一种侧墙结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种侧墙结构的形成方法，在半导体基底上依次沉积第一氧化硅膜层和多晶硅，刻蚀形成多晶硅栅，依次沉积第二氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，刻蚀掉半导体基底上方和多晶硅栅顶部的第一氮化硅膜层，多晶硅栅侧壁第一氧化硅膜层之外形成第一侧墙氮化硅膜层，湿法刻蚀去除半导体基底上的第一、第二氧化硅膜层和多晶硅栅顶部的第二氧化硅膜层，在半导体基底上和多晶硅栅上沉积第三氧化硅膜层，在第三氧化硅膜层上依次沉积第四氧化硅膜层和第二氮化硅膜层，干法刻蚀去掉半导体基底上和多晶硅栅顶部的第二氮化硅膜层，在多晶硅栅侧壁第四氧化硅膜层之外形成第二侧墙氮化硅膜层，多晶硅栅侧壁形成氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮化硅侧墙结构。

【技术实现步骤摘要】
一种侧墙结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种侧墙结构的形成方法。
技术介绍
目前存储器侧墙结构为氧化硅膜层-氮化硅膜层-氧化硅膜层-氮化硅膜层(OX-SIN-OX-SIN)，采用侧墙两次沉积两次刻蚀的方法完成。当多晶硅(polysilicon)刻蚀结束后经过多晶硅(polysilicon)热氧化(Re-oxidation)，然后进行侧墙的氮化硅沉积，接着对侧墙进行第一次刻蚀，多晶硅栅(gate)刻蚀后剩余的氧化硅膜层作为阻挡层；继续进行侧墙的第二次沉积及侧墙的第二次刻蚀，剩余的氧化硅膜层及侧墙第二次沉积的氧化硅膜层作为阻挡层，具体步骤如下所示。如图1至图5所示，图1至图5是现有技术的存储器侧墙形成方法的剖面结构过程示意图；首先提供半导体基底101，在所述半导体基底101上沉积第一氧化硅膜层102，然后继续在所述第一氧化硅膜层102上方沉积多晶硅，在多晶硅栅的上方覆盖光刻胶，采用干法刻蚀去除光刻胶覆盖区域以外的多晶硅，形成多晶硅栅103，在所述第一氧化硅膜层102和所述多晶硅栅103上依次沉积第二氧化硅膜层104和第一氮化硅膜层105；用干法刻蚀把半导体基底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种侧墙结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上沉积第一氧化硅膜层，在所述第一氧化硅膜层上沉积多晶硅，在多晶硅栅区域上方覆盖光刻胶进行多晶硅刻蚀，形成多晶硅栅，依次沉积第二氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，覆盖半导体基底上的第一氧化硅膜层和所述多晶硅栅，用干法刻蚀去除半导体基底上和多晶硅栅顶部的第一氮化硅膜层，保留多晶硅栅侧壁的第一氮化硅膜层，在多晶硅栅侧壁的第二氧化硅膜层之外形成第一侧墙氮化硅膜层；采用湿法刻蚀工艺去除半导体基底上的第一氧化硅膜层、第二氧化硅膜层和多晶硅栅顶部的第二氧化硅膜层；保留多晶硅栅侧壁的第二氧化硅膜层，在多晶硅栅的侧壁形成第一侧墙氧化硅膜层；...

【技术特征摘要】
1.一种侧墙结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上沉积第一氧化硅膜层，在所述第一氧化硅膜层上沉积多晶硅，在多晶硅栅区域上方覆盖光刻胶进行多晶硅刻蚀，形成多晶硅栅，依次沉积第二氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，覆盖半导体基底上的第一氧化硅膜层和所述多晶硅栅，用干法刻蚀去除半导体基底上和多晶硅栅顶部的第一氮化硅膜层，保留多晶硅栅侧壁的第一氮化硅膜层，在多晶硅栅侧壁的第二氧化硅膜层之外形成第一侧墙氮化硅膜层；采用湿法刻蚀工艺去除半导体基底上的第一氧化硅膜层、第二氧化硅膜层和多晶硅栅顶部的第二氧化硅膜层；保留多晶硅栅侧壁的第二氧化硅膜层，在多晶硅栅的侧壁形成第一侧墙氧化硅膜层；沉积第三氧化硅膜层，覆盖半导体基底、多晶硅栅、第一侧墙氧化硅膜层和第一侧墙氮化硅膜层；沉积第四氧化硅膜层和第二氮化硅膜层，覆盖所述第三氧化硅膜层；干法刻蚀去除半导体基底上和多晶硅栅顶部的第二氮化硅膜层，保留多晶硅栅侧壁的第二氮化硅膜层，在多晶硅栅侧壁的第三氧化硅膜层之外形成第二侧墙氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政红，董立群，张强，黄冠群，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31