一种基于SiC基底式的发光二极管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板，所述连接板的顶部固定连接有外壳，所述连接板内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管和第二电极管，所述第一电极管和第二电极管的顶端均固定连接有连接件，所述外壳的内部固定连接有内壳，且内壳的内表面通过连接杆固定连接有套壳，所述套壳的内部固定连接有支撑板，且支撑板的顶部固定连接有灯芯，且灯芯的左右两侧均连接有导线，本发明专利技术涉及发光二极管技术领域。该基于SiC基底式的发光二极管结构，使第一电极管和第二电极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关，极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI)，减小的系统尺寸和降低的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SiC基底式的发光二极管结构
本专利技术涉及发光二极管
，具体为一种基于SiC基底式的发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极LED芯片的发展管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板(1)，所述连接板(1)的顶部固定连接有外壳(2)，所述连接板(1)内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管(3)和第二电极管(4)，所述第一电极管(3)和第二电极管(4)的顶端均固定连接有连接件(5)，其特征在于：所述外壳(2)的内部固定连接有内壳(6)，且内壳(6)的内表面通过连接杆(7)固定连接有套壳(8)，所述套壳(8)的内部固定连接有支撑板(9)，且支撑板(9)的顶部固定连接有灯芯(10)，且灯芯(10)的左右两侧均连接有导线(11)，所述导线(11)的一端贯穿套壳(8)并延伸至套壳(8)的外部，且导线(11)的一端与连接件(5)的顶部连...

【技术特征摘要】
1.一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板(1)，所述连接板(1)的顶部固定连接有外壳(2)，所述连接板(1)内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管(3)和第二电极管(4)，所述第一电极管(3)和第二电极管(4)的顶端均固定连接有连接件(5)，其特征在于：所述外壳(2)的内部固定连接有内壳(6)，且内壳(6)的内表面通过连接杆(7)固定连接有套壳(8)，所述套壳(8)的内部固定连接有支撑板(9)，且支撑板(9)的顶部固定连接有灯芯(10)，且灯芯(10)的左右两侧均连接有导线(11)，所述导线(11)的一端贯穿套壳(8)并延伸至套壳(8)的外部，且导线(11)的一端与连接件(5)的顶部连接。2.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所述套壳(8)的形状为不规则形状，所述内壳(6)的内表面有不规则的透明玻璃组成。3.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所述第一电极管(3)和第二电极管(4)均由SiC材料制成。4.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所述第一电极管(3)和第二电极管(4)的外表面与连接板(1)的内表面之间均固定连接有密封圈(12)。5.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁纪文，
申请(专利权)人：扬州港信光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32