一种使用深N阱隔离的MRAM芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM器件及电路、P型半导体衬底、N阱和深N阱；所述N阱位于所述MRAM器件及电路外围，所述深N阱位于所述MRAM器件及电路下方，所述N阱底部与所述深N阱连接在一起，对所述MRAM器件及电路形成三维N阱‑深N阱隔离。本发明专利技术能够有效隔绝噪音，提高MRAM芯片读出稳定性。

A RAM chip using deep N-well isolation

The invention discloses a RAM chip using deep N-well isolation, which comprises MRAM devices and circuits, P-type semiconductor substrates, N-well and deep N-well; the N-well is located outside the MRAM devices and circuits, the deep N-well is located below the MRAM devices and circuits, and the bottom of the N-well is connected with the deep N-well to form three-dimensional N-well and deep N-well for the MRAM devices and circuits. Isolation. The invention can effectively isolate noise and improve the readout stability of MRAM chips.

【技术实现步骤摘要】
一种使用深N阱隔离的MRAM芯片
本专利技术属于半导体芯片存储器领域，尤其涉及一种使用深N阱隔离的MRAM芯片。
技术介绍
磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写，还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。MRAM具有很好的经济性和性能，它的单位容量占用的硅片面积比SRAM有很大的优势，比在此类芯片中经常使用的NORFlash也有优势，比嵌入式NORFlash的优势更大。MRAM读写时延接近最好的SRAM，功耗则在各种内存和存储技术最好；而且MRAM与标准CMOS半导体工艺兼容，DRAM以及Flash与标准CMOS半导体工艺不兼容；MRAM还可以和逻辑电路集成到一个芯片中。MRAM基于MTJ(磁性隧道结)结构。由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的，如图1所示：下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层，上面的铁磁材料是可变磁化方向的记忆层，它的磁化方向可以和固定磁化层相平行或反平行。由于量子物理的效应，电流可以穿过中间的隧道势垒层，但是M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM器件及电路、P型半导体衬底、N阱和深N阱，其特征在于，所述P型半导体衬底位于所述MRAM器件及电路下方；所述N阱和所述深N阱位于所述P型半导体内；所述N阱位于所述MRAM器件及电路外围，所述深N阱位于所述MRAM器件及电路下方，所述N阱底部与所述深N阱连接在一起，对所述MRAM器件及电路形成三维N阱‑深N阱隔离。

【技术特征摘要】
1.一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM器件及电路、P型半导体衬底、N阱和深N阱，其特征在于，所述P型半导体衬底位于所述MRAM器件及电路下方；所述N阱和所述深N阱位于所述P型半导体内；所述N阱位于所述MRAM器件及电路外围，所述深N阱位于所述MRAM器件及电路下方，所述N阱底部与所述深N阱连接在一起，对所述MRAM器件及电路形成三维N阱-深N阱隔离。2.一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MR...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，王志刚，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31