发光二极管的外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体光电领域。在AlN层与未掺杂GaN层之间依次设置AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层，AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层Al的组分可在以下范围：0.4≤x≤1，0.2≤y≤0.4，AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层Al的组分在该范围内时，可缓解AlN层及未掺杂GaN层之间的晶格失配。且AlxGa1‑xN层中Al的组分与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层中Al的组分均沿二者生长方向逐渐减小，二者中Al的组分在二者的界面处相等，能够较好地实现AlN层与未掺杂GaN层的连接，减小AlN层及未掺杂GaN层之间由晶格失配产生的缺陷，提高最终得到的发光二极管的外延片的晶体质量，提高最终得到的发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管的外延片及其制备方法
本专利技术涉及半导体光电领域，特别涉及发光二极管的外延片及其制备方法。
技术介绍
外延片是制作发光二极管的基础结构，外延片的结构包括衬底及在衬底上生长出的外延层。其中，外延层的结构主要包括：依次生长在衬底上的AlN层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层。AlN层的设置可缓解衬底与未掺杂的GaN层之间的较大的晶格失配，以提高最终得到的外延片的整体晶体质量，但AlN层缓解衬底与未掺杂的GaN层之间的晶格失配的效果有限，使得在AlN层上生长的未掺杂的GaN层中仍存在较多的晶体缺陷，最终得到的外延片的晶体质量仍不够理想。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了发光二极管的外延片及其制备方法，能够提高最终得到的发光二极管的外延片的晶体质量。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的AlN层、AlxGa1-xN层、AlyGa1.5yIn1-2.5yN层、未掺杂GaN层、应力释放层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，其中，0.4≤x≤1，0.2≤y≤0.4，所述AlxGa1-xN层中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的AlN层、AlxGa1‑xN层、AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层、未掺杂GaN层、应力释放层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，其中，0.4≤x≤1，0.2≤y≤0.4，所述AlxGa1‑xN层中Al的组分沿所述AlxGa1‑xN层的生长方向逐渐减小，所述AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层中Al的组分沿所述AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层的生长方向逐渐减小，所述AlxGa1‑xN层中Al的组分与所述AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层中Al的组分在所述AlxGa1‑xN层与所述AlyGa1...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的AlN层、AlxGa1-xN层、AlyGa1.5yIn1-2.5yN层、未掺杂GaN层、应力释放层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，其中，0.4≤x≤1，0.2≤y≤0.4，所述AlxGa1-xN层中Al的组分沿所述AlxGa1-xN层的生长方向逐渐减小，所述AlyGa1.5yIn1-2.5yN层中Al的组分沿所述AlyGa1.5yIn1-2.5yN层的生长方向逐渐减小，所述AlxGa1-xN层中Al的组分与所述AlyGa1.5yIn1-2.5yN层中Al的组分在所述AlxGa1-xN层与所述AlyGa1.5yIn1-2.5yN层界面处相等。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度与所述AlyGa1.5yIn1-2.5yN层的厚度之和为15～20nm。3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度为5～12nm。4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlyGa1.5yIn1-2.5yN层的厚度为5～12nm。5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度与所述AlyGa1.5yIn1-2.5yN层的厚度相等。6.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长AlN层；在所述AlN层上依次生长AlxGa1-xN层与AlyGa1.5yIn1-2.5yN层，其中，0.4≤x≤1，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶章峰，程金连，乔楠，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33