The invention relates to a white light-emitting diode based on CSPbI3 material. The light-emitting diode uses transparent conductive ITO glass as cathode substrate, uses spin-coating solution method to assemble the hole injection layer, the hole transmission layer and the CsPbI3 light-emitting layer, and then uses thermal evaporation to deposit the electron transmission layer and the metal electrode, and then assembles the light-emitting diode. The light-emitting diode prepared by the invention has stable light emission and high light-emitting efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管
本专利技术涉及一种基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管,属于电致发光器件领域。
技术介绍
近年来,钙钛矿材料在太阳能电池领域被广泛研究,由于其光电性能的优异,在发光二极管、激光等领域也被证明具有巨大潜力。传统的钙钛矿材料为有机无机杂化钙钛矿(CH3NH3PbX3),在此基础之上发展出的无机金属卤化物钙钛矿(CsPbX3)也具有优越的光学性能,而且在稳定性方面要优于传统杂化钙钛矿材料,因此在光电子器件的应用中具有巨大潜力。普通的发光二极管采用碱金属以及铝等做阴极材料,该类材料容易受空气和水分的影响发生恶化,因此需要玻璃、粘合剂进行封装。这是电致发光显示器、照明成本高的重要因素之一,也阻碍了柔性电致发光器件的发展。目前,红光和绿光的钙钛矿发光二极管的外量子效率均超过了20%,蓝光效率偏低但也接近10%,而真正的电致白光的研究还非常少,因此开发出高效白光发光二极管成为了目前的研究热点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管。本专利技术可通过如下技术方案实现,基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管的制备,由如下步骤制备:1)在洁净的ITO玻璃上旋涂一定厚度的空穴注入层和空穴传输层;2)再采用CsPbI3量子点的分散液进行旋涂,并进行热处理;3)于步骤2)旋涂后的表面热蒸发沉积一定厚度的电子传输层,最后沉积一定厚度的阴极电极材料。步骤1)中,所述空穴注入材料为层聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)溶液;沉积厚度为30~60nm;所述的空穴传输层为聚[9 ...
【技术保护点】
1.一种基于CsPbI3材料的白光发光二极管,其特征在于,所述的二极管由如下步骤制备:1)在洁净的ITO玻璃上依次沉积相当厚度的空穴注入层、空穴传输层;2)于步骤1)沉积后的表面,采用CsPbI3量子点的分散液进行旋涂,并在具有湿度的大气环境下进行热处理;3)再采用热蒸发沉积电子传输层,继续热蒸发沉积电极材料。
【技术特征摘要】
1.一种基于CsPbI3材料的白光发光二极管,其特征在于,所述的二极管由如下步骤制备:1)在洁净的ITO玻璃上依次沉积相当厚度的空穴注入层、空穴传输层;2)于步骤1)沉积后的表面,采用CsPbI3量子点的分散液进行旋涂,并在具有湿度的大气环境下进行热处理;3)再采用热蒸发沉积电子传输层,继续热蒸发沉积电极材料。2.如权利要求1所述的基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管,其特征在于,步骤1)中,所述的空穴注入层材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐);浓度为1.3~1.7wt%,旋涂厚度为30~60nm。3.如权利要求1所述的基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管,其特征在于,步骤1)中,所述的空穴传输层材料为聚[9,9-二辛基芴-共-N-[4-(3-甲基丙基)]-二苯基胺],浓度为4~6mg/mL,旋涂厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋继中,陈嘉伟,韩博宁,李金航,单青松,方涛,曾海波,
申请(专利权)人:南京理工大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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