发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置。发光装置包括：基板；半导体叠层，位于基板上，包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层和第二半导体层之间的活性层；通孔，穿过第二半导体层及活性层，以暴露第一半导体层的第二表面；第一焊垫电极，覆盖通孔并接触第一半导体层的上表面；以及绝缘层，包括暴露第一半导体层的第一开口及暴露第二半导体层的第二开口，基板包括暴露在半导体叠层周围的表面及边缘侧，第一半导体层包括第一外壁，第二半导体层包括第二外壁，绝缘层覆盖第一半导体层的第一外壁和第二半导体层的第二外壁，并接触暴露在半导体叠层周围的基板的表面，绝缘层包括与基板的表面接触的部分，绝缘层的部分包括边缘侧。

【技术实现步骤摘要】
发光装置本专利技术是2016年10月14日所提出的申请号为201610900247.8、专利技术名称为《发光二极管芯片》的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光装置。
技术介绍
发光二极管用在大型背光单元(BackLightUnit：BLU)、普通照明及电气组件等各种产品中，并且广泛地用在小型家电产品及装饰产品。发光二极管除简单地用作光源以外，也用于传达信息、彰显美感等各种用途。因此，要求利用发光二极管的产品的设计自由度。例如，需在可挠性印刷电路板(FlexiblePrintedCircuitsBoard：FPCB)安装发光二极管而自由地变更产品的形态。尤其，要求可根据需求者的需要自由地变更形态的产品。然而，发光二极管例如由氮化镓类单晶半导体制作，故而无法变更发光二极管的形态。但是，如果将小型发光二极管安装到可挠性印刷电路板等，则可制作变形较为自由的产品。因此，为了制造可变形的产品，要求发光二极管的小型化。另一方面，大部分的发光二极管通常利用焊料安装到引线。在利用焊料安装发光二极管的情况下，因焊料的流动性而发光二极管易于发生歪斜(tilting)。为了解决这种问题，可在引线形成槽而防止因焊料引起的发光二极管的歪斜。但是，难以对具有柔软性的FPCB等基板上的引线进行形成槽等加工，在引线形成槽的情况下，当改变产品的形态时，引线易于发生断线而产生产品的可靠性下降的问题。而且，在以较窄的间隔配置小型的发光二极管的情况下，在引线的较多部分形成槽，因此可靠性更下降。因此，要求开发一种不仅制造产率较高，而且可确保设计自由度、确保适于各种设计的耐久性、适于防止歪斜的发光二极管芯片及发光装置。
技术实现思路
[专利技术欲解决的课题]本专利技术欲解决的课题在于提供一种将面积及厚度最小化，并且发光效率较高且制造产率较高的发光二极管芯片。本专利技术欲解决的又一课题在于提供一种不仅可防止电气短路，而且还可减少所制造的芯片间的电性能偏差的倒装芯片型发光二极管芯片。本专利技术欲解决的又一课题在于提供一种通过利用最小限度的厚度的接合部将经小型化及薄型化的发光二极管芯片安装到基板上而实现薄型化的发光装置，且提供一种耐久性优异的发光装置。本专利技术欲解决的又一课题在于提供一种不仅可确保产品的耐久性，而且在进行安装时还可防止歪斜的发光二极管芯片及发光装置。本专利技术欲解决的又一课题在于提供一种包括经小型化及薄型化的发光二极管芯片和/或发光装置的应用产品。[解决课题的手段]本专利技术的一实施例的发光二极管芯片包括：基板，包括形成在上表面的多个突出部；发光构造体，位于所述基板上，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，且包括贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层而使所述第一导电型半导体层的一部分露出的至少一个孔；接触电极，至少局部地位于所述第二导电型半导体层上，包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的透光性导电氧化物；反光性绝缘层，覆盖所述发光构造体的侧面及上表面，包括使通过所述孔露出的第一导电型半导体层露出的第一开口部、及使所述接触电极局部地露出的第二开口部，且包括分布布拉格反射器；第一焊垫电极，位于所述反光性绝缘层上，通过所述第一开口部而与所述第一导电型半导体层电连接；及第二焊垫电极，位于所述反光性绝缘层上，通过所述第二开口部而与所述接触电极电连接；且所述基板的上表面的一部分露出到所述发光构造体的周边，所述反光性绝缘层与露出在所述发光构造体的周边的基板的上表面相接，所述基板的上部棱角与所述反光性绝缘层隔开。本专利技术的又一实施方式的发光装置包括：第二基板；发光二极管芯片，位于所述第二基板上；及第一接合部及第二接合部，位于所述发光二极管芯片与所述第二基板之间；所述发光二极管芯片包括：第一基板，包括形成在下表面的多个突出部；发光构造体，位于所述第一基板的下方，包括第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层上的第一导电型半导体层、及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，且包括贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层而使所述第一导电型半导体层的一部分露出的至少一个孔；接触电极，至少局部地位于所述第二导电型半导体层的下方，与所述第二导电型半导体层欧姆接触；反光性绝缘层，覆盖所述发光构造体的侧面及下表面，包括使通过所述孔露出的第一导电型半导体层露出的第一开口部、及使所述接触电极局部地露出的第二开口部，且包括分布布拉格反射器；第一焊垫电极，位于所述反光性绝缘层的下方，通过所述第一开口部而与所述第一导电型半导体层电连接；及第二焊垫电极，位于所述反光性绝缘层的下方，通过所述第二开口部而与所述接触电极电连接；且所述第一基板的下表面的一部分露出到所述发光构造体的周边，所述反光性绝缘层与露出在所述发光构造体的周边的第一基板的下表面相接，所述第一基板的下部棱角与所述反光性绝缘层隔开，所述第一接合部及所述第二接合部分别电连接到所述第一焊垫电极及第二焊垫电极。