一种基于SiC基底式的发光二极管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板，所述连接板的顶部固定连接有外壳，所述连接板内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管和第二电极管，所述第一电极管和第二电极管的顶端均固定连接有连接件，所述外壳的内部固定连接有内壳，且内壳的内表面通过连接杆固定连接有套壳，所述套壳的内部固定连接有支撑板，且支撑板的顶部固定连接有灯芯，且灯芯的左右两侧均连接有导线，本发明专利技术涉及发光二极管技术领域。该基于SiC基底式的发光二极管结构，使第一电极管和第二电极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关，极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI)，减小的系统尺寸和降低的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SiC基底式的发光二极管结构
本专利技术涉及发光二极管
，具体为一种基于SiC基底式的发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极LED芯片的发展管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。发光二极管作为一种指示灯可以发出各种颜色的灯，为现代生活增加了许多色彩，现有的发光二极管并不是基于SiC基底式，开关性能与温度有关关，热性能比较差，使用成本比较高，延迟了开关速度，并且现有的发光二极管没有一个保护外壳的结构，安全性比较低。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种基于SiC基底式的发光二极管结构，解决了现有的发光二极管并不是基于SiC基底式，开关性能与温度有关关，热性能比较差，使用成本比较高，延迟了开关速度，并且现有的发光二极管没有一个保护外壳的结构，安全性比较低的问题。(二)技术方案为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板，所述连接板的顶部固定连接有外壳，所述连接板内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管和第二电极管，所述第一电极管和第二电极管的顶端均固定连接有连接件，所述外壳的内部固定连接有内壳，且内壳的内表面通过连接杆固定连接有套壳，所述套壳的内部固定连接有支撑板，且支撑板的顶部固定连接有灯芯，且灯芯的左右两侧均连接有导线，所述导线的一端贯穿套壳并延伸至套壳的外部，且导线的一端与连接件的顶部连接。优选的，所述套壳的形状为不规则形状，所述内壳的内表面有不规则的透明玻璃组成。优选的，所述第一电极管和第二电极管均由SiC材料制成。优选的，所述第一电极管和第二电极管的外表面与连接板的内表面之间均固定连接有密封圈。优选的，所述外壳的外表面套设有保护壳，所述保护壳的内表面固定连接有套圈，且套圈的内表面固定连接有缓冲圈。优选的，所述保护壳底部的左右两侧均固定连接有连杆，且连杆的底端固定连接有卡块，且卡块的一侧开设有限位槽。优选的，所述连接板的顶部开设有与卡块相适配的卡槽，所述卡槽内表面的一侧通过弹簧固定连接有滑动块，且滑动块的外表面与卡槽的内表面滑动连接。优选的，所述滑动块的一侧固定连接有与限位槽相适配的限位块，所述滑动块另一侧的顶部和底部均固定连接有导杆，且导杆的外表现与连接板的内表面滑动连接。优选的，所述滑动块的正面固定连接有连接柱，所述连接柱的一端贯穿连接板并延伸至连接板的外部，所述连接柱位于连接板外部的一端固定连接有把手。(三)有益效果本专利技术提供了一种基于SiC基底式的发光二极管结构。具备以下有益效果：(1)、该基于SiC基底式的发光二极管结构，通过包括连接板，连接板的顶部固定连接有外壳，连接板内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管和第二电极管，第一电极管和第二电极管的顶端均固定连接有连接件，外壳的内部固定连接有内壳，且内壳的内表面通过连接杆固定连接有套壳，套壳的内部固定连接有支撑板，且支撑板的顶部固定连接有灯芯，且灯芯的左右两侧均连接有导线，导线的一端贯穿套壳并延伸至套壳的外部，且导线的一端与连接件的顶部连接，第一电极管和第二电极管均由SiC材料制成，使第一电极管和第二电极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关，极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI)，减小的系统尺寸和降低的成本。(2)、该基于SiC基底式的发光二极管结构，通过套壳的形状为不规则形状，内壳的内表面有不规则的透明玻璃组成，利用套壳和内壳之间的配合，可以增加对灯芯发射出的光进行不断的折射和反射，以此增加该二极管的亮度，降低用电量的使用成本，大大提高了二极管的实用性，并达到节能的目的。