The invention relates to a back electrode, a solar cell and a preparation method thereof. The preparation method of the back electrode of the solar cell includes the following steps: preparing a photoresist layer on the substrate, and preparing a plurality of first marks across the thickness of the photoresist layer and arranged at intervals on the photoresist layer; preparing an insulating layer on the surface of the substrate and the photoresist layer; and preparing a non-metallic layer on the insulating layer by cleaning; The process removes the photoresist layer and the insulating layer and the non-metallic layer on it; the back electrode layer is prepared on the base plate and the non-metallic layer; and the back electrode layer on the non-metallic layer and the non-metallic layer is removed by the cleaning process to form the back electrode. Laser lithography is used instead of laser lithography to segment back electrodes and avoid laser lithography damage to the substrate. At the same time, insulating medium is filled in the first lithographic area (P1) line to reduce the dead area, increase the area of the power generation area and improve the power generation efficiency.
【技术实现步骤摘要】
背电极、太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及光伏
,具体是一种太阳能电池背电极的制备方法和通过此方法制备的背电极,以及太阳能电池的制备方法和通过此方法制备的太阳能电池。
技术介绍
现有的铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备过程中,通常都是利用金属钼作为电池的背电极。为了实现铜铟镓硒电池组件高电压、低电流的功率输出,引入激光或者机械刻划的方式,将背电极、前电极以及其它功能膜层进行切割,将整个电池分成多个子电池单元,同时子电池间存在串联和并联关系。激光或机械刻划是以除去相应膜层的方式来实现的,因此必然会造成刻划线区域以及刻划线之间的区域缺少必要的膜层结构,造成该区域无法实现光电转化,成为了电池结构中所谓的“死区”。为了便于描述,按照刻划的引入顺序,将铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备过程中的刻划工序分为第一刻划区(P1)、第二刻划区(P2)和第三刻划区(P3)(有些技术路线还有P4、P5等更多刻划工艺)。为了避免刻划线引起的短路或断路问题,第一刻划区(P1)、第二刻划区(P2)和第三刻划区(P3)刻划线之间需要存在一定的区域间隔。如图1所示,目前的铜铟镓硒薄膜太阳能电池结构中,通常都是在第一刻划区(P1)刻划结束后,直接进行铜铟镓硒薄膜制备,即铜铟镓硒薄膜会填充到第一刻划区(P1)刻划线第一刻划区中,充当第一刻划区(P1)刻划线两侧的“绝缘”介质。现有的铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备技术中,利用激光完成钼背电极层的第一刻划区(P1)刻划后,直接在基板上制备铜铟镓硒吸收层,利用铜铟镓硒填充第一刻划区(P1)刻划线形成的第一刻划区。由于钼背电极层的厚度通常为300~500nm, ...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S11、在基板(1)上制备光刻胶层(2),并在所述光刻胶层(2)上制备多条贯穿所述光刻胶层(2)厚度、且间隔布置的第一刻划区;S12、在所述基板(1)和所述光刻胶层(2)的表面上制备绝缘层(3);S13、在所述绝缘层(3)上制备非金属层(4);S14、采用清洗工艺将所述光刻胶层(2)以及其上的所述绝缘层(3)和所述非金属层(4)除去;S15、在所述基板(1)和所述非金属层(4)上制备背电极层(5);S16、采用清洗工艺将所述非金属层(4)以及所述非金属层(4)上的所述背电极层(5)除去,形成由所述第一刻划区内的所述绝缘层(3)分隔开的多个背电极。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S11、在基板(1)上制备光刻胶层(2),并在所述光刻胶层(2)上制备多条贯穿所述光刻胶层(2)厚度、且间隔布置的第一刻划区;S12、在所述基板(1)和所述光刻胶层(2)的表面上制备绝缘层(3);S13、在所述绝缘层(3)上制备非金属层(4);S14、采用清洗工艺将所述光刻胶层(2)以及其上的所述绝缘层(3)和所述非金属层(4)除去;S15、在所述基板(1)和所述非金属层(4)上制备背电极层(5);S16、采用清洗工艺将所述非金属层(4)以及所述非金属层(4)上的所述背电极层(5)除去,形成由所述第一刻划区内的所述绝缘层(3)分隔开的多个背电极。2.如权利要求1所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:所述在光刻胶层(2)上制备多条贯穿所述光刻胶层(2)厚度、且间隔布置的第一刻划区步骤包括:S111、在所述光刻胶层(2)上设置具有多条缝的掩膜板;S112、采用曝光、显影的方式形成第一刻划区。3.如权利要求1所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:其特征在于:采用真空磁控溅射法、喷涂或者旋涂制备所述绝缘层(3)。4.如权利要求1所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:所述背电极层(5)的厚度与所述绝缘层(3)的厚度相同。5.如权利要求4所述的太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵树利,杨立红,郭逦达,
申请(专利权)人:北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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