根据本专利技术的又一实施例，提供一种发光二极管芯片，其包括：基板；第一导电型半导体层，配置在所述基板上；台面，配置到所述第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层及所述台面，包括使所述第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部、及位于所述台面的上部的第二开口部；第一焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第一开口部而电连接到所述第一导电型半导体层；及第二焊垫电极，配置到所述绝缘层的上部，通过所述第二开口部而电连接到所述第二导电型半导体层；且所述绝缘层的第一开口部包括由所述第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到所述第一焊垫电极的外部的第二区域。在一实施例中，所述绝缘层包括多个所述第一开口部，所述第一开口部中的两个分别配置在所述台面的两侧面。在一实施例中，所述第一开口部中的一个配置在所述台面的两侧面中的一侧面。在一实施例中，所述台面包括从侧面凹陷的多个沟槽，多个所述第一开口部分别使在多个所述沟槽内露出的所述第一导电型半导体层局部地露出。在一实施例中，所述台面还包括使所述第一导电型半导体层露出的贯通孔，所述绝缘层还包括在所述贯通孔内使所述第一导电型半导体层露出的开口部，所述第一焊垫电极通过所述贯通孔电连接到所述第一导电型半导体层。在一实施例中，所述贯通孔配置在所述沟槽之间，所述沟槽配置在所述台面的两侧面。在一实施例中，所述第一开口部的第二区域使所述第一导电型半导体层的侧面局部地露出。在一实施例中，发光二极管芯片还包括接触电极，所述接触电极配置到所述台面与所述绝缘层之间而与所述第二导电型半导体层接触，所述第二焊垫电极连接到所述接触电极。在一实施例中，在所述活性层产生的光通过所述基板向外部射出，并且通过所述第一焊垫电极与所述第二焊垫电极之间的区域向外部射出。在一实施例中，所述接触电极为使在所述活性层产生的光透射的透明电极。根据本专利技术的又一实施例，提供一种发光装置，其包括：基底；导电性配线，配置在所述基底上；所述发光二极管芯片，配置在所述基底上；及第一接合材及第二接合材，使所述发光二极管芯片接合到所述导电性配线。[专利技术效果]根据本专利技术，提供一种构造简单的发光二极管芯片，由此可提供经小型化及薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，包括：基板；半导体叠层，位于所述基板上，包括第一半导体层、第二半导体层及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的活性层；通孔，穿过所述第二半导体层及所述活性层，以暴露所述第一半导体层的第二表面；第一焊垫电极，覆盖所述通孔并接触所述第一半导体层的上表面；以及绝缘层，包括暴露所述第一半导体层的第一开口及暴露所述第二半导体层的第二开口，其中所述基板包括暴露在所述半导体叠层周围的表面及边缘侧，其中所述第一半导体层包括第一外壁，其中所述第二半导体层包括第二外壁，其中所述绝缘层覆盖所述第一半导体层的所述第一外壁和所述第二半导体层的所述第二外壁，并接触暴露在所述半导体叠层周围的所述基板的表面，其中所述绝缘层包括与所述基板的表面接触的部分，且所述绝缘层的部分包括边缘侧，其中所述基板的边缘侧与所述绝缘层的边缘侧隔开。

【技术特征摘要】
2015.10.16 KR 10-2015-0144997;2015.12.17 KR 10-2011.一种发光装置，包括：基板；半导体叠层，位于所述基板上，包括第一半导体层、第二半导体层及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的活性层；通孔，穿过所述第二半导体层及所述活性层，以暴露所述第一半导体层的第二表面；第一焊垫电极，覆盖所述通孔并接触所述第一半导体层的上表面；以及绝缘层，包括暴露所述第一半导体层的第一开口及暴露所述第二半导体层的第二开口，其中所述基板包括暴露在所述半导体叠层周围的表面及边缘侧，其中所述第一半导体层包括第一外壁，其中所述第二半导体层包括第二外壁，其中所述绝缘层覆盖所述第一半导体层的所述第一外壁和所述第二半导体层的所述第二外壁，并接触暴露在所述半导体叠层周围的所述基板的表面，其中所述绝缘层包括与所述基板的表面接触的部分，且所述绝缘层的部分包括边缘侧，其中所述基板的边缘侧与所述绝缘层的边缘侧隔开。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述基板在所述基板的表面上具有多个突出部。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中所述绝缘层的边缘侧位于多个所述突出部中的一个上。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述绝缘层包括介电材料。5.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述绝缘层包括界面层和多个介电体层，所述介电体层设置在所述界面层上。6.根据权利要求5所述的发光装置，其中所述界面层具有0.2μm至1.0μm的厚度。7.根据权利要求5所述的发光装置，其中多个所述介电体层相对于在400nm至700nm的波长下具有0°至60°的入射角的光具有90％或更高的反射率。8.根据权利要求1所述的发光装置，还包括在所述绝缘层和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金艺瑟，金京完，禹尚沅，金智惠，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR