反应性热熔硅酮填充容器及用于制造反应性热熔硅酮的方法技术

本发明专利技术的反应性热熔硅酮填充容器的特征在于：容器填充有可交联的硅酮组合物，所述组合物包括：(A)烯基键合的有机聚硅氧烷，其包括具有烯基且软化点为至少50℃的支链有机聚硅氧烷；(B)有机聚硅氧烷，其每分子具有至少两个硅原子键合的氢原子，和(C)氢化硅烷化反应催化剂；加热所述容器以使所述组合物B阶段交联，并且形成在25℃下不可流动且在120℃下熔融粘度为5,000Pa·s或更低的反应性热熔硅酮；施加热使得可能去除反应性热熔硅酮，所述硅酮具有优异间隙填充性能。

Reactive Hot Melt Silicone Filling Container and Method for Manufacturing Reactive Hot Melt Silicone

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】反应性热熔硅酮填充容器及用于制造反应性热熔硅酮的方法
本专利技术涉及一种反应性热熔硅酮填充容器，以及一种用于制造反应性热熔硅酮的方法。
技术介绍
在制造具有设置在基板上的大量LED元件的芯片阵列模块时，使用片状反应性热熔硅酮以共同密封或涂覆大量LED元件。举例而言，专利文献1提出了通过半固化成片状，可交联的硅酮组合物而获得反应性热熔硅酮，所述可交联的硅酮组合物包含：每分子具有至少两个烯基硅烷基的有机聚硅氧烷、每分子具有至少两个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化反应催化剂和反应抑制剂。遗憾的是，由于LED元件和基板之间的间隙，此片状反应性热熔硅酮在密封或涂覆时容易夹带空气，导致如密封或涂覆的LED的外观不良以及可靠性降低的问题。此外，在制备反应性热熔硅酮时，可交联的硅酮组合物的加热有问题地引起组分的蒸发，以及空气抑制氢化硅烷化反应。先前技术文献专利文献专利文献1：日本未审查专利申请公开第2011-219597A号
技术实现思路
本专利技术要解决的问题本专利技术的一个目的是提供一种反应性热熔硅酮填充容器，其在加热时可以萃取具有优异间隙填充特性的反应性热熔硅酮，以及一种用于制造在加热期间抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应性热熔硅酮填充容器，其包括可交联的硅酮组合物，所述组合物包含：(A)烯基键合的有机聚硅氧烷，其包括至少一个具有烯基且软化点为50℃或更高的支化有机聚硅氧烷；(B)有机聚硅氧烷，其每分子具有至少两个硅原子键合的氢原子，其量使得所述组分中的所述硅原子键合的氢原子相对于组分(A)中的1摩尔的所述烯基为0.01至10摩尔；和(C)呈催化剂量的氢化硅烷化反应催化剂，其中将所述组合物填充到容器中，并加热所述容器以使所述组合物在B阶段状态下交联，以形成在25℃下为非流体且在120℃下熔融粘度为5,000Pa·s或更低的反应性热熔硅酮。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.02 JP 2016-2147661.一种反应性热熔硅酮填充容器，其包括可交联的硅酮组合物，所述组合物包含：(A)烯基键合的有机聚硅氧烷，其包括至少一个具有烯基且软化点为50℃或更高的支化有机聚硅氧烷；(B)有机聚硅氧烷，其每分子具有至少两个硅原子键合的氢原子，其量使得所述组分中的所述硅原子键合的氢原子相对于组分(A)中的1摩尔的所述烯基为0.01至10摩尔；和(C)呈催化剂量的氢化硅烷化反应催化剂，其中将所述组合物填充到容器中，并加热所述容器以使所述组合物在B阶段状态下交联，以形成在25℃下为非流体且在120℃下熔融粘度为5,000Pa·s或更低的反应性热熔硅酮。2.根据权利要求1所述的反应性热熔硅酮填充容器，其中相对于100质量份的总的组分(A)至(C)，所述可交联的硅酮组合物还包含(D)呈0.0001至5质量份的量的反应抑制剂。3.根据权利要求1或2所述的反应性热熔硅酮填充容器，其中相对于100质量份的总的组分(A)至(C)，所述可交联的硅酮组合物还包含(E)呈0.01至10质量份的量的有机过氧化物。4.根据权利要求1至3中任一项所述的反应性热熔硅酮...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎春菜，岛涼登，
申请(专利权)人：陶氏东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP