一种MOS管的新型结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管的新型结构，包括装置主体，所述装置主体的前端贯穿有第一极杆、第二极杆与第三极杆，所述第一极杆位于第二极杆的一侧，且第三极杆位于第二极杆的另一侧，所述装置主体的后端设置有封装散热壳，所述封装散热壳的两侧外表面均设置有预留槽，所述第一极杆、第二极杆与第三极杆的外部靠近后端位置均设置有限位筒，所述限位筒由加强基座与限位管组成。本实用新型专利技术通过设置有一系列的结构使本装置在使用过程中能够有效地提高该管体的散热性能，可以很好地保护整个管体，一定程度上提高管体的使用寿命，并能够更方便的进行折弯工作，可以很好地保护各个极杆，方便满足不同安装环境的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管的新型结构
本技术涉及MOS管领域，具体为一种MOS管的新型结构。
技术介绍
MOS场效应管也被称为MOSFET，可分为NPN型PNP型，NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型；现有的MOS管封装结构不能够更有效地提高该管体的散热性能，不能够更好地保护整个管体，高温会降低其使用寿命，并且不能够更方便的进行折弯工作，折弯时容易将极杆与封装主体的连接处损坏，为此，我们提出一种MOS管的新型结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种MOS管的新型结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种MOS管的新型结构，包括装置主体，所述装置主体的前端贯穿有第一极杆、第二极杆与第三极杆，所述第一极杆位于第二极杆的一侧，且第三极杆位于第二极杆的另一侧，所述装置主体的后端设置有封装散热壳，所述封装散热壳的两侧外表面均设置有预留槽，所述第一极杆、第二极杆与第三极杆的外部靠近后端位置均设置有限位筒。优选的，所述限位筒由加强基座与限位管组成，所述加强基座与限位管以及装置主体为一体构件。优选的，所述所述限位管的内壁前端设置有导向柱，所述加强基座与限位管的长度至少为mm。优选的，所述封装散热壳的内部设置有引出片，且引出片与装置主体内部的漏极相接，所述封装散热壳与引出片设置有导热硅脂层，且封装散热壳的外表面开设有导热孔，所述封装散热壳的材质为紫铜。优选的，所述装置主体的上端外表面设置有产品标示。优选的，所述第一极杆为栅极极杆，所述第二极杆为漏极极杆，所述第三极杆为源极极杆。综上所述，本技术具有以下有益效果：1、通过在装置主体的后端设置有封装散热壳，封装散热壳的两侧外表面均设置有预留槽，封装散热壳的内部设置有引出片，且引出片与装置主体内部的漏极相接，封装散热壳与引出片设置有导热硅脂层，且封装散热壳的外表面开设有导热孔，封装散热壳的材质为紫铜，在使用过程中，首先需要将该管体按照使用要求接入电路，当在第一极杆上接入正电压时，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流，使源极和漏极之间导通，此时该管体处于导通状态，在导通的过程中，漏极处的电压高，发热厉害，而通过引出片将将热量引出后，再通过导热硅脂层传导至紫铜封装散热壳上，最后热量由导热孔散发出去，这样能够有效地提高该管体的散热性能，可以很好地保护整个管体，一定程度上提高管体的使用寿命；2、通过在第一极杆、第二极杆与第三极杆的外部靠近后端位置均设置有限位筒，限位筒由加强基座与限位管组成，加强基座与限位管以及装置主体为一体构件，限位管的内壁前端设置有导向柱，加强基座与限位管的长度至少为mm，在对该管体进行安装工作时，有时需要将各个极杆折弯来满足不同安装环境的要求，在将极杆折弯时，操作人员可以利用限位管对其进行辅助折弯工作，折弯时的受力点会位于导向柱附近，防止各个极杆的封装处受力过大后损坏，能够更方便的进行折弯工作，可以很好地保护各个极杆，方便满足不同安装环境的要求。附图说明图1为本技术的整体结构示意图；图2为本技术的限位筒与第三极杆的相结合视图；图3为本技术的封装散热壳与引出片的相结合视图。图中：1、装置主体；2、封装散热壳；21、预留槽；22、导热孔；23、导热硅脂层；3、第一极杆；4、第二极杆；5、第三极杆；6、限位筒；61、加强基座；62、限位管；63、导向柱；7、产品标示；8、引出片。