【技术实现步骤摘要】
氮化铝陶瓷高温氢气烧结炉
本技术属烧结炉
,具体涉及一种氮化铝陶瓷高温氢气烧结炉。
技术介绍
氮化铝陶瓷高温烧结炉被广泛的应用于氮化铝陶瓷基板的烧结,氮化铝陶瓷具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗,综合性能优良,非常适应于半导体基片和结构封装材料,广泛的应用于LED、传感器、功率半导体领域。现有的氮化铝烧结多采用石墨炉,采用石墨做发热体、石墨碳毡做保温炉衬,此烧结炉结构,石墨高温下挥发极大,严重的影响氮化铝基板的品质,污染夹渣严重。另一种技术采用进口的钟罩立式高温烧结炉,结构设计不合理,温场均温性差,温区高度方向上下两个端头温差极大,底部温度过高、顶部温度过低,只有中间一小部分可以烧出合格产品。设备有效利用空间极小、无功损耗过大,制约了产能的发挥。同时进出氢气通道设计不合理,导致炉内挥发极大,氮化铝附着在金属隔热屏和炉体内壁上,降低了金属隔热屏的隔热性能,屏变形量大,漏热严重,严重影响设备均温性能。因此有必要提出改进。
技术实现思路
本技术解决的技术问题:提供一种氮化铝陶瓷高温氢气烧结炉,本技术低挥发型炉衬采用全金属钨钼材料制成,钨钼材料的饱和 ...
【技术保护点】
1.氮化铝陶瓷高温氢气烧结炉,其特征在于:包括炉体(1),所述炉体(1)上口通过上炉盖(7)盖合,所述炉体(1)下口通过可上下升降的活动炉底(2)盖合,所述活动炉底(2)通过固定于地基上的平台升降传动系统(24)实现上下升降,所述炉体(1)内部设有防止对炉内氮化铝物料造成污染的低挥发型炉衬(3),所述低挥发型炉衬(3)内部设有能够保持炉内温度均衡的均温型加热器(16),所述上炉盖(7)上设有上进气通道(20),所述活动炉底(2)上设有下出气通道(23),所述上进气通道(20)和下出气通道(23)形成上进下出的氢气进出通道结构。
【技术特征摘要】
1.氮化铝陶瓷高温氢气烧结炉,其特征在于:包括炉体(1),所述炉体(1)上口通过上炉盖(7)盖合,所述炉体(1)下口通过可上下升降的活动炉底(2)盖合,所述活动炉底(2)通过固定于地基上的平台升降传动系统(24)实现上下升降,所述炉体(1)内部设有防止对炉内氮化铝物料造成污染的低挥发型炉衬(3),所述低挥发型炉衬(3)内部设有能够保持炉内温度均衡的均温型加热器(16),所述上炉盖(7)上设有上进气通道(20),所述活动炉底(2)上设有下出气通道(23),所述上进气通道(20)和下出气通道(23)形成上进下出的氢气进出通道结构。2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷高温氢气烧结炉,其特征在于:所述低挥发型炉衬(3)包括设于炉体(1)内侧面一周的侧隔热屏(4)、固定于上炉盖(7)内侧的顶部隔热屏(5)和固定于活动炉底(2)内侧的底部隔热屏(6),所述炉体(1)内表面设有对侧隔热屏(4)进行定位的侧屏定位装置(17),所述侧隔热屏(4)、顶部隔热屏(5)和底部隔热屏(6)均采用全金属钨钼材料制成。3.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷高温氢气烧结炉,其特征在于:所述侧隔热屏(4)主要是由多个套合在一起的单侧屏(401)组成,所述套合在一起的多个单侧屏(401)外上部设有侧屏支架(402),所述多个单侧屏(401)通过侧屏支撑柱(403)与侧屏支架(402)固定连接,相邻两个所述单侧屏(401)之间设有侧屏隔柱组件(404),所述侧隔热屏(4)内外表面上均设有侧屏横筋(405),所述侧隔热屏(4)内表面下部设有侧屏定型环(406);所述顶部隔热屏(5)包括多个顶部单屏片(501),所述多个顶部单屏片(501)通过上螺栓组件(502)固定在顶屏支撑板(503)上;所述底部隔热屏(6)包括多个底部单屏片(601),所述多个底部单屏片(601)通过下...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘云飞,张春生,房阳阳,齐亚军,王社礼,
申请(专利权)人:宝鸡鼎晟真空热技术有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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