(3)、该基于SiC基底式的发光二极管结构，通过连接板的顶部开设有与卡块相适配的卡槽，卡槽内表面的一侧通过弹簧固定连接有滑动块，且滑动块的外表面与卡槽的内表面滑动连接，滑动块的一侧固定连接有与限位槽相适配的限位块，滑动块另一侧的顶部和底部均固定连接有导杆，且导杆的外表现与连接板的内表面滑动连接，滑动块的正面固定连接有连接柱，连接柱的一端贯穿连接板并延伸至连接板的外部，连接柱位于连接板外部的一端固定连接有把手，利用滑动块、限位块、弹簧和连接柱之间的配合便于对保护壳拆卸和固定，可以在不使用该二极管使对其进行很好的收藏，避免外壳被碰坏，由此延长了该二极管的使用寿命。附图说明图1为本专利技术结构示意图；图2为本专利技术的内部结构示意图；图3为本专利技术套圈和缓冲圈的结构示意图；图4为本专利技术连接板、卡块和滑动块的结构示意图；图5为本专利技术连接板和连杆的外部结构示意图；图6为本专利技术图4中A处的局部放大图。图中，1-连接板、2-外壳、3-第一电极管、4-第二电极管、5-连接件、6-内壳、7-连接杆、8-套壳、9-支撑板、10-灯芯、11-导线、12-密封圈、13-保护壳、14-套圈、15-缓冲圈、16-连杆、17-卡块、18-限位槽、19-卡槽、20-弹簧、21-滑动块、22-限位块、23-导杆、24-连接柱、25-把手。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-6，本专利技术实施例提供一种技术方案：一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板1，连接板1的顶部开设有与卡块17相适配的卡槽19，卡槽19内表面的一侧通过弹簧20固定连接有滑动块21，利用滑动块21、限位块22、弹簧20和连接柱24之间的配合便于对保护壳13拆卸和固定，可以在不使用该二极管使对其进行很好的收藏，避免外壳2被碰坏，由此延长了该二极管的使用寿命，滑动块21的一侧固定连接有与限位槽18相适配的限位块22，滑动块21另一侧的顶部和底部均固定连接有导杆23，且导杆23的外表现与连接板1的内表面滑动连接，滑动块21的正面固定连接有连接柱24，连接柱24的一端贯穿连接板1并延伸至连接板1的外部，连接柱24位于连接板外部的一端固定连接有把手25，且滑动块21的外表面与卡槽19的内表面滑动连接，连接板1的顶部固定连接有外壳2，外壳2的外表面套设有保护壳13，保护壳13底部的左右两侧均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板(1)，所述连接板(1)的顶部固定连接有外壳(2)，所述连接板(1)内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管(3)和第二电极管(4)，所述第一电极管(3)和第二电极管(4)的顶端均固定连接有连接件(5)，其特征在于：所述外壳(2)的内部固定连接有内壳(6)，且内壳(6)的内表面通过连接杆(7)固定连接有套壳(8)，所述套壳(8)的内部固定连接有支撑板(9)，且支撑板(9)的顶部固定连接有灯芯(10)，且灯芯(10)的左右两侧均连接有导线(11)，所述导线(11)的一端贯穿套壳(8)并延伸至套壳(8)的外部，且导线(11)的一端与连接件(5)的顶部连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于SiC基底式的发光二极管结构，包括连接板(1)，所述连接板(1)的顶部固定连接有外壳(2)，所述连接板(1)内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管(3)和第二电极管(4)，所述第一电极管(3)和第二电极管(4)的顶端均固定连接有连接件(5)，其特征在于：所述外壳(2)的内部固定连接有内壳(6)，且内壳(6)的内表面通过连接杆(7)固定连接有套壳(8)，所述套壳(8)的内部固定连接有支撑板(9)，且支撑板(9)的顶部固定连接有灯芯(10)，且灯芯(10)的左右两侧均连接有导线(11)，所述导线(11)的一端贯穿套壳(8)并延伸至套壳(8)的外部，且导线(11)的一端与连接件(5)的顶部连接。2.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所述套壳(8)的形状为不规则形状，所述内壳(6)的内表面有不规则的透明玻璃组成。3.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所述第一电极管(3)和第二电极管(4)均由SiC材料制成。4.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所述第一电极管(3)和第二电极管(4)的外表面与连接板(1)的内表面之间均固定连接有密封圈(12)。5.根据权利要求1所述的一种基于SiC基底式的发光二极管结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁纪文，
申请(专利权)人：扬州港信光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32