，所述网栅结构区包括多条横向导线和多条竖向导线，所述横向导线和竖向导线相互垂直交叉形成具有穿透孔的网状结构。进一步的，所述高穿透区通过蚀刻形成。进一步的，所述ITO层的下表面设有调整层，所述调整层为二氧化硅层。进一步的，所述ITO层的厚度为20-25nm。进一步的，所述铜导电层的厚度为200-250nm。进一步的，所述导电阻绝层的材料为镍铬合金、镍铜合金、钼、钛、铜钛合金、镍铜钛合金、镍铜铬合金中的任意一种。与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过蚀刻方式在ITO层形成高穿透区，铜导电层和导电阻绝层对应高穿透区设置网栅结构区，提高ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层的红外线穿透率，使得ITO导电膜可适用于具有红外线识别的电子屏幕，提高了产品的适用性。附图说明图1为本技术的改进的铜面电容式ITO导电膜的结构示意图。图2为本技术的改进的铜面电容式ITO导电膜的高穿透区的结构示意图。图3为本技术的改进的铜面电容式ITO导电膜的网栅结构区的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。如图1、图2和图3所示，一较佳实施例中，本技术的改进的铜面电容式ITO导电膜主要包括基材层1、ITO层2、铜导电层3、以及导电阻绝层4。其中，ITO层2设有高穿透区5，该高穿透区5通过蚀刻方式去除ITO层2表面的氧化铟锡，使得ITO层2具有一透明且红外线可穿透的区域。铜导电层3和导电阻绝层4对应高穿透区5设有网栅结构区6，网栅结构区6同样通过蚀刻方式，形成多条横向导线61和竖向导线62，横向导线61和竖向导线62相互垂直交叉，从而形成具有穿透孔63的网状结构，在保证导电同层3和导电阻绝层4的导电性的同时，使得红外线可从穿透孔63穿过铜导电层3和导电阻绝层4，从而提高ITO导电膜对应红外线指纹识别的位置形成高红外线穿透的区域，使ITO导电膜适用于红外线指纹识别设备，提高了产品的适用性。为了提高ITO导电膜的柔韧性，ITO层2的下表面可设置调整层7，该调整层7采用二氧化硅制成。上述实施例中，ITO层2的厚度为20-25nm，铜导电层3的厚度为200-250nm，导电阻绝层4的材料为镍铬合金、镍铜合金、钼、钛、铜钛合金、镍铜钛合金、镍铜铬合金中的任意一种。虽然对本技术的描述是结合以上具体实施例进行的，但是，熟悉本
的人员能够根据上述的内容进行许多替换、修改和变化是显而易见的。因此，所有这样的替代、改进和变化都包括在附后的权利要求的精神和范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改进的铜面电容式ITO导电膜，包括由下至上依次设置的基材层、ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层，其特征在于，所述ITO层设有高穿透区，所述铜导电层和导电阻绝层对应所述高穿透区设有网栅结构区，所述网栅结构区包括多条横向导线和多条竖向导线，所述横向导线和竖向导线相互垂直交叉形成具有穿透孔的网状结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种改进的铜面电容式ITO导电膜，包括由下至上依次设置的基材层、ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层，其特征在于，所述ITO层设有高穿透区，所述铜导电层和导电阻绝层对应所述高穿透区设有网栅结构区，所述网栅结构区包括多条横向导线和多条竖向导线，所述横向导线和竖向导线相互垂直交叉形成具有穿透孔的网状结构。


2.根据权利要求1所述的改进的铜面电容式ITO导电膜，其特征在于，所述高穿透区通过蚀刻形成。


3.根据权利要求1所述的改进的铜面电容式ITO导电膜，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：华建军，湛克宇，
申请(专利权)人：惠州市天誉科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44