用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版制造技术

本实用新型专利技术公开了用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版，所述正电极包括正电极主栅、正电极细栅和防断栅结构，防断栅结构和正电极细栅一体印刷成型，所述网版的正面凸出设置有感光乳剂，所述感光乳剂对应正电极的防断栅结构，用于在印刷正电极时，在防断栅结构的背面与感光乳剂相对应位置处形成镂空槽，以降低正电极印刷时断栅的几率，通过防止断栅，达到降低组件局部发热的热斑效应的功能。

Crystalline Silicon Solar Cell Screen for Hollow-out Forming of Positive Electrodes

The utility model discloses a crystal silicon solar cell screen plate for hollow forming of positive electrodes. The positive electrodes include the main grid of positive electrodes, the fine grid of positive electrodes and the breaking grid structure, the anti-breaking grid structure and the fine grid of positive electrodes integrated printing and forming. The front projection of the screen plate is provided with a photosensitive emulsion. The photosensitive emulsion corresponds to the breaking grid structure of positive electrodes, and is used for printing positive electrodes. A hollow groove is formed on the back of the anti-breaking grating structure at the corresponding position with the photosensitive emulsion to reduce the probability of breaking the grating during positive electrode printing. By preventing the breaking of the grating, the function of reducing the hot spot effect of local heating of the component is achieved.

