芯片堆叠封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种芯片堆叠封装结构，其包括基板、至少两个芯片、至少两纳米碳管层、多条导线以及封装胶体。两个芯片分别配置于基板上，其中一个芯片位于基板与另一个芯片之间。其中一个纳米碳管层配置于其中一个芯片的主动表面与另一个芯片的背表面之间。另一个纳米碳管层配置于另一个芯片的主动表面上。导线配置用以电性连接其中一个芯片与基板，以及电性连接另一个芯片与基板。封装胶体配置于基板上，并包覆芯片、纳米碳管层以及导线。本发明专利技术具有良好的散热效率及可靠度。

【技术实现步骤摘要】
芯片堆叠封装结构
本专利技术涉及一种芯片封装结构，尤其涉及一种芯片堆叠封装结构。
技术介绍
目前，为使芯片堆叠封装结构具有良好的散热效率，大多的作法是使上层芯片的上表面暴露于封装胶体外，或者是将散热片贴附于上层芯片并使散热片的上表面暴露于封装胶体外，以使芯片运行时所产生的热可逸散至外界。然而，采用上述散热手段，下层芯片运行时所产生的热并无法有效地逸散至外界而不断地累积于下层芯片，使得芯片可能会因为过热而导致效能衰减或使用寿命缩短，甚至是损毁，进而影响芯片堆叠封装结构的可靠度。因此，如何进一步地提升芯片堆叠封装结构的散热效率，已成目前亟待解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种芯片堆叠封装结构，具有良好的散热效率及可靠度。本专利技术的芯片堆叠封装结构包括基板、至少两个芯片、至少两个纳米碳管层、多条导线以及封装胶体。两芯片分别配置于基板上，其中一个芯片位于基板与另一个芯片之间。其中一个纳米碳管层配置于其中一个芯片的主动表面与另一个芯片的背表面之间。另一个纳米碳管层配置于另一个芯片的主动表面上。导线配置用以电性连接其中一个芯片与基板，以及电性连接另一个芯片与基板。封装胶体配置于基板上，并包覆芯片、纳米碳管层以及导线。在本专利技术的一实施例中，上述的纳米碳管层包括多条纳米碳管及多个导热材，且导热材填充于对应的纳米碳管内。在本专利技术的一实施例中，上述的纳米碳管彼此交错相叠而呈网格状。在本专利技术的一实施例中，上述的其中一个纳米碳管层自其中一个芯片的主动表面沿着其侧表面延伸至基板上，且另一个纳米碳管层自另一个芯片的主动表面沿着其侧表面延伸至基板上。在本专利技术的一实施例中，上述的延伸至基板上的其中一个纳米碳管层与基板的导热通孔相接触，且延伸至基板上的另一个纳米碳管层与其中一个纳米碳管层相接触。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片堆叠封装结构还包括至少一个胶层。胶层连接另一个芯片的背表面，且位于其中一个芯片的主动表面与另一个芯片的背表面之间。胶层用以黏着固定配置于其中一个芯片的主动表面与另一个芯片的背表面之间的其中一个纳米碳管层，并黏着固定两芯片。在本专利技术的一实施例中，上述的胶层包括液态胶(例如是银胶或不导电胶)、黏晶胶(DAF)或线包覆胶膜(filmoverwire，FOW)。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片堆叠封装结构还包括至少一个黏着层。黏着层连接其中一个芯片的主动表面，且位于其中一个芯片的主动表面与另一个芯片的背表面之间。黏着层用以黏着固定配置于其中一个芯片的主动表面与另一个芯片的背表面之间的其中一个纳米碳管层，并黏着固定两芯片。在本专利技术的一实施例中，上述的其中一个纳米碳管层在其中一个芯片的主动表面上的正投影面积小于其中一个芯片的主动表面的面积。另一个纳米碳管层在另一个芯片的主动表面上的正投影面积小于另一个芯片的主动表面的面积。在本专利技术的一实施例中，上述的另一个芯片在其中一个芯片的主动表面上的正投影覆盖其中一个纳米碳管层在其中一个芯片的主动表面上的正投影。基于上述，本专利技术的芯片堆叠封装结构中的各芯片的主动表面上分别设有一层纳米碳管层，因此各芯片运行时所产生的热可通过对应的纳米碳管层导出，使得本专利技术的芯片堆叠封装结构具有良好的散热效率及可靠度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A是本专利技术一实施例的芯片堆叠封装结构的剖面示意图。图1B是图1A中区域A的放大示意图。图1C是本专利技术一实施例的纳米碳管的排列方式的局部立体示意图。图2是本专利技术另一实施例的芯片堆叠封装结构的剖面示意图。图3是本专利技术又一实施例的芯片堆叠封装结构的剖面示意图。图4是本专利技术再一实施例的芯片堆叠封装结构的剖面示意图。附图标记说明100、100a、100b、100c：芯片堆叠封装结构110、110a：基板120：第一芯片120a：第一主动表面120b：第一背表面120c、122c：侧表面122：第二芯片122a：第二主动表面122b：第二背表面124：第三芯片124a：第三主动表面124b：第三背表面130、130a：第一纳米碳管层132、132a：第二纳米碳管层134：第三纳米碳管层136：纳米碳管138：导热材140、142、144：导线150：封装胶体160：第一胶层162：第二胶层164：第三胶层170：第一黏着层172：第二黏着层174：第三黏着层180：导热通孔190：焊球A：区域具体实施方式图1A是本专利技术一实施例的芯片堆叠封装结构的剖面示意图。