【技术实现步骤摘要】
异质结双极晶体管的散热方法和散热结构
本专利技术涉及一种半导体器件，尤其涉及异质结双极晶体管。
技术介绍
异质结双极晶体管在运行过程中会产生大量的热，造成异质结双极晶体管的表面温度很高，这部分热量如果不及时散出会造成异质结双极晶体管的RF效能降低，因此，改善异质结双极晶体管的散热对于增加异质结双极晶体管的性能具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的主要技术问题是提供一种异质结双极晶体管的散热方法，减小异质结双极晶体管在工作过程中，因为表面温度高而对RF性能造成的损失。为了解决上述的技术问题，本专利技术提供了一种异质结双极晶体管的散热方法，包括如下步骤：1)在异质结双极晶体管的衬底背部涂抹光刻胶；2)在异质结双极晶体管的衬底背部覆盖一遮光罩，所述遮光罩对衬底背部对应功率放大器件的位置进行遮盖；3)通过光刻工艺去除遮光罩没有覆盖的区域的光刻胶；4)去除遮光罩，通过蚀刻工艺对衬底背部对应功率放大器件的位置进行减薄，使得功率放大器件利用减薄后的衬底进行散热。在一较佳实施例中：所述衬底对应功率放大器件的位置减薄后的厚度为10-25微米。在一较佳实施例中：所述遮光罩沿着衬底的长度方向或者宽度方向设置，并遮盖衬底长度方向或者宽度方向上对应多个相邻且同一级功率放大器件的位置。本专利技术还提供了一种异质结双极晶体管的散热结构，异质结双极晶体管的衬底背部在对应功率放大器件的位置向着靠近功率放大器件的方向内凹减薄，使得功率放大器件利用减薄后的衬底进行散热。在一较佳实施例中：所述衬底对应功率放大器件的位置减薄后的厚度为10-25微米。相较于现有技术，本专利技术的技术方案具...
【技术保护点】
1.一种异质结双极晶体管的散热方法，其特征在于包括如下步骤：1)在异质结双极晶体管的衬底背部涂抹光刻胶；2)在异质结双极晶体管的衬底背部覆盖一遮光罩，所述遮光罩对衬底背部对应功率放大器件的位置进行遮盖；3)通过光刻工艺去除遮光罩没有覆盖的区域的光刻胶；4)去除遮光罩，通过蚀刻工艺对衬底背部对应功率放大器件的位置进行减薄，使得功率放大器件利用减薄后的衬底进行散热。
【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管的散热方法，其特征在于包括如下步骤：1)在异质结双极晶体管的衬底背部涂抹光刻胶；2)在异质结双极晶体管的衬底背部覆盖一遮光罩，所述遮光罩对衬底背部对应功率放大器件的位置进行遮盖；3)通过光刻工艺去除遮光罩没有覆盖的区域的光刻胶；4)去除遮光罩，通过蚀刻工艺对衬底背部对应功率放大器件的位置进行减薄，使得功率放大器件利用减薄后的衬底进行散热。2.根据权利要求1所述的一种异质结双极晶体管的散热方法，其特征在于：所述衬底对应功率放大器件的位置减薄后的厚度为10-25微米...
【专利技术属性】
技术研发人员：林志东，郭佳衢，魏鸿基，杨健，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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