【技术实现步骤摘要】
一种连接器内导体补偿结构
本技术涉及通信设备领域，具体涉及一种连接器内导体补偿结构。
技术介绍
转接器在对插使用时，内导体主要起微波传输的作用，因此需要有较好接触可靠性和稳定性，目前常用的结构是采用倒刺压配与环氧树脂灌封两种结构，而倒刺压配结构由于其装配方式简单，射频泄漏较小的优点深受大家喜欢。现有技术的主要缺点如下：内导体上的倒刺体现了其直径尺寸的不一致，导致了阻抗的不连续，呈现出电感性阻抗变低，微波传输时在此处会产生反射，使用在高于6GHz的频段时性能会比较差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种连接器内导体补偿结构，以克服上述
技术介绍
中现有内导体上的倒刺体现了其直径尺寸的不一致，导致了阻抗的不连续，呈现出电感性阻抗变低，微波传输时在此处会产生反射，使用在高于6GHz的频段时性能会比较差的问题。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种连接器内导体补偿结构，包括内导体，所述内导体上设有倒刺，所述内导体外部还包裹有绝缘介质，所述绝缘介质设有灌封层，所述内导体上设置有一段中间槽，所述中间槽和绝缘介质形成有一段空气腔室。所述灌封层设置于所述绝缘介质中间，所述倒刺部位形成有一段低阻抗段，所述中间槽部位形成有一段高阻抗段。所述内导体通过旋转压配至所述绝缘介质内部，所述中间槽的深度为5mm。所述低阻抗段的宽度为所述绝缘介质的宽度，所述所述低阻抗段的长度为所述倒刺的长度，所述高阻抗段的宽度为所述绝缘介质的宽度，所述高阻抗段的长度为所述中间槽的长度。本技术的有益效果是：通过给倒刺后部增加一个中间槽，形成高阻抗，与倒刺处低阻抗形成补偿，电性能大大提高，最高可达12.4...
【技术保护点】
1.一种连接器内导体补偿结构，其特征在于：包括内导体（1），所述内导体（1）上设有倒刺（2），所述内导体（1）外部还包裹有绝缘介质（3），所述绝缘介质（3）设有灌封层（4），所述内导体（1）上设置有一段中间槽（5），所述中间槽（5）和绝缘介质（3）形成有一段空气腔室（6）。
【技术特征摘要】
1.一种连接器内导体补偿结构，其特征在于：包括内导体（1），所述内导体（1）上设有倒刺（2），所述内导体（1）外部还包裹有绝缘介质（3），所述绝缘介质（3）设有灌封层（4），所述内导体（1）上设置有一段中间槽（5），所述中间槽（5）和绝缘介质（3）形成有一段空气腔室（6）。2.根据权利要求1所述连接器内导体补偿结构，其特征在于：所述灌封层（4）设置于所述绝缘介质（3）中间，所述倒刺（2）部位形成有一段低阻抗段（7），所述中间槽（...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮，
申请(专利权)人：苏州泰莱微波技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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