半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

目的在于提供能够对上方配置有镍膜的半导体基板的污染进行抑制的技术。半导体装置具备：半导体基板；铝合金膜，其配置于半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；催化剂金属膜，其配置于铝合金膜上方，且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；无电解镍镀膜，其配置于催化剂金属膜之上；以及反应物层，其配置于铝合金膜和催化剂金属膜之间，且包含催化剂金属膜的金属。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及具备镍膜的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
在IGBT(绝缘栅型双极晶体管)、二极管等纵向导通的半导体装置的制造工序中，为了降低通电时的电阻而提高电流电压特性，对半导体晶片进行减薄加工。近年来，有时半导体晶片的厚度被减薄至50μm左右。另一方面，现有的主流技术是，在将纵向导通的半导体装置安装于电路基板时，在半导体装置的背面电极进行焊料接合，进行将铝线等连接于表面电极的导线键合。但是，近年来，为了低成本化、提高散热性，正在使用在半导体装置的表面电极以及背面电极这两面进行焊料接合的技术。因此，焊料接合性优异的镍(Ni)/金(Au)的膜对于半导体装置的表面电极是必要的。但是，在进行焊料接合时，由于Ni膜被焊料侵蚀而逐渐减少，所以需要例如大于或等于2μm的比较厚的Ni膜。作为比较厚的Ni膜的形成，由于在基于蒸镀或溅射的成膜的情况下制造成本高并且图案化困难，所以低成本且图案化容易的基于镀覆的形成受到关注。然而，随着上述半导体装置的薄化和表面电极即Ni膜的厚膜化，半导体装置的翘曲即半导体晶片的翘曲变大。其结果，半导体装置的处理变得困难，在向电路基板进行安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具备：半导体基板；铝合金膜，其配置于所述半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；催化剂金属膜，其配置于所述铝合金膜上方且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；无电解镍镀膜，其配置于所述催化剂金属膜之上；以及反应物层，其配置于所述铝合金膜和所述催化剂金属膜之间且包含所述催化剂金属膜的金属。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具备：半导体基板；铝合金膜，其配置于所述半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；催化剂金属膜，其配置于所述铝合金膜上方且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；无电解镍镀膜，其配置于所述催化剂金属膜之上；以及反应物层，其配置于所述铝合金膜和所述催化剂金属膜之间且包含所述催化剂金属膜的金属。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：无电解金镀膜，其配置于所述无电解镍镀膜之上。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述催化剂金属膜的所述金属包含Au、Pd、Ni、Co中的至少任意一个。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述催化剂金属膜的厚度大于或等于20nm且小于或等于200nm。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体基板具有加强部，所述加强部配置于该半导体基板的外周部。6.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：(a)在半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上形成铝合金膜；(b)在所述铝合金膜之上形成催化剂金属膜，所述催化剂金属膜具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野隆二，砂本昌利，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP