一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构技术

本发明专利技术提供一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构。本发明专利技术的MOS衬底的制作方法，在制作非晶锗层的过程中，采用多步成膜的方式，并在每步成膜后使用含磷化合物气体通过CVD表面处理对非晶锗薄膜进行磷离子注入，最终得到磷离子掺杂的非晶锗层，形成沟道区后无需单独对沟道区进行掺杂，有效简化了制程，降低了生产成本。本发明专利技术的MOS衬底结构，沟道区在非晶锗成膜时即完成磷离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程，制作简单，生产成本低。

A Fabrication Method of MOS Substrate and the Structure of MOS Substrate

The invention provides a method for manufacturing a MOS substrate and a MOS substrate structure. In the process of fabricating amorphous germanium layer, the MOS substrate of the present invention adopts a multi-step film-forming method and phosphorus ion implantation into amorphous germanium film by CVD surface treatment with phosphorus-containing compound gas after each step of film-forming. The amorphous germanium layer doped with phosphorus ion is finally obtained, and the channel region does not need to be doped separately after forming the channel region, thus effectively simplifying the process and reducing the production cost. The cost of production has been reduced. The MOS substrate structure of the invention has the advantages of simple fabrication and low production cost, that phosphorus ion implantation is completed in the channel region when amorphous germanium film is formed, and no channel doping process is needed.

【技术实现步骤摘要】
一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构
本专利技术涉及MOS领域，尤其涉及一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构。
技术介绍
在MOS衬底中，为了调整器件的阈值电压，需要进行沟道掺杂。通常在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子植入技术把少量的施主或受主杂质离子注入进去，从而完成沟道掺杂。而离子植入制程中，以离子注入机实现离子植入最为常见，如沟道区、N型重掺杂区、N型轻掺杂区以及P型掺杂区等一般均采用离子注入机植入离子，并且在进行每一道离子植入制程时，均需要使用一道光罩完成，而离子植入制程对光罩的精度要求严苛，同时存在机台调试困难，耗时长等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种MOS衬底的制作方法及一种MOS衬底结构，可省去沟道掺杂制程，简化制程，降低生产成本。为实现上述目的，本专利技术提供了一种MOS衬底的制作方法，其包括如下步骤：步骤1、提供衬底(1)，在所述衬底(1)上沉积过渡层(2)；步骤2、在所述过渡层(2)上沉积一非晶锗薄膜(301)，并在所述非晶锗薄膜(301)表面通入含磷化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶锗薄膜(301)进行表面处理，使得所述非晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底(1)，在所述衬底(1)上沉积过渡层(2)；步骤2、在所述过渡层(2)上沉积一非晶锗薄膜(301)，并在所述非晶锗薄膜(301)表面通入含磷化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶锗薄膜(301)进行表面处理，使得所述非晶锗薄膜(301)的表面掺杂磷离子；步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂磷离子的非晶锗薄膜(301)，所述数层表面掺杂磷离子的非晶锗薄膜(301)叠加构成非晶锗层(3)；步骤4、对所述非晶锗层(3)进行退火处理，去除非晶锗层(3)中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶锗薄膜(301)表面的磷离...

【技术特征摘要】
1.一种MOS衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底(1)，在所述衬底(1)上沉积过渡层(2)；步骤2、在所述过渡层(2)上沉积一非晶锗薄膜(301)，并在所述非晶锗薄膜(301)表面通入含磷化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶锗薄膜(301)进行表面处理，使得所述非晶锗薄膜(301)的表面掺杂磷离子；步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂磷离子的非晶锗薄膜(301)，所述数层表面掺杂磷离子的非晶锗薄膜(301)叠加构成非晶锗层(3)；步骤4、对所述非晶锗层(3)进行退火处理，去除非晶锗层(3)中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶锗薄膜(301)表面的磷离子均匀扩散到整个非晶锗层(3)中，实现对整个非晶锗层(3)的磷离子掺杂；步骤5、使用两道光罩对所述磷离子掺杂后的非晶锗层(3)进行两次离子注入，得到位于所述非晶锗层(3)两侧的两个N型重掺杂区(31)、位于所述非晶锗层(3)中部的磷离子掺杂沟道区(33)、及位于所述两个N型重掺杂区(31)与磷离子掺杂沟道区(33)之间的两个N型轻掺杂区(32)；步骤6、在所述非晶锗层(3)上依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(6)、层间绝缘层(7)、及源、漏极(81、82)。2.如权利要求1所述的MOS衬底的制作方法，其特征在于，所述衬底(1)为玻璃衬底或塑料衬底。3.如权利要求1或2所述的MOS衬底的制作方法，其特征在于，所述过渡层(2)为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。4.如权利要求1所述的MOS衬底的制作方法，其特征在于，采用硅烷和氢气通过化学气相沉积法沉积所述非晶锗薄膜(301)。5.如权利要求1所述的MOS衬底的制作方法，其特征在于，所述含磷...

【专利技术属性】
技术研发人员：李莉，王谷乔，曾海军，
申请(专利权)人：无锡众创未来科技应用有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32