沟槽隔离结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种沟槽隔离结构，结构包括：衬底，衬底中具有沟槽；绝缘介质层，包括填充于沟槽的第一绝缘部以及凸出于衬底顶面的第二绝缘部，第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于凸起部及第一绝缘部之间的凸起连接部；侧壁保护部，覆盖于述第二绝缘部的凸起部的侧壁；以及侧壁延伸部，覆盖于第二绝缘部的凸起连接部的侧壁；侧壁保护部与绝缘介质层具有不同材质。本实用新型专利技术通过设置支撑层使得沟槽隔离结构的绝缘介质具有凸出于衬底的凸起部，并通过对该凸起部的周侧形成侧壁延伸部及侧壁保护部，侧壁保护部与绝缘介质的材质不同而具有较高的刻蚀选择比，从而可以对绝缘介质进行保护，减小或者避免绝缘介质的侧腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
沟槽隔离结构
本技术属于集成电路设计制造领域，特别是涉及一种沟槽隔离结构及其制作方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的信息存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展，即半导体器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)越小，而半导体芯片的集成度越高。目前，半导体集成电路通常包含有源区和位于有源区之间的隔离区，这些隔离区在制造有源器件之前形成。伴随着半导体工艺进入深亚微米时代，半导体器件的有源区隔离层已大多采用浅沟槽隔离工艺(ShallowTrenchIsolation，STI)来制作。图1显示为一种浅沟槽隔离结构(STI)的俯视结构示意图，图2显示为图1中A-A’处的截面结构示意图，可以看出，在回刻工艺或后续制造半导体器件的其它刻蚀工艺中，形成于衬底101中的浅沟槽隔离结构(STI)102的侧壁可能会发生侧腐蚀而形成一侧腐蚀槽103，该侧腐蚀槽103会导致边缘漏电等缺陷，降低半导体器件的可靠性。基于以上所述，提供一种可以有效防止浅沟槽隔离结构(STI)产生侧腐蚀槽，从而提高器件可靠性的沟槽隔离结构及其制作方法实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中具有沟槽；绝缘介质层，包括填充于所述沟槽的第一绝缘部以及凸出于所述第一绝缘部顶面的第二绝缘部，所述第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于所述凸起部及所述第一绝缘部之间的凸起连接部；侧壁保护部，覆盖于述第二绝缘部的所述凸起部的侧壁；以及侧壁延伸部，覆盖于所述第二绝缘部的所述凸起连接部的侧壁；其中，所述侧壁保护部与所述绝缘介质层具有不同材质。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中具有沟槽；绝缘介质层，包括填充于所述沟槽的第一绝缘部以及凸出于所述第一绝缘部顶面的第二绝缘部，所述第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于所述凸起部及所述第一绝缘部之间的凸起连接部；侧壁保护部，覆盖于述第二绝缘部的所述凸起部的侧壁；以及侧壁延伸部，覆盖于所述第二绝缘部的所述凸起连接部的侧壁；其中，所述侧壁保护部与所述绝缘介质层具有不同材质。2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述第二绝缘部的所述凸起部的高度范围介于5纳米～25纳米，所述第二绝缘部的所述连接部的高度范围介于5纳米～20纳米之间。3.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34