一种基于硅化镁薄膜的传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）与下压环（7）之间固定有硅化镁薄膜（11），上压环（4）的中心位置设置有上电极片（12）；下压环（7）中心位置设置有下电极片（10）；解决了现有技术存在传感器装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测等技术问题。

A Sensor Based on Magnesium Silicide Film

The utility model discloses a sensor based on magnesium silicide film, which comprises a connecting sleeve (1) and a fastening sleeve (9), a fastening sleeve (9) a fixed connecting sleeve (1) a bottom end, and a detection hole (8) at the bottom of the fastening sleeve (9). The structure is characterized in that an upper pressure ring (4) and a lower pressure ring (7) are arranged in the connecting sleeve (1), and silicon is fixed between the upper pressure ring (4) and the lower pressure ring (7). Magnesium oxide thin film (11), upper pressure ring (4) has an upper electrode plate (12) at the center position, and lower pressure ring (7) has a lower electrode plate (10) at the center position, which solves the technical problems existing in the existing technology, such as the complex structure of the sensor device and the inability of its structure setting to extend below the high temperature liquid level for high temperature liquid level detection.

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅化镁薄膜的传感器
本技术属于传感器
，尤其涉及一种基于硅化镁薄膜的传感器。
技术介绍
目前，在工业生产过程中，很多场合都需要对液体、蒸汽的液位进行检测，例如铝合金压铸过程中，需要对保温炉内的金属液液位进行检测，化工反应过程中，需要对原液池内的液位进行检测，其中铝合金金属液的温度600℃-700℃，化工反应热通常在300℃-400℃，温度相对其他场合较高，现有的液位传感器很难在200℃以上的环境中进行可靠的检测工作，且通常在进行检查时，通过继电器进行检查，在容器内设置多个点位，对最高、最低点进行检测，使得检测触头跨度增加，影响检测准确性，且在当触点受到腐蚀后，需要整体进行更换，不能局部拆卸，浪费严重，使用寿命短，金属化合物半导体材料硅化镁具有反萤石晶体结构，群空间为Fm3m，面心立方（fcc）结构，且熔点为1085℃、导电率为16.7S/cm，具备良好的耐高温性质，但目前对硅化镁的研究运用极少。公开号CN204705373U公开了一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器，其包括硅膜、硅基、碳化硅薄膜和铂电阻器，其中碳化硅薄膜由硅膜和硅基密封在一个真空腔内，碳化硅薄膜由四根折叠梁支撑，碳化硅薄膜的上下表面各制备一层金电极，碳化硅薄膜的上金电极与硅膜形成上电容，碳化硅薄膜的下金电极与硅基形成下电容，在基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器内部还设有以上下电容作为电容器的电容测量电路,在硅膜的支撑位置处设有温度传感器，该装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测。
技术实现思路
：本技术要解决的技术问题是：提供一种基于硅化镁薄膜的传感器，以解决现有技术存在传感器装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测等技术问题。本技术技术方案：一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套和紧固套，紧固套固定连接套底端，紧固套底部开有检测孔，连接套内设置有上压环和下压环，上压环与下压环之间固定有硅化镁薄膜，上压环的中心位置设置有上电极片；下压环中心位置设置有下电极片。连接套内上部设置有限位环。上压环上部边沿设置有对称的二个止转销。上压环与下压环上分别设置有信号线连接点。上压环与下压环上与硅化镁薄膜相接触的位置设置有防滑条。上压环上的上电极片朝上弧形凸出。下压环上的下电极片朝下凸出。本技术的有益效果：本技术利用硅化镁进行液位检测，硅化镁的耐高温程度较高，能够在较高温度下进行检测，且通过对两侧电容值变化测量液位，检测准确性更好，并且结构简单，检测点数量较少，便于拆卸维修，使用寿命更长；达到利用硅化镁薄膜，对液位高度进行检测的目的；解决了现有技术存在传感器装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测等技术问题。附图说明：图1为本技术结构示意图。具体实施方式：一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套1和紧固套9，紧固套9固定连接套1底端，紧固套9底部开有检测孔8，连接套1内设置有上压环4和下压环7，上压环4与下压环7之间固定有硅化镁薄膜11，上压环4的中心位置设置有上电极片12；下压环7中心位置设置有下电极片10。连接套1内上部设置有限位环2。上压环4上部边沿设置有对称的二个止转销3；上压环4与下压环7上分别设置有信号线连接点。上压环4与下压环7采用绝缘材料制成，上下电极片分别通过导线或其他导电材料与上压环4与下压环7上设置的信号线连接点连接。上压环4与下压环7上与硅化镁薄膜11相接触的位置设置有防滑条6。上压环4上的上电极片12朝上弧形凸出。下压环7上的下电极片10朝下凸出。下面结合附图对本技术进一步进行说明：本技术由连接套（1）、限位环（2）、止转销（3）、上压环（4）、引线连接点（5）、防滑条（6）、下压环（7）、检测孔（8）、紧固套（9）、下电极片（10）、硅化镁薄膜（11）和上电极片（12）组成，紧固套（9）套置于连接套（1）底端，且和连接套（1）相螺接，所述紧固套（9）底部开有检测孔（8），下压环（7）置于连接套（1）内，所述下压环（7）上置有引线连接点（5），下电极片（10）置于下压环（7）内部中间位置，所述下压环（7）内圈部分向中间位置延伸，且和下电极片（10）相连接，所述下电极片（10）向紧固套（9）方向凹陷，上压环（4）置于连接套（1）内，且位于下压环（7）的正上方，所述上压环（4）上置有引线连接点（5），上电极片（12）置于上压环（4）内部中间位置，所述上压环（4）内圈部分向内延伸，且和上电极片（12）相连接，所述上电极片（12）向连接套（1）顶端方向弧形凸出，限位环（2）置于连接套（1）内壁上，且位于上压环（4）的上方，所述限位环（2）通过两个止转销（3）和上压环（4）相连接，两个所述止转销（3）相对称，硅化镁薄膜（11）置于连接套（1）内，且位于上压环（4）和下压环（7）之间，所述下压环（7）对应硅化镁薄膜（11）的一侧置有防滑条（6），且和硅化镁薄膜（11）一侧相贴合，所述上压环（4）对应硅化镁薄膜（11）的一侧置有防滑条（6），且和硅化镁薄膜（11）另一侧相贴合，所述硅化镁薄膜（11）上置有引线连接点（5）。所述下电极片（10）向紧固套（9）方向凹陷，上电极片（12）向连接套（1）顶端方向弧形凸出的设计，能够在初始状态下，保证硅化镁薄膜（11）和上电极片（12）、下电极片（10）不接触；所述下压环（7）对应硅化镁薄膜（11）的一侧置有防滑条（6），且和硅化镁薄膜（11）一侧相贴合，所述上压环（4）对应硅化镁薄膜（11）的一侧置有防滑条（6），且和硅化镁薄膜（11）另一侧相贴合的设计，能够增加和硅化镁薄膜（11）间的摩擦力，提高对硅化镁薄膜（11）夹持固定稳定性；达到利用硅化镁薄膜（11），对液位高度进行检测的目的。使用时，初始状态下，硅化镁薄膜（11）和上电极片（12）、下电极片（10）不接触，首先将外部电容测量电路通过引线连接点（5）和上电极片（12）、下电极片（10）、硅化镁薄膜（11）相连接，上电极片（12）和下电极片（10）之间形成电场，将外部连接杆和连接套（1）另一端相连接，然后将本技术下放至液体内，液体通过检测孔（8）进入，液位压力挤压硅化镁薄膜（11），硅化镁薄膜（11）变形，硅化镁薄膜（11）和上电极片（12）之间的距离减小，和下电极片（10）之间的距离增大，进而电容测量电路检测的硅化镁薄膜（11）和上电极片（12）之间的电容增大，硅化镁薄膜（11）和下电极片（10）之间的电容减小，电容测量电路检测到两者电容值差别变化，电容测量电路施加的电压随着硅化镁薄膜（11）所受压力增加而增大，因此测量电压大小即可获得液位压力，进而得出液位值；本技术利用硅化镁进行液位检测，硅化镁的耐高温程度较高，能够在较高温度下进行检测，且通过对两侧电容值变化测量液位，检测准确性更好，并且结构简单，检测点数量较少，便于拆卸维修，使用寿命更长。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）与下压环（7）之间固定有硅化镁薄膜（11），上压环（4）的中心位置设置有上电极片（12）；下压环（7）中心位置设置有下电极片（10）。

【技术特征摘要】
1.一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）与下压环（7）之间固定有硅化镁薄膜（11），上压环（4）的中心位置设置有上电极片（12）；下压环（7）中心位置设置有下电极片（10）。2.根据权利要求1所述的一种基于硅化镁薄膜的传感器，其特征在于：连接套（1）内上部设置有限位环（2）。3.根据权利要求1所述的一种基于硅化镁薄膜的传感器，其特征在于：上压环（...

【专利技术属性】
技术研发人员：王坤，谢泉，肖清泉，张晋敏，马家君，廖杨芳，王立，贺腾，施建磊，王新悦，
申请(专利权)人：贵州大学，
类型：新型
国别省市：贵州,52