半导体晶片制造技术

本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。

Semiconductor wafer

The present disclosure relates to a semiconductor wafer, which comprises: a PSS substrate with a semi-polar surface; a first GaN semiconductor layer, epitaxially grown on a semi-polar surface of a PSS substrate and having a first thickness second GaN semiconductor layer, epitaxially grown on the surface of the first GaN semiconductor layer, with a second thickness, wherein the second GaN semiconductor layer interrupts the first GaN semiconductor layer between the second GaN semiconductor layer and the first GaN semiconductor layer. Silicon nitride islands penetrating dislocations in semiconductor layers.

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片
本公开涉及一种半导体晶片，尤其涉及一种半导体半极性外延片及其制造方法。
技术介绍
与硅一样，III族氮化物材料可生长为高纯度晶体材料。与硅不同，III族氮化物材料通常比硅生长更困难且昂贵，使得直径大于几英寸的III族氮化物材料的块状衬底目前不像块状硅衬底在商业上可行。因此，研究人员已经开发出(并持续开发)用于在硅或其他晶体衬底上外延生长集成电路等级的III族氮化物层的方法。一旦生长，则可使用平面微制造技术在III族氮化物外延层中制造集成器件。目前，氮化镓(GaN)和其他III-V族氮化物材料被广泛认为是用于制造集成器件的理想材料。这些材料通常具有比基于硅的半导体更宽的带隙并且可用于制造在可见光谱的绿色和蓝色区中发射辐射的电光器件(例如，LED和二极管激光器)。另外，由于其宽的带隙，所以当III-V族氮化物材料用于制造集成晶体管时可表现出更高的击穿电压。因此，III-V族氮化物材料对于光电子和高功率电子应用可能是理想的。最近几年，美国的加州大学圣芭芭拉分校和日本的SONY、SUMITOMO等一些氮化镓(GaN)的研究机构和公司成功地在一些特殊的GaN半极性晶面上制备了高功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度；第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度；其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度；第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度；其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辰，宋杰，崔周源，
申请(专利权)人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61