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一种基于SiC基底式的发光二极管结构制造技术
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下载一种基于SiC基底式的发光二极管结构的技术资料
文档序号:21436363
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本发明公开了一种基于SiC基底式的发光二极管结构,包括连接板,所述连接板的顶部固定连接有外壳,所述连接板内部的左右两侧分别贯穿有第一电极管和第二电极管,所述第一电极管和第二电极管的顶端均固定连接有连接件,所述外壳的内部固定连接有内壳,且内壳...
该专利属于扬州港信光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州港信光电科技有限公司授权不得商用。
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