图1B是图1A中区域A的放大示意图。图1C是本专利技术一实施例的纳米碳管的排列方式的局部立体示意图。请参照图1A至图1C，在本实施例中，芯片堆叠封装结构100包括基板110、第一芯片120、第二芯片122、第三芯片124、第一纳米碳管层130、第二纳米碳管层132、第三纳米碳管层134、第一导线140、第二导线142、第三导线144以及封装胶体150，其中基板110可以是多层线路基板，且可为软式线路基板或是线路基板。第一芯片120、第二芯片122以及第三芯片124依序堆叠于基板110，其中第一芯片120位于基板110与第二芯片122之间，且第二芯片122位于第一芯片120与第三芯片124之间。第一芯片120具有相对的第一主动表面120a与第一背表面120b，第二芯片122具有相对的第二主动表面122a与第二背表面122b，且第三芯片124具有相对的第三主动表面124a与第三背表面124b。第一背表面120b朝向基板110，第一主动表面120a朝向第二背表面122b，且第二主动表面122a朝向第三背表面124b。另一方面，第一纳米碳管层130配置于第一主动表面120a与第二背表面122b之间，且热耦接于第一主动表面120a。第二纳米碳管层132配置于第二动表面122a与第三背表面124b之间，且热耦接于第二主动表面122a。第三纳米碳管层134配置于第三主动表面124a上，且热耦接于第三主动表面124a。在本实施例中，第一纳米碳管层130在第一主动表面120a上的正投影面积小于第一主动表面120a的面积，第二纳米碳管层132在第二主动表面122a上的正投影面积小于第二主动表面122a的面积，且第三纳米碳管层134在第三主动表面124a上的正投影面积小于第三主动表面124a的面积。在每一芯片的主动表面未被对应的纳米碳管层完全占据的情况下，得以在每一芯片的主动表面上保有用来电性连接每一芯片与基板110的接合区域。另一方面，第三芯片124在第二主动表面122a上的正投影可覆盖第二纳米碳管层132在第二主动表面122a上的正投影，且第二芯片122在第一主动表面120a上的正投影可覆盖第一纳米碳管层130在第一主动表面120a上的正投影。进一步而言，位于任两相邻芯片之间的纳米碳管层例如是分布于任两相邻芯片的重叠处，用以获致较大散热面积。请继续参照图1A至图1C，在本实施例中，每一芯片的主动表面上保有用来电性连接每一芯片与基板110的接合区域，其中第一导线140配置用以电性连接第一主动表面120a与基板110，第二导线142配置用以电性连接第二主动表面122a与基板110，且第三导线144配置用以电性连接第三主动表面124a与基板110。就导线之间的相对位置而言，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括：基板；至少两个芯片，分别配置于基板上，其中一个所述芯片位于所述基板与另一个所述芯片之间；至少两个纳米碳管层，其中一个所述纳米碳管层配置于其中一个所述芯片的主动表面与另一个所述芯片的背表面之间，且另一个所述纳米碳管层配置于另一个所述芯片的主动表面上；多条导线，配置用以电性连接其中一个所述芯片与所述基板以及电性连接另一个所述芯片与所述基板；以及封装胶体，配置于所述基板上，并包覆所述至少两个芯片、所述至少两个纳米碳管层以及所述多个导线。

【技术特征摘要】
2017.11.29 TW 1061417021.一种芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括：基板；至少两个芯片，分别配置于基板上，其中一个所述芯片位于所述基板与另一个所述芯片之间；至少两个纳米碳管层，其中一个所述纳米碳管层配置于其中一个所述芯片的主动表面与另一个所述芯片的背表面之间，且另一个所述纳米碳管层配置于另一个所述芯片的主动表面上；多条导线，配置用以电性连接其中一个所述芯片与所述基板以及电性连接另一个所述芯片与所述基板；以及封装胶体，配置于所述基板上，并包覆所述至少两个芯片、所述至少两个纳米碳管层以及所述多个导线。2.根据权利要求1所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于，各所述纳米碳管层包括多条纳米碳管及多个导热材，各所述导热材填充于对应的各所述纳米碳管内。3.根据权利要求2所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于，多个所述纳米碳管彼此交错相叠而呈网格状。4.根据权利要求1所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述纳米碳管层自其中一个所述芯片的主动表面沿着其侧表面延伸至所述基板上，且另一个所述纳米碳管层自另一个所述芯片的主动表面沿着其侧表面延伸至所述基板上。5.根据权利要求4所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于，延伸至所述基板上的其中一个所述纳米碳管层与所述基板的导热通孔相接触，且延伸至所述基板上的另一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：许翰诚，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71