一种减缓质谱电离区离子源衰减的方法技术

技术编号:21366035 阅读:32 留言:0更新日期:2019-06-15 10:20
本发明专利技术公开了一种减缓质谱电离区离子源衰减的方法,包括灯罩、真空紫外VUV灯、MgF2玻璃片、O型圈、电极片。真空紫外VUV灯固定在灯罩内部,MgF2玻璃片上设置有O槽,并利用O型圈与电极片密封。真空紫外VUV灯设置在MgF2玻璃片上,MgF2玻璃片将真空紫外VUV灯与电极片隔开,即与质谱电离区隔开。

A Method for Reducing Ion Source Attenuation in Ionization Zone of Mass Spectrometry

The invention discloses a method for slowing down the attenuation of ion source in ionization region of mass spectrometry, including lamp shade, vacuum ultraviolet VUV lamp, MgF2 glass sheet, O-ring and electrode sheet. The vacuum ultraviolet VUV lamp is fixed in the lampshade, and the MgF2 glass sheet is provided with an O groove, which is sealed with an O-ring and an electrode sheet. The vacuum ultraviolet VUV lamp is set on the MgF2 glass sheet. The MgF2 glass sheet separates the vacuum ultraviolet VUV lamp from the electrode sheet, i.e. from the ionization zone of mass spectrometry.

【技术实现步骤摘要】
一种减缓质谱电离区离子源衰减的方法
本专利技术主要应用于质谱电离区内的真空紫外VUV灯离子源,具体来说就是减缓质谱电离区离子源衰减的方法,利用该方法使电离区中产生的部分样品离子和电子吸附MgF2玻璃片,避免直接吸附在真空紫外VUV灯窗表面而造成衰减,同时可以延长真空紫外VUV灯的使用寿命。
技术介绍
质谱检测技术因具有较好的定性和定量能力而受到广泛的关注。通过电离、分离、检测离子来鉴定化合物样品,可以提供丰富的样品分子结构信息。在众多的分析检测方法中,质谱检测方法是一种同时具备高灵敏度和高效性的普适方法。离子源是质谱的核心部件之一,用于将样品分子电离。电子轰击电离源(electronionization,EI)是目前应用最为广泛的质谱离子源,但是EI源种电子的能量为70eV,与样品分子发生碰撞之后会产生大量的碎片离子造成谱峰重叠谱图难识别。近些年来以真空紫外VUV灯作为离子源的技术得到了快速发展,真空紫外VUV灯具有体积小、结构简单和操作方便的特点已经被成功应用于挥发性有机物的快速检测。但是在连续工作时会造成光窗污染使得它不能直接应用于长期的在线监测过程。而无光窗的射频放电VUV灯则可以弥补这一问题,但在实际使用过程中必须连续不间断的通入放电气体才行,不利于设备的集成与便携。基于上述原因发展了一种减缓质谱离子源衰减的方法,该方法具有以下特点:1.真空紫外VUV灯产生光束通过MgF2玻璃片进入质谱电离区,而样品离子和电子直接吸附在MgF2玻璃片上从而避免真空紫外VUV灯窗被污染。2.MgF2玻璃片可以随时更换保证紫外光的透过率。
技术实现思路
本专利技术主要应用与减缓质谱离子源衰减,采用的技术方案如下:一种减缓质谱电离区离子源衰减的方法包括灯罩、真空紫外VUV灯、MgF2玻璃片、O型圈、电极片。真空紫外VUV灯固定在灯罩内部,MgF2玻璃片设置在电极片上,利用O型圈进行密封,真空紫外灯设置在MgF2玻璃片上。MgF2玻璃片将真空紫外VUV灯与质谱电离区隔开。真空紫外VUV灯产生的紫外光能够透过MgF2玻璃片继续照射在质谱电离区内部,同时采用的MgF2玻璃片的厚度可根据需要进行调整。真空紫外VUV灯将通入质谱电离区内的样品分子电离产生样品离子,利用电场的作用将电离产生的样品离子向下传输。而少数样品离子以及电离样品分子后产生的电子则会吸附在VUV灯表面,污染灯窗减少使用寿命。将真空紫外VUV灯安装在MgF2玻璃片上可以有效避免样品离子或者电子直接吸附在VUV灯表面。MgF2玻璃片可以随时更换保证真空紫外VUV灯的透过率,有效延长的了灯的使用寿命。附图说明图1为一种减缓质谱电离区离子源衰减的方法示意图;1—灯罩、2—真空紫外VUV灯、3—MgF2玻璃片、4—O型圈、5—电极片。图2是安装MgF2玻璃片的检测质谱图。图3是没有安装MgF2玻璃片的质谱图。具体实施方式本方法从上到下依次包括灯罩、真空紫外VUV灯、MgF2玻璃片、O型圈和电极片。真空紫外VUV灯固定在灯罩内部,MgF2玻璃片设置在电极片上并利用O型圈槽进行密封,真空紫外VUV灯设置在MgF2玻璃片上。MgF2玻璃片将真空紫外VUV灯与质谱电离区隔开。真空紫外VUV灯将通入质谱电离区内的样品分子电离产生样品离子,利用电场的作用将电离产生的样品离子向下传输。而少数样品离子以及电离样品分子后产生的电子则会吸附在VUV灯表面,污染灯窗减少使用寿命。将真空紫外VUV灯安装在MgF2玻璃片上可以有效避免样品离子或者电子直接吸附在VUV灯表面。本方法中MgF2玻璃片可以有效的透过VUV灯产生的光,同时避免灯窗表面污染延长灯的使用寿命。测试结果如附图所示,图2是安装MgF2玻璃片的检测质谱图,图3是没有安装MgF2玻璃片的质谱图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减缓质谱电离区离子源衰减的方法,采用真空紫外VUV灯(2)为电离源,由真空紫外VUV灯(2)光窗发出的出射光穿过电极片(5)中部的通孔射入质谱电离区,其特征在于:于真空紫外VUV灯(2)光窗与电极片(5)之间设有MgF2玻璃片(4),真空紫外VUV灯(2)光窗发出的出射光MgF2玻璃片(4)后经电极片(5)中部的通孔射入质谱电离区。

【技术特征摘要】
1.一种减缓质谱电离区离子源衰减的方法,采用真空紫外VUV灯(2)为电离源,由真空紫外VUV灯(2)光窗发出的出射光穿过电极片(5)中部的通孔射入质谱电离区,其特征在于:于真空紫外VUV灯(2)光窗与电极片(5)之间设有MgF2玻璃片(4),真空紫外VUV灯(2)光窗发出的出射光MgF2玻璃片(4)后经电极片(5)中部的通孔射入质谱电离区。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:真空紫外VUV灯(2)固定在灯罩(1)内部,MgF2玻璃片(4)设置在电极片(5)通孔上方,在MgF2玻璃片(4)和电极片(5)之间设有密封O型圈(3),真空紫外灯(2)设置在MgF2玻璃片(4)上,光窗面向MgF2玻璃片(4)上表面;MgF2玻璃片(4)将真空紫外VUV灯(2)与质谱电离区隔开。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:光窗面向MgF2玻璃片(4)上表面之间设有密封O型圈。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:真...

【专利技术属性】
技术研发人员:李海洋李金旭蒋吉春王艳
申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
类型:发明
国别省市:辽宁,21

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