用于沉积钝化膜的方法及设备以及从而沉积的钝化膜技术

本公开涉及用于沉积钝化膜的方法及设备以及从而沉积的钝化膜，方法包括：将衬底支撑在衬底支撑件上；分别使用包括线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴的线性沉积源来分别将源气体及反应气体注入到衬底上，所述线性源气体喷嘴及所述线性反应气体喷嘴在与衬底交叉的第一轴线方向并列安置，且同时，在与第一轴线方向交叉的第二轴线方向上移动衬底支撑件或线性沉积源，其中在移动衬底支撑件或线性沉积源的步骤中，在第二轴线方向中的一个方向上及另一方向上的移动交替地执行，且一个方向及另一方向上的移动距离不同。

【技术实现步骤摘要】
用于沉积钝化膜的方法及设备以及从而沉积的钝化膜
本公开涉及一种用于沉积钝化膜的方法及一种用于沉积钝化膜的设备，且更确切地说，涉及可减小沉积腔室长度的用于沉积钝化膜的方法及用于沉积钝化膜的设备以及从而沉积的钝化膜。
技术介绍
有机电子元件，例如有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)、有机太阳能电池以及有机薄膜晶体管(有机TFT)，易受湿气及氧气的损害，且因此，需要钝化膜形成工艺来保护所述元件。近来，为了提高生产力，用于产生显示元件的玻璃衬底逐渐增大，且因此，用于沉积钝化膜的钝化膜沉积装置也处于具有更大大小的趋势中。通过使用原子层沉积(atomiclayerdeposition,ALD)方法获得的钝化膜通过沉积SiOx、AlOx等等的薄膜而形成，且在相关技术中，钝化膜由通过线性沉积源使两个组份的材料在空间上分离而形成，所述线性沉积源包含多个线性喷嘴且将材料提供到衬底。在原子层沉积方法中，由于沉积速度低，所以在线性沉积源中要求多个线性喷嘴以便获得高沉积速度。在使用多个线性喷嘴时，在通过线性沉积源扫描衬底的沉积表面的同时，应使衬底通过整个线性沉积源且执行全扫描以便在衬底上沉积均匀膜。因此，存在沉积腔室的长度增大及设备的占地面积增大的问题。另外，各种问题根据钝化膜沉积设备的大小的增大发生。也就是说，问题发生不仅是因为用于安装钝化膜沉积设备的空间增大，而且还因为难以维持安装空间的清洁度等且难以执行钝化膜沉积设备的安装、维护等。[专利文献](专利文献1)韩国专利第10-0467535号
技术实现思路
本公开提供一种用于沉积钝化膜的方法及一种用于沉积钝化膜的设备，其通过调节衬底相对于线性沉积源的扫描路径来防止非晶内含物层在衬底上的特定位置处重复层合，且沉积腔室的长度及设备的占地面积可减小。根据示例性实施例，一种用于沉积钝化膜的方法包含：将衬底支撑在衬底支撑件上；以及使用包括线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴的线性沉积源来分别将源气体及反应气体注入到衬底上，所述线性源气体喷嘴及所述线性反应气体喷嘴在与衬底交叉的第一轴线方向并列安置，且同时，在与所述第一轴线方向交叉的第二轴线方向上移动衬底支撑件或线性沉积源，其中在移动衬底支撑件或线性沉积源的步骤中，在第二轴线方向中的一个方向上及另一方向上的移动交替地执行，且一个方向及另一方向上的移动距离不同。移动衬底支撑件或线性沉积源的步骤可包含：执行第一扫描，其中一个方向上及另一方向上的移动交替地执行，使得相对于线性沉积源，衬底在一个方向上的相对移动长于衬底在另一方向上的相对移动。第一扫描可执行直到衬底的一个端部与线性沉积源的一个端部对准为止。移动衬底支撑件或线性沉积源的步骤可还包含；执行第二扫描，其中一个方向上及另一方向上的移动交替地执行，使得衬底在另一方向上的相对移动长于衬底在一个方向上的相对移动。在一个方向上及另一方向上的移动距离之间的差可为线性源气体喷嘴或线性反应气体喷嘴在第二轴线方向上的宽度的约10％到100％。源气体可包含硅(Si)原子，反应气体可包含氮(N)原子或氧(O)原子中的至少任何一种，且钝化膜可包含具有SiNx、SiOx以及SiNxO1-x中的任一组成物的薄膜。用于沉积钝化膜的方法可还包含在线性源气体喷嘴前方形成等离子体，其中源气体为处于气体状态的气体。