一种金属桥结构及搭桥式触摸屏制造技术

技术编号:21404825 阅读:21 留言:0更新日期:2019-06-19 08:43
本实用新型专利技术公开了一种金属桥结构及搭桥式触摸屏。该金属桥结构用于搭桥式触摸屏,包括依次层叠的第一金属桥体、第二金属桥体和第三金属桥体,所述第一金属桥体和第三金属桥体的反射率低于所述第二金属桥体。该金属桥结构具有更低的反光率,可减少搭桥式触摸屏上肉眼可见的桥点数量,使之显示效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种金属桥结构及搭桥式触摸屏
本技术涉及触摸技术,尤其涉及一种金属桥结构及搭桥式触摸屏。
技术介绍
搭桥式触摸屏采用单层触摸电极+桥体的搭接结构,触摸电极中包括有同层相互交错的X电极和Y电极,其中X电极连续走线导通,Y电极在交错处断开后通过桥体搭接走线导通;桥体依据材料的不同分为ITO桥和金属桥两种,由于金属桥少了一道ITO溅射工艺,在成本和工艺上更具有优势,但是,金属桥的反光率较大,反射光线后容易形成肉眼可见的桥点。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足,本技术提供一种金属桥结构及搭桥式触摸屏。该金属桥结构具有更低的反光率,可减少搭桥式触摸屏上肉眼可见的桥点数量,使之显示效果更好。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种金属桥结构,用于搭桥式触摸屏,包括依次层叠的第一金属桥体、第二金属桥体和第三金属桥体,所述第一金属桥体和第三金属桥体的反射率低于所述第二金属桥体。进一步地,所述第二金属桥体的电阻率低于所述第一金属桥体和第三金属桥体。进一步地,所述第一金属桥体为氧化金属或氮化金属,和/或,所述第三金属桥体为氧化金属或氮化金属。进一步地,所述第一金属桥体为氧化钼或氮化钼,和/或,所述第三金属桥体为氧化钼或氮化钼。进一步地,所述第二金属桥体为纯金属或合金金属。进一步地,所述第二金属桥体为铝或钛合金。一种搭桥式触摸屏,包括触摸电极、第一绝缘桥体和上述的金属桥结构,所述触摸电极包括同层纵横交错的多条X电极和多条Y电极,其中,所述X电极在X方向上保持连续,所述Y电极在与所述X电极的交错处断开;在所述X电极和Y电极的交错处,所述第一绝缘桥体和金属桥结构依次设于所述X电极上,所述Y电极在Y方向上通过与所述金属桥结构的两端连续搭接导通。进一步地,所述金属桥结构的两端分别从所述第一绝缘桥体的两端上露出,以与所述Y电极进行搭接。进一步地,还包括衬底基板,所述触摸电极、第一绝缘桥体和金属桥结构依次设于所述衬底基板上。进一步地,还包括衬底基板,所述金属桥结构、第一绝缘桥体和触摸电极依次设于所述衬底基板上。进一步地,还包括第二绝缘桥体,所述第二绝缘桥体设于所述X电极和Y电极的交错处。本技术具有如下有益效果:该金属桥结构采用多层金属结构,其上下表层的所述第一金属桥体和第三金属桥体的反射率均低于中间层的所述第二金属桥体,相较于现有的单层金属结构的金属桥,其表面具有更低的反光率,可减少搭桥式触摸屏上肉眼可见的桥点数量,使之显示效果更好。附图说明图1为本技术提供的金属桥体的示意图;图2为本技术提供的搭桥式触摸屏的示意图;图3为图2所示的搭桥式触摸屏的A-A剖视图;图4为图2所示的另一搭桥式触摸屏的A-A剖视图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明。实施例一如图1所示,一种金属桥结构2,用于搭桥式触摸屏,包括依次层叠的第一金属桥体21、第二金属桥体22和第三金属桥体23,所述第一金属桥体21和第三金属桥体23的反射率低于所述第二金属桥体22。该金属桥结构2采用多层金属结构,其上下表层的所述第一金属桥体21和第三金属桥体23的反射率均低于中间层的所述第二金属桥体22,相较于现有的单层金属结构的金属桥,其表面具有更低的反光率,可减少搭桥式触摸屏上肉眼可见的桥点数量,使之显示效果更好。