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本发明公开了发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体光电领域。在AlN层与未掺杂GaN层之间依次设置AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层，AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层Al的组分可在以...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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