用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。

Screen for Back Electrode of Crystalline Silicon Battery and Preparation Method of Back Electrode of Crystalline Silicon Battery

【技术实现步骤摘要】
用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法
本专利技术涉及太阳能电池制造
，更具体地说，涉及一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法。
技术介绍
P型晶硅太阳能电池由于制备工艺成熟、电池转换效率高而被广泛应用在光伏行业中。其中，无论是P型单晶电池还是P型多晶电池，其常规铝背场结构还是以PERC(PassivatedEmitterandRearCell，钝化发射极背面接触电池)为主。目前，P型晶硅电池的背面电极主要通过以下方式来实现：在P型晶硅电池背面除整个主栅之外的区域印刷烧结铝层，然后，在整个主栅的位置印刷烧结银电极，以使银电极在电池的主栅位置处与P型硅片相接触，但由于该方式中银电极与P型硅片的接触面积比较大，而银电极又无法形成BSF(BackSurfaceField，背电场)甚至会破坏钝化膜层，因此，这种实现方式会导致P型晶硅电池在银电极位置处产生比较大的性能损失，从而则会电池的性能产生影响。综上所述，如何降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，从而提高P型晶硅电池的性能，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，以借助该网版降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，从而提高P型晶硅电池的性能。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于晶硅电池背电极的网版，包括：用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在所述网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置；所述遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，所述遮挡区域与使银浆和所述P型硅片直接相接触的区域相对应。优选的，所述镂空区域包括多个子镂空区域。优选的，所述子镂空区域呈阵列分布。优选的，所述子镂空区域呈2×5阵列、3×5阵列、3×6阵列、3×7阵列、4×7阵列、4×8阵列中的任意一种阵列分布。优选的，所述子镂空区域为圆点、椭圆、方形、三角形中的任意一种。优选的，所述网版本体的尺寸与所述P型硅片的尺寸相等。优选的，与所述P型硅片的每条主栅相对应的位置上分布有多个所述遮挡件，且多个所述遮挡件呈分段分布。优选的，所述遮挡件为感光胶。一种晶硅电池背电极制备方法，包括：利用网版在P型硅片背面印刷铝浆，并进行烘干，其中，所述网版为如上述任一项所述的用于晶硅电池背电极的网版；在P型硅片背面的预设位置处印刷银浆，并进行烧结，以得到背电极，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置。本专利技术提供了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，在网版本体的预设位置处设置包含有镂空区域和遮挡区域的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应，这样在利用该网版在P型硅片背面印刷铝浆时，遮挡件中的镂空区域以及网版本体除遮挡区域之外的区域均可以使铝浆印刷到P型硅片上，遮挡区域因遮挡件的遮挡而无法使铝浆透过网版到达P型硅片上，因此，则会在P型硅片的相应位置上留下空白区域，以便于后续在印刷银浆可以使银浆在空白区域与P型硅片直接接触，也就是说，可以通过镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种用于晶硅电池背电极的网版的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的借助图1的网版在P型硅片背面所制备的背电极的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种晶硅电池背电极制备方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图1，其示出了本专利技术实施例提供的一种用于晶硅电池背电极的网版的结构示意图，可以包括：用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体1；设置在网版本体1上、位于预设位置处的遮挡件2，其中，预设位置可以为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件2可以包括镂空区域21和遮挡区域22，其中，遮挡区域22与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。用于晶硅电池背电极的网版可以包括网版本体1，该网版本体1上设置有多个网孔(图中未示出)，用于在将该网版放置在P型硅片背面以制备铝背场时使铝浆可以通过网版本体1上所设置的网孔到达P型硅片的背面，并在经过烧结之后形成铝背场。网版本体1上设置有遮挡件2，该遮挡件2具体位于网版本体1的预设位置处，其中，预设位置具体为与P型硅片的主栅相对应的位置，即网版本体1上所设置的并列排放的遮挡件2的数量与P型硅片的主栅数量相同，也就是说，该网版可以适用于5主栅、6主栅、7主栅、8主栅……15主栅的P型晶硅电池，当然，也可以适用于包含其他主栅数量的P型晶硅电池。另外，网版本体1上所设置的遮挡件2包括镂空区域21和遮挡区域22这两个区域，其中，镂空区域21即为没有遮挡、暴露出网版本体1的区域，遮挡区域22即为有遮挡、没有暴露出网版本体1的区域。当利用该网版在P型硅片的背面印刷铝浆以制备铝背场时，铝浆可以通过遮挡件2的镂空区域21、网版本体1除遮挡件2之外的区域透过并到达P型硅片的背面，在经过烘干烧结之后，P型硅片背面与遮挡件2的镂空区域21相对应的位置、与网版本体1除遮挡件2之外的区域均会有铝背场存在，但P型硅片背面与遮挡件2的遮挡区域22相对应的位置处会因遮挡区域22的遮挡而无法透过铝浆形成铝背场，即会在P型硅片背面与遮挡件2的遮挡区域22相对应的位置上留下空白区域，其中，烘干温度一般可以为200-350℃，烧结温度的峰值一般可以大于750℃，并且对所印刷的铝浆进行烧结的过程可以在印刷银浆之后进行，即可以同时对铝浆和银浆进行烧结。在利用该网版在P型硅片的背面印刷铝浆以得到铝背场之后，则可以在P型硅片背面主栅的位置处印刷银浆，并进行烧结，以在形成银电极的同时保证P型硅片具有较大的焊接面积，以便于在制备光伏组件时用于P型晶硅电池之间的焊接，至此，则可以在P型硅片的背面形成包含有铝电极和银电极的背电极。由于P型硅片背面存在没有印刷铝浆而形成的空白区域(该空白区域即与遮挡件2的遮挡区域22相对应)，则在印刷银浆时，印刷在空白区域的银浆会与P型硅片形成直接接触，而印刷在主栅位置处但位于空白区域之外的银浆则会与铝浆相接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，包括：用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在所述网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置；所述遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，所述遮挡区域与使银浆和所述P型硅片直接相接触的区域相对应。

【技术特征摘要】
1.一种用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，包括：用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在所述网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，所述预设位置为与所述P型硅片的主栅相对应的位置；所述遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，所述遮挡区域与使银浆和所述P型硅片直接相接触的区域相对应。2.根据权利要求1所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述镂空区域包括多个子镂空区域。3.根据权利要求2所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述子镂空区域呈阵列分布。4.根据权利要求3所述的用于晶硅电池背电极的网版，其特征在于，所述子镂空区域呈2×5阵列、3×5阵列、3×6阵列、3×7阵列、4×7阵列、4×8阵列中的任意一种阵列分布。5.根据权利要求3所述的用于晶硅电池背电极的网版，...

【专利技术属性】
技术研发人员：连维飞，张树德，胡党平，魏青竹，倪志春，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32