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本发明提供了一种侧墙结构的形成方法，在半导体基底上依次沉积第一氧化硅膜层和多晶硅，刻蚀形成多晶硅栅，依次沉积第二氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，刻蚀掉半导体基底上方和多晶硅栅顶部的第一氮化硅膜层，多晶硅栅侧壁第一氧化硅膜层之外形成第一侧墙氮化硅...
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