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。请参阅图1-3，本技术提供的一种实施例：一种MOS管的新型结构，包括装置主体1，装置主体1的后端设置有封装散热壳2，封装散热壳2的两侧外表面均设置有预留槽21，在导通的过程中，漏极处的电压高，发热厉害，而通过引出片8将将热量引出后，再通过导热硅脂层23传导至紫铜封装散热壳2上，最后热量由导热孔22散发出去，这样能够有效地提高该管体的散热性能，可以很好地保护整个管体，一定程度上提高管体的使用寿命，装置主体1的前端贯穿有第一极杆3、第二极杆4与第三极杆5，第一极杆3位于第二极杆4的一侧，且第三极杆5位于第二极杆4的另一侧，第一极杆3、第二极杆4与第三极杆5的外部靠近后端位置均设置有限位筒6，在将极杆折弯时，操作人员可以利用限位管62对其进行辅助折弯工作，折弯时的受力点会位于导向柱63附近，防止各个极杆的封装处受力过大后损坏，能够更方便的进行折弯工作，可以很好地保护各个极杆，方便满足不同安装环境的要求。进一步，限位筒6由加强基座61与限位管62组成，加强基座61与限位管62以及装置主体1为一体构件，在需要进行极杆的折弯工作时，限位筒6能够有效地保护极杆与装置主体1的连接处。进一步，限位管62的内壁前端设置有导向柱63，加强基座61与限位管62的长度至少为3mm，加强基座61与限位管62的长度用于限制折弯点与装置主体1的最小距离。进一步，封装散热壳2的内部设置有引出片8，且引出片8与装置主体1内部的漏极相接，封装散热壳2与引出片8设置有导热硅脂层23，且封装散热壳2的外表面开设有导热孔22，封装散热壳2的材质为紫铜，导热硅脂层23能够有效地提高引出片8的导热能力。进一步，装置主体1的上端外表面设置有产品标示7，产品标示7用于表明产品的参数。进一步，第一极杆3为栅极极杆，第二极杆4为漏极极杆，第三极杆5为源极极杆，栅极极杆与MOS管内部的栅极相连，漏极极杆与MOS管内部的漏极相连，源极极杆与MOS管内部的源极相连。需要说明的是，本技术为一种MOS管的新型结构，在使用过程中，首先，需要将该管体按照使用要求接入电路，当在第一极杆3上接入正电压时，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流，使源极和漏极之间导通，此时该管体处于导通状态，在导通的过程中，漏极处的电压高，发热厉害，而通过引出片8将将热量引出后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管的新型结构，包括装置主体（1），其特征在于：所述装置主体（1）的前端贯穿有第一极杆（3）、第二极杆（4）与第三极杆（5），所述第一极杆（3）位于第二极杆（4）的一侧，且第三极杆（5）位于第二极杆（4）的另一侧，所述装置主体（1）的后端设置有封装散热壳（2），所述封装散热壳（2）的两侧外表面均设置有预留槽（21），所述第一极杆（3）、第二极杆（4）与第三极杆（5）的外部靠近后端位置均设置有限位筒（6）。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管的新型结构，包括装置主体（1），其特征在于：所述装置主体（1）的前端贯穿有第一极杆（3）、第二极杆（4）与第三极杆（5），所述第一极杆（3）位于第二极杆（4）的一侧，且第三极杆（5）位于第二极杆（4）的另一侧，所述装置主体（1）的后端设置有封装散热壳（2），所述封装散热壳（2）的两侧外表面均设置有预留槽（21），所述第一极杆（3）、第二极杆（4）与第三极杆（5）的外部靠近后端位置均设置有限位筒（6）。2.根据权利要求1所述的一种MOS管的新型结构，其特征在于：所述限位筒（6）由加强基座（61）与限位管（62）组成，所述加强基座（61）与限位管（62）以及装置主体（1）为一体构件。3.根据权利要求2所述的一种MOS管的新型结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锋华，
申请(专利权)人：深圳市茂钿科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44