所述第二金属桥体22主要用于进行导电,因此其电阻率低于所述第一金属桥体21和第三金属桥体23。所述第一金属桥体21可以为氧化金属或氮化金属,和/或,所述第三金属桥体23可以为氧化金属或氮化金属;即在溅射对应的纯金属层时,在溅射室内通入氧气或氮气,使对应的纯金属层氧化或氮化为氧化金属层或氮化金属层,再进行桥体刻蚀。纯金属经过氧化或氮化后虽然反射率会下降,但是电阻率却会相应上升,因此,所述第一金属桥体21和/或所述第三金属桥体23优选为电阻率相对较低的氧化金属或氮化金属,比如:所述第一金属桥体21为氧化钼或氮化钼,和/或,所述第三金属桥体23为氧化钼或氮化钼。所述第二金属桥体22可以为纯金属或合金金属,比如:铝或钛合金。实施例二如图2-4所示,一种搭桥式触摸屏,包括触摸电极1、第一绝缘桥体3和实施例一所述的金属桥结构2,所述触摸电极1包括同层纵横交错的多条X电极11和多条Y电极12,其中,所述X电极11在X方向上保持连续,所述Y电极12在与所述X电极11的交错处断开;在所述X电极11和Y电极12的交错处,所述第一绝缘桥体3和金属桥结构2依次设于所述X电极11上,所述Y电极12在Y方向上通过与所述金属桥结构2的两端连续搭接导通。所述X电极11包括沿X方向连续连接的多个第一电极块,所述第一电极块可以但不限于为菱形、矩形、三角形或不规则形状等;所述Y电极12包括沿Y方向通过所述金属桥结构2连续搭接的多个第二电极块,所述第二电极块可以但不限于为菱形、矩形、三角形或不规则形状等。所述金属桥结构2的两端分别从所述第一绝缘桥体3的两端上露出,以与所述Y电极12进行搭接。该搭桥式触摸屏还包括衬底基板5,依据所述金属桥结构2与所述触摸电极1之间的上下位置分为上搭桥和下搭桥两种,在上搭桥中,如图3所示,所述触摸电极1、第一绝缘桥体3和金属桥结构2依次设于所述衬底基板5上,在下搭桥中,如图4所示,所述金属桥结构2、第一绝缘桥体3和触摸电极1依次设于所述衬底基板5上。该搭桥式触摸屏还包括第二绝缘桥体4,所述第二绝缘桥体4设于所述X电极11和Y电极12的交错处,在上搭桥中,如图3所示,所述第二绝缘桥体4设于所述金属桥结构2上,在下搭桥中,如图4所示,所述第二绝缘桥体4设于所述触摸电极1上。以上所述实施例仅表达了本技术的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属桥结构,用于搭桥式触摸屏,其特征在于,包括依次层叠的第一金属桥体、第二金属桥体和第三金属桥体,所述第一金属桥体和第三金属桥体的反射率低于所述第二金属桥体。

【技术特征摘要】
1.一种金属桥结构,用于搭桥式触摸屏,其特征在于,包括依次层叠的第一金属桥体、第二金属桥体和第三金属桥体,所述第一金属桥体和第三金属桥体的反射率低于所述第二金属桥体。2.根据权利要求1所述的金属桥结构,其特征在于,所述第二金属桥体的电阻率低于所述第一金属桥体和第三金属桥体。3.根据权利要求1或2所述的金属桥结构,其特征在于,所述第一金属桥体为氧化金属或氮化金属,和/或,所述第三金属桥体为氧化金属或氮化金属。4.根据权利要求3所述的金属桥结构,其特征在于,所述第一金属桥体为氧化钼或氮化钼,和/或,所述第三金属桥体为氧化钼或氮化钼。5.根据权利要求1或2所述的金属桥结构,其特征在于,所述第二金属桥体为纯金属或合金金属。6.根据权利要求5所述的金属桥结构,其特征在于,所述第二金属桥体为铝或钛合金。7.一种搭桥式触摸屏,其特征在于,包括触摸电极、第一绝缘桥...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘威吴德生
申请(专利权)人:信利光电股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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