在移动衬底支撑件或线性沉积源的步骤中，衬底支撑件或线性沉积源可移动以使得衬底的整个沉积表面面向线性沉积源。根据另一示例性实施例，一种用于沉积钝化膜的设备包含：衬底支撑件，衬底支撑于其上；线性沉积源，包含线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴，所述线性源气体喷嘴及所述线性反应气体喷嘴在与衬底交叉的第一轴线方向上并列安置且配置成分别将源气体及反应气体注入到衬底上；以及驱动部件，连接到衬底支撑件或线性沉积源且配置成在与第一轴线方向交叉的第二方向上移动衬底支撑件或线性沉积源，其中所述驱动部件交替地执行在第二轴线方向中的一个方向上及另一方向上的移动，且移动衬底支撑件或线性沉积源使得在一个方向上及另一方向上的移动的移动距离不同。线性沉积源的线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴可在第二轴线方向上交替地安置，且线性反应气体喷嘴可安置在线性沉积源的两端上。驱动部件可移动衬底支撑件或线性沉积源，使得在一个方向上及另一方向上的移动距离之间的差可为线性源气体喷嘴或线性反应气体喷嘴在第二轴线方向上的宽度的约10％到100％。线性沉积源在第二轴线方向上的长度可大于衬底在第二轴线方向上的长度。源气体可包含硅(Si)原子，反应气体可包含氮(N)原子或氧(O)原子中的至少任何一种，且钝化膜可包含具有SiNx、SiOx以及SiNxO1-x中的任一组成物的薄膜。用于沉积钝化膜的方法可还包含在线性源气体喷嘴前方形成等离子体，其中源气体为处于气体状态的气体。根据又一示例性实施例，一种钝化膜包含：无机化合物层，层合在衬底上且持续连接；以及多个非晶内含物，插入于层合无机化合物层之间且彼此间隔开，其中非晶内含物部分地设置于无机化合物层上。所述多个非晶内含物可由构成无机化合物层的元素中的至少任一种构成。在多个非晶内含物当中，彼此相邻的无机化合物层上的非晶内含物可以约80％或更小的面积彼此重叠，或可以非晶内含物的水平宽度的约20％或更小水平地彼此间隔开。附图说明通过结合附图进行的以下描述可更详细地理解示例性实施例，其中：图1为示出根据示例性实施例的用于沉积钝化膜的方法的流程图。图2(a)及图2(b)为用于描述衬底相对于线性沉积源的扫描路径及根据示例性实施例的钝化膜的结构的概念图。图3为示出根据另一示例性实施例的用于沉积钝化膜的设备的透视图。图4为示出根据又一示例性实施例的钝化膜的示意性截面图。附图标号说明10：衬底；11：第一轴线方向；12：第二轴线方向；12a：一个方向；12b：另一方向；20：钝化膜；21：无机薄膜；21a：无机化合物层；22：非晶内含物层；30：等离子体；100：设备；110：衬底支撑件；120：线性沉积源；121：线性源气体喷嘴；122：线性反应气体喷嘴；130：驱动部件；131：电源；132：电力传输部件；133：连接部件；S100、S200：步骤。具体实施方式下文将参考附图更详细地描述示例性实施例。然而，本专利技术可以不同的形式来体现，且不应解释为限于本文所陈述的实施例。实际上，提供这些实施例是为了使得本公开将是透彻并且完整的，并且这些实施例将把本专利技术的范围充分地传达给所属领域的技术人员。在描述中，相同附图标号指代相同配置，为了清晰示出示例性实施例，可部分地放大附图，且在附图中相同附图标号指代相同元件。图1为示出根据示例性实施例的用于沉积钝化膜的方法的流程图。参考图1，根据示例性实施例的用于沉积钝化膜的方法可包含：将衬底10支撑在衬底支撑件上(S100)；以及在使用包含线性源气体喷嘴121及线性反应气体喷嘴122的线性沉积源分别将源气体及反应气体注入到衬底10上时在与第一方向交叉的第二方向上移动衬底支撑件或线性沉积源，所述线性源气体喷嘴121及所述线性反应气体喷嘴122在与衬底10交叉的第一轴线方向上并列布置(S200)。首先，将衬底10支撑在衬底支撑件上(S100)。上面待沉积钝化膜的衬底10可支撑在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于沉积钝化膜的方法，所述方法包括：将衬底支撑在衬底支撑件上；以及使用包括线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴的线性沉积源来分别将源气体及反应气体注入到所述衬底上，所述线性源气体喷嘴及所述线性反应气体喷嘴在与衬底交叉的第一轴线方向并列安置，且同时，在与所述第一轴线方向交叉的第二轴线方向上移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源，其中在移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源的步骤中，在所述第二轴线方向中的一个方向上及另一方向上的移动交替地执行，且在所述一个方向及所述另一方向上的移动距离不同。

【技术特征摘要】
2017.11.28 KR 10-2017-01597831.一种用于沉积钝化膜的方法，所述方法包括：将衬底支撑在衬底支撑件上；以及使用包括线性源气体喷嘴及线性反应气体喷嘴的线性沉积源来分别将源气体及反应气体注入到所述衬底上，所述线性源气体喷嘴及所述线性反应气体喷嘴在与衬底交叉的第一轴线方向并列安置，且同时，在与所述第一轴线方向交叉的第二轴线方向上移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源，其中在移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源的步骤中，在所述第二轴线方向中的一个方向上及另一方向上的移动交替地执行，且在所述一个方向及所述另一方向上的移动距离不同。2.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的方法，其中移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源的步骤包括：执行第一扫描，其中所述一个方向上及所述另一方向上的移动交替地执行，使得相对于所述线性沉积源，所述衬底在所述一个方向上的相对移动长于所述衬底在所述另一方向上的相对移动。3.根据权利要求2所述的用于沉积钝化膜的方法，其中执行所述第一扫描直到所述衬底的一个端部与所述线性沉积源的一个端部对准为止。4.根据权利要求2所述的用于沉积钝化膜的方法，其中移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源的步骤还包括：执行第二扫描，其中所述一个方向上及所述另一方向上的移动交替地执行，使得所述衬底在所述另一方向上的相对移动长于所述衬底在所述一个方向上的相对移动。5.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的方法，其中在所述一个方向上及所述另一方向上的移动距离之间的差为所述线性源气体喷嘴在所述第二轴线方向上的宽度的10％到100％。6.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的方法，其中所述源气体包括硅原子，所述反应气体包括氮原子或氧原子中的至少任何一种，以及所述钝化膜包括具有SiNx、SiOx以及SiNxO1-x中的任一组成物的薄膜。7.根据权利要求6所述的用于沉积钝化膜的方法，还包括在所述线性源气体喷嘴前方形成等离子体，其中所述源气体为处于气体状态的气体。8.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的方法，其中在移动所述衬底支撑件或所述线性沉积源的步骤中，所述衬底支撑件或所述线性沉积源移动以使得所述衬底的整个沉积表面面向所述线性沉积源。9.一种用于沉积钝化膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宰承，郑泰薰，黄栋义，
申请(专利权)人：AP系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR