Provides the manufacturing method of the interlayer window structure, the magnetoresistive random access memory device utilizing the interlayer window structure and the magnetoresistive random access memory device. In the manufacturing method of the magnetoresistive random access memory device, the first dielectric layer is deposited on the transistor. Then, a contact window is formed in the first dielectric layer, and the contact window is electrically connected to the transistor. Then, the metal nitride layer is deposited on the first dielectric layer and the contact window. Then, the etching stop layer is deposited on the metal oxide layer. Then, a second dielectric layer is deposited on the etching stop layer. Then, the interlayer window structure is formed in the second dielectric layer, the etching stop layer and the metal nitride layer, and the interlayer window structure is located on the contact window. Then, the memory is formed and stacked on the interlayer window structure.
【技术实现步骤摘要】
磁阻式随机存取记忆体装置
本揭露是关于一种磁阻式随机存取记忆体及其制造方法，特别是关于一种介层窗结构、利用介层窗结构的磁阻式随机存取记忆体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业已经历指数成长。在集成电路(IntegratedCircuit，IC)进化的过程中，功能密度(例如：单位晶片面积的内连接的装置数)通常随着几何尺寸[换言之，利用制程所能制作的最小元件(或线)]的减少而增加。尺度缩小制程提供了增加生产效率和减少相关成本的效益。但是上述尺度缩小制程也增加制造和生产IC的复杂度，且为了实现这些进展，须要进行IC制程和制造等研发。然而，由于特征尺寸持续地下降，制程变的愈来愈复杂。举例而言，介层窗结构是频繁地用于降低特征尺寸。因此，制造具有愈来愈小的尺寸的可靠半导体装置是一种挑战。
技术实现思路
本揭露的一态样是揭露一种装置，其是包含晶体管、第一介电层、接触窗、底部蚀刻中止层、顶部蚀刻中止层、第二介电层、记忆体堆叠及介层窗结构。第一介电层是设置在晶体管上。接触窗是设置在第一介电层内，并电性连接晶体管。底部蚀刻中止层是设置在第一介电层上，其中底部蚀刻中止层...
【技术保护点】
1.一种磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistive random access memory，MRAM)装置，其特征在于，包含：一晶体管；一第一介电层，在该晶体管上；一接触窗，在该第一介电层内，并电性连接该晶体管；一底部蚀刻中止层，在该第一介电层上，其中该底部蚀刻中止层包含一金属氮化物；一顶部蚀刻中止层，在该底部蚀刻中止层上；一第二介电层，在该顶部蚀刻中止层上；一记忆体堆叠，在该第二介电层上；以及一介层窗结构，在该第二介电层、该顶部蚀刻中止层及该底部蚀刻中止层内，并电性连接该记忆体堆叠及该接触窗。
【技术特征摘要】
2017.11.22 US 62/590,182;2018.08.09 US 16/059,7771.一种磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistiverandomaccessmemory，MRAM)装置，其特征在于，包含：一晶体管；一第一介电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴荣堂，童思频，吴思桦，潘兴强，吴孟谕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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