The invention belongs to the technical field of the preparation method of the TO tube seat, and relates to a semi-hole brazing process for the bottom plate of the TO tube seat of a semiconductor laser, which comprises the steps of opening the sintering furnace, setting the furnace temperature, measuring the furnace temperature, opening nitrogen gas, starting track, opening cooling water, preliminary inspection before the furnace, empty furnace sintering, sintering and discharging, etc. The temperature distribution is uniform, and the original air in the sintering furnace is completely discharged, so as to ensure the sintering quality of the tube seat and reduce the effect of the defective rate.
【技术实现步骤摘要】
半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺
本专利技术涉及TO管座制备方法的
,尤其是涉及一种半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺。
技术介绍
半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、易于调制及价格低廉等优点,在工业、医学和军事领域得到了广泛的应用,如材料加工、光纤通讯、激光测距、目标指示、激光制导、激光雷达、空间光通信等。现有的半导体激光器大多采用TO管座封装,TO管座的稳定性直接影响到半导体激光器的正常运转。目前,公告号为CN101888057B的中国专利公开了一种激光二极管封装外壳的制备方法,它包括烧结前的清洁处理;管座的烧结熔封加工;产品定形;电镀;管帽的烧结前处理;管帽烧结熔封加工;罩形圆金属壳镀层加工;管帽和管座组装成激光二极管封装外壳等步骤。其中,管座的烧结熔封加工步骤具体为:将管座底板、引线、玻璃绝缘子安装放置到耐高温石墨定位模具内,放入烧结炉内,利用温度曲线控制使玻璃与金属具有良好的熔封性,在高温980度及氮气、氢气的保护下使玻璃绝缘子达到所需要良好的密封绝缘特性,氮气与氢气比例为5∶3。上述中的现有技术方案存在以下缺陷:烧结炉采用炉丝加 ...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其特征在于:具体步骤如下:S1:开启烧结炉电源开关,并设定炉温,所述烧结炉为链式烧结炉;S2:炉温计量,采用标准K型热电偶分度表对烧结炉内各区域的温度进行测量,由烧结炉上的温度仪表显示,并与预设值对比;S3:开启氮气,氮气由炉膛中部排入,由进炉口和出炉口排出,且烧结过程中炉膛处的氮气流速为55~70m
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其特征在于:具体步骤如下:S1:开启烧结炉电源开关,并设定炉温,所述烧结炉为链式烧结炉;S2:炉温计量,采用标准K型热电偶分度表对烧结炉内各区域的温度进行测量,由烧结炉上的温度仪表显示,并与预设值对比;S3:开启氮气,氮气由炉膛中部排入,由进炉口和出炉口排出,且烧结过程中炉膛处的氮气流速为55~70m3/h;S4:启动履带,并开启冷却水对履带进行冷却,履带的行进速度为7~9cm/分;S5:在履带上排装未盛装管座的空石墨模具,空炉启动烧结;S6:送入装有管座的石墨模具,压上压板,进行烧结。2.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其特征在于:所述空石墨模具为废旧石墨模具,履带上排装空石墨模具的距离不少于3米。3.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其特征在于:所述烧结炉内设有至少一个预热区和至少一个恒温区,所述预热区位于进炉口一侧,预热区的炉温低于烧结温度,所述恒温区位于出炉口一侧。4.根据权利要求3所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其特征在于:所述预热区设有三个,沿石墨模具的行进方向上,三个预热区的预设温度分别为600℃、700℃和...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉堂,
申请(专利权)人:无锡市博精电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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