【技术实现步骤摘要】
用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版
本技术涉及太阳能电池结构，具体是指用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版。
技术介绍
晶硅太阳能电池的正电极设计，包含主栅和与主栅垂直的细栅，细栅线的作用是为了将光生电流收集至主栅线，如果在印刷时细栅线出现断栅、虚印现象，则会影响光生电流的收集，影响电池效率。采用断栅的电池片制成组件，断栅处将出现局部发热的热斑现象，影响组件寿命。造成太阳能电池印刷时断栅的原因分很多种，丝网参数设置不正确，网版线宽与浆料不匹配，网版堵塞，刮条磨损，浆料粘度过高或变干，硅片线痕等均会不同程度地造成断栅。丝网印刷时当刮条经过主栅到达主栅和细栅交接处的时候，由于透墨量迅速下降，对应细栅线的印刷高度降低，也会造成一定比例的断栅。鉴于这种情况，通常在主栅和细栅的连接处通过添加一定宽度的梯形防断栅来解决此类断栅问题。采用常规的防断栅设计虽然可以降低电池正面印刷时断栅的几率，但随着组件对电池质量要求越来越高，常规的设计造成的断栅比例已经无法满足市场上的要求，因此需要有更加合理实用的设计来降低断栅的比例。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版，该网版在印刷正电极时，能够在防断栅结构的背面形成镂空槽，有效降低正面电极印刷时断栅的几率，通过防止断栅，达到降低组件局部发热的热斑效应的功能。本技术的上述目的通过如下技术方案来实现：用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版，所述正电极包括正电极主栅、正电极细栅和防断栅结构，防断栅结构和正电极细栅一体印刷成型，其特征在于：所述网版的正面凸出设置有感光乳剂，所述感光乳剂对应正电极的防断栅结构，用于在印刷正电极时，在防断栅结构的背面与感光乳剂相对应位置处形成镂空槽，以降低正电极印刷时断栅的几率。本技术的网版在正面凸出设置有感光乳剂，当印刷正电极时，在防断栅结构的背面与感光乳剂相对应位置处形成镂空槽，以降低正电极印刷时断栅的几率，保证细栅线最大限度的收集光生载流子，提高电池效率。同时，由于使用断栅的电池片做成组件，会增加组件的热斑效应，正电极通过镂空槽防止断栅，达到降低组件局部发热的热斑效应的功能。正电极背面的镂空设计，可以提高主栅和细栅连接处防断栅效果，其作用是当印刷时刮条经过方形镂空区域时，沿着印刷方向，该防断栅区域高度慢慢厽高，从而提升防断栅效果。本技术中，所述感光乳剂为结构相同的多个，感光乳剂的数量与防断栅结构的数量相同，两者呈一一对应关系，由此在每一个防断栅结构的背面均形成一个镂空槽。本技术中，所述的感光乳剂为正方形，感光乳剂的边长为0.034～0.084mm，感光乳剂的中心与正电极主栅边缘之间的距离为0.033～0.068mm。与现有技术相比，本技术的网版在正面凸出设置有感光乳剂，当印刷正电极时，在防断栅结构的背面与感光乳剂相对应位置处形成镂空槽，从而可以有效降低正面电极印刷时断栅的几率，保证细栅线最大限度的收集光生载流子，提高电池效率。同时，由于使用断栅的电池片做成组件，会增加组件的热斑效应，而通过防止断栅，达到降低组件局部发热的热斑效应的功能，提高组件寿命。本技术的网版结构设计简单，且具有良好的技术效果，可应用范围广。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明。图1是包含本技术网版的晶硅太阳能电池的正视图；图2是本技术用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版印刷正电极后的正面结构示意图；图3是印刷在本技术用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版上的正电极的背面结构示意图；图4是印刷在本技术用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版的正电极中防断栅结构的背面结构示意图；图5是本技术用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版的正面结构示意图；图6是印刷在本技术用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版上的正电极中方形镂空区域印刷前后高度变化示意图。附图标记说明1、正电极主栅，2、正电极细栅，3、防断栅结构，4、镂空槽，5、网版，6、感光乳剂，7、主栅区域，8、非叠加镂空槽的防断栅区域，9、叠加镂空槽的防断栅区域。具体实施方式如图1至图6所示的用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版，晶硅太阳能电池的正电极包括正电极主栅1、正电极细栅2和防断栅结构3，防断栅结构3和正电极细栅2一体印刷成型，印刷后的防断栅结构3和正电极细栅2形成一线，均与正电极主栅1相垂直，防断栅结构3为八边形，防断栅结构3由位于中部的矩形栅段以及位于矩形栅段两侧的且以矩形栅段为中心对称设置的两段等腰梯形栅段组成，等腰梯形栅段为沿着自正电极主栅1向正电极细栅2的方向截面逐渐变小的减缩型栅段。本实施例中，网版5的正面凸出设置有感光乳剂6，感光乳剂6对应正电极的防断栅结构3，用于在印刷正电极时，在防断栅结构3的背面与感光乳剂6相对应位置处形成镂空槽4，以降低正电极印刷时断栅的几率。本实施例中的感光乳剂6为结构相同的多个，感光乳剂6的数量与防断栅结构3的数量相同，两者呈一一对应关系，由此在每一个防断栅结构3的背面均形成一个镂空槽4。该感光乳剂6为正方形，感光乳剂6的边长为0.050mm，感光乳剂6的中心与正电极主栅1边缘之间的距离为0.038mm。作为本实施例的变换，感光乳剂6的边长也可以在0.034～0.084mm范围内取值，感光乳剂6的中心与正电极主栅1边缘之间的距离也可以在0.033～0.068mm范围内取值。本技术的网版在用于正电极镂空成型的原理如下：在太阳能电池设计网版的时候，在网版对应防断栅结构镂空槽处增加一个凸出的方形感光乳剂，达到在防断栅结构镂空的目的，在实际印刷正电极时，就会在防断栅结构3的背面形成镂空槽4。本技术的网版在正电极镂空成型中，在防断栅结构3的背面形成的镂空槽4的边长大小为0.034～0.084mm，镂空槽4的作用原理见图6，当印刷时刮条经过主栅区域7，对应的浆料印刷高度逐渐降低，直到进入非叠加镂空槽的防断栅区域8，印刷高度逐渐增加；而当印刷进入叠加镂空槽的防断栅区域9时，印刷高度快速厽高，从而进一步提升防断栅效果。因此，本技术的网版在正面凸出设置有感光乳剂，当印刷正电极时，在防断栅结构的背面与感光乳剂相对应位置处形成镂空槽，可以有效降低正面电极印刷时断栅的几率，保证细栅线最大限度的收集光生载流子，提高电池效率。同时，由于使用断栅的电池片做成组件，会增加组件的热斑效应，而本技术通过防止断栅，达到降低组件局部发热的热斑效应的功能，提高组件寿命。本技术结构设计简单，可应用范围广。本技术的上述实施例并不是对本技术保护范围的限定，本技术的实施方式不限于此，凡此种种根据本技术的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本技术上述基本技术思想前提下，对本技术上述结构做出的其它多种形式的修改、替换或变更，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版，所述正电极包括正电极主栅(1)、正电极细栅(2)和防断栅结构(3)，防断栅结构(3)和正电极细栅(2)一体印刷成型，其特征在于：所述网版(5)的正面凸出设置有感光乳剂(6)，所述感光乳剂(6)对应正电极的防断栅结构(3)，用于在印刷正电极时，在防断栅结构(3)的背面与感光乳剂(6)相对应位置处形成镂空槽(4)，以降低正电极印刷时断栅的几率。

【技术特征摘要】
1.用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版，所述正电极包括正电极主栅(1)、正电极细栅(2)和防断栅结构(3)，防断栅结构(3)和正电极细栅(2)一体印刷成型，其特征在于：所述网版(5)的正面凸出设置有感光乳剂(6)，所述感光乳剂(6)对应正电极的防断栅结构(3)，用于在印刷正电极时，在防断栅结构(3)的背面与感光乳剂(6)相对应位置处形成镂空槽(4)，以降低正电极印刷时断栅的几率。2.如权利要求1所述的用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版，其特征在于：所述感光...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纲正，丰明璋，方结彬，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，广东